レーザビームの電気光学偏光によるマイクロ波影像装置の開発

利用激光束电光偏振的微波成像装置的研制

基本信息

批准号：
16656038
负责人：
巨陽
金额：
$ 2.24万
依托单位：
Tohoku University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Exploratory Research
财政年份：
2004
资助国家：
日本
起止时间：
2004 至 2005
项目状态：
已结题

项目摘要

本研究は,被検査体を透過したマイクロ波ビームの電場分布を電気光学結晶に入力されたレーザビームの偏光に置き換えることによりマイクロ波影像を得る装置を開発し,被検査体の電磁物性分布を画像化することを目的とするものである。高分解能なマイクロ波影像をリアルタイムで取得可能な装置の開発,さらにその応用としてシリコンウェーハの導電率分布の非接触計測への実用化を図る。2年継続により,(I)マイクロ波影像装置の開発,(II)マイクロ波周波数及び電気光学結晶の最適化,(III)シリコンウェーハの導電率分布の定量評価,なる3項目の研究を推進し,目標を達成する。本年度は以下の実績を得た。1.マイクロ波周波数及び電気光学結晶の最適化マイクロ波周波数,及び電気光学結晶の種類を変化させ,それぞれにおけるマイクロ波影像を得ることにより,マイクロ波影像装置におけるマイクロ波周波数,及び電気光学結晶の種別の影響を調べ,最適化を行った。これにより,高分解能,高感度の影像を実現した。2.シリコンウェーハの導電率分布の定量評価上記の研究成果を踏まえ,マイクロ波影像装置の応用例として,シリコンウェーハの導電率分布の非接触計測を実施した。種々の加工条件により導電率分布の違うシリコンウェーハ試験片を用いて,試験片を透過したマイクロ波の電場分布をマイクロ波影像装置により測定し,試験片の導電率分布によって変化するマイクロ波の応答を計測した。さらにマイクロ波の応答と従来の接触型測定法により評価される試験片の導電率から,マイクロ波による導電率の定量評価式を生成し,シリコンウェーハの導電率分布の非接触リアルタイム計測を実現した。

这项研究旨在开发一种设备，通过更换通过物体传输的微波梁的电场分布来获得微波图像，从而用激光束输入的偏振光将其从激光束输入到电光晶体中，并对物体的电磁物理分布进行图像进行检查。我们将开发一种可以实时获取高分辨率微波图像的设备，作为应用程序，我们将实施实用应用程序，以实现对硅晶片的电导率分布的非接触式测量。通过两年的持续研究，我们将促进三种类型的研究：（i）微波成像设备的开发，（ii）微波频率和电流晶体的优化，以及（iii）硅Wafer的电导率分布的定量评估，并实现我们的目标。今年，我们获得了以下结果：1。通过更改微波频率和电流晶体的类型来优化微波频率和电流晶体，并在每个微波频率中获取微波频率的微波图像以及微波晶体的影响和微波晶体的类型。这可以使高分辨率和高灵敏度图像。 2。基于上述研究结果对硅晶片的电导率分布的定量评估，作为微波成像装置的应用示例，对硅晶片的电导率分布进行了非接触率测量。使用微波成像设备测量了由于各种处理条件而导致不同电导率分布的硅晶片样品，通过微波成像设备测量了通过样品传输的微波的电场分布，并测量了根据样品的电导率分布而变化的微波反应。此外，从通过常规接触型测量方法评估的微波反应和测试样品的电导率中，产生了微波电导率的定量评估公式，即实时的无接触率测量硅Wafer的电导率分布。