超微細セル状表面構造を高機能デバイスに利用するための基礎的研究

利用超细蜂窝表面结构构建高性能设备的基础研究

基本信息

  • 批准号:
    17656205
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 2.11万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Exploratory Research
  • 财政年份:
    2005
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2005 至 2006
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

GaSb、InSbなどの化合物半導体にイオン照射すると表面に微細なセル状構造ができる。本研究の目的は、この現象を利用して規則的なナノセル構造を自在につくるための基礎的あるいはまた予備的な研究を行うことである.本年度成果は以下のとおりである.InSbのSnイオン照射実験においては,ふたつの(111)面方位によって,ストイキオメトリーからのずれに差があることが示された。また基板温度による構造形成の差がGaSbの場合とかなりちがうことが明らかになった。GaSbイオン注入のモンテカルロシミュレイションをおこなった。実験結果を説明するためには,注入直後の原子空孔と格子間原子の分布に大きな差がなければならないことが示された。また原子空孔はほとんど移動しないため,ボイドの出現は,空孔濃度が臨界値をこえたとき急激におきることが示唆された。規則的ナノセル形成の研究においては,基板種類,加速電圧,ドーズ量,ドット間隔によって,規則性がどのように影響をうけるのか調べた。GaSbの場合,加速電圧は30kVでもっともアスペクト比の大きいセル構造が形成され,また50nm間隔まで規則的セル構造が実現できた。InSb基板の場合でも,規則構造が形成されることを確認した。GaSbの場合に比べて,低いドーズ量でも規則構造が形成され,構造は大きい。Ge基板の場合,高ドーズ量を必要とするが,GaSb,InSbよりさらに微細な規則的構造(ドット間隔30nm)が形成された。
GaSb, InSb compound semiconductors are irradiated with a fine structure on the surface. The purpose of this study is to make use of this phenomenon and to study the preparation of rules and structures. This year's results are as follows: InSb's Sn radiation is in the middle, and the (111) plane orientation is in the middle, and the difference is in the middle. The difference between the substrate temperature and the structure formation is GaSb. GaSb injection system The results show that the atomic gap between the lattice atoms after injection is large. The atomic void is moved to the critical value of the void concentration. Research on the formation of regular patterns, substrate type, acceleration voltage, temperature, spacing, regularity and influence of different patterns. In GaSb case, the acceleration voltage is 30kV, and the regular structure with 50nm interval is formed. In the case of InSb substrates, regular structures are formed and confirmed. In GaSb case, the lower the quantity, the regular structure is formed, and the structure is larger. In the case of Ge substrate, high density is necessary,GaSb,InSb fine regular structure (30nm interval) is formed.

项目成果

期刊论文数量(7)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Formation of Cellular Structure on GaSb Surface by Ion-Implantation
通过离子注入在 GaSb 表面形成蜂窝结构
Formation of metastable Fe-Cu alloy nanoparticles by ion implantation
离子注入形成亚稳态Fe-Cu合金纳米颗粒
  • DOI:
  • 发表时间:
    2006
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    N.Hayashi;T.Moriwaki;M.Taniwaki;I.Sakamoto;A.Tanoue;T.Toriyama;H.Wakabayashi
  • 通讯作者:
    H.Wakabayashi
Cellular structure formed by ion-implantation-induced point defect
  • DOI:
    10.1016/j.physb.2005.12.220
  • 发表时间:
    2006-04
  • 期刊:
  • 影响因子:
    2.8
  • 作者:
    N. Nitta;M. Taniwaki;Y. Hayashi;T. Yoshiie
  • 通讯作者:
    N. Nitta;M. Taniwaki;Y. Hayashi;T. Yoshiie
Nano-fabrication utilizing point defects induced by ion-implantation
利用离子注入引起的点缺陷进行纳米制造
Kinetic Monte Carlo simulation of void swelling in GaSb irradiated with Sn at low temperature
低温Sn辐照GaSb中空洞膨胀的动力学蒙特卡罗模拟
  • DOI:
  • 发表时间:
    2007
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    T.Yoshiie;N.Nitta;M.Taniwaki
  • 通讯作者:
    M.Taniwaki
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  • 通讯作者:
    谷脇 雅文

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    $ 2.11万
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