低温イオン注入誘起相変態現象の探索と機構の解明

低温离子注入诱导相变现象的探索及其机理的阐明

• 批准号: 09242101
• 负责人: 谷脇 雅文
• 金额: $ 1.28万
• 依托单位: Kochi University of Technology
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
• 财政年份: 1997
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 1997 至 无数据
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-09242101/
• 关键词: イオン注入; 化合物半導体; 相変態; 非晶質; ガリウムヒ素; インジウムリン; インジウムリン アンチモン

低温でSnイオン注入したInPの表面層を断面TEMで調べ、多結晶リングを観察した。このうち、一連の強いリングはInPの高圧相であるrock-salt型のX-ray diffractionデータと良く対応することから、イオン注入によって蓄積された応力によって、表面層がzinc-blend型からrock-salt型に相変態したものと考えた。この現象をさらに探索するため、系をInSb,GaSb,GaAsにひろげた。InP、InSbではrock-salt型のリングが観察されたが、他のふたつのGa系ではみとめられなかった。特にGaSbには、非晶質をあらわすハロ-がわずかに認められるのみであった。再度、同定を見直した。その結果、InPおよびInSbのすべてのリングは、In_2O_3のX-rayデータとよく符号することがわかった。酸化物In_2O_3がどこに存在するか、分析TEMによって調べた。観察結果から、試料を薄膜化するさいに飛散したInが酸素と結合し、In_2O_3となって、TEM試料上に残ってしまったものと考えられる。最近、1.5x10^<15>Sn^+/cm^2注入InPをあらためてJEOL JEM-2010Fで観察したところ、注入層の支配的な構造は非晶質であった。しかし、rock-salt type構造とみられるextra spotも観察されている。8x10^<14>Sn^+/cm^2注入した試料のSAEDには、母相の格子定数の縮小が見られ、zinc-blend typeからrock-salt typeへの相変態が生じてもおかしくない。

At low temperature, Sn was injected into the surface of InP, and the surface section of TEM was examined by scanning electron microscopy. In the first place, the rock- salt type, the X-ray diffraction type, the rock- salt type, the zinc- salt type, the rock- salt type, the surface, the strength, the appearance, the strength, the appearance, the strength, the strength, the appearance, the strength, the strength, the strength, I don't know what to do. I don't know. I don't know what to do. I don't know. InP, InSb, rock- salt type, and so on, so that you can see if you have a problem with the Ga system. This is a special GaSb device, which is a non-crystal device. Once again, we will make sure that we are going to be straight. The results of the test, InP, X-ray, and so on, are different from each other. The acid compound In_2O_3 was found to exist in the acid compound, and the TEM was analyzed. The results showed that there were significant differences in the results of thin film, thin film, In acid combination, In_2O_3, TEM, and so on. Recently, 1.5x10 ^ & lt;15> Sn^ +

项目成果

Masafumi TANIWAKI: "Annzaling behavior of electrical conductivity of Inp implanted with Sn at a low temperature" KURRI ProgressReport. 1996. 87 (1997)

Masafumi TANIWAKI：“低温下注入 Sn 的 Inp 电导率的安扎行为”KURRI ProgressReport。