Establishment of nanocell fabrication on semiconductor surface utilizing self-organizational movement of point defects

利用点缺陷的自组织运动在半导体表面建立纳米电池制造

• 批准号: 22360268
• 负责人: TANIWAKI Masafumi
• 金额: $ 11.56万
• 依托单位: Kochi University of Technology
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
• 财政年份: 2010
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2010 至 2012
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-22360268/
• 关键词: 格子欠陥; 半導体; イオン照射; ボイド; ナノセル; 原子空孔; 格子間原子; ナノ構造; 半導体超微細化; 電子顕微鏡; 自己組織化; FIB; GaSb; InSb

In several semiconductors, nano-scale cellular structure is formed on their surfaces by ion irradiation. We aimed to establish the novel nano-fabrication technique utilizing this astonishing phenomenon and investigated nanocell fabrication for GaSb, InSb and Ge. The cell lattice with 100 nm cell interval on InSb surface develops regularly without secondary void formation by irradiation at room temperature, however, the regularity is insufficient at lower temperature. GaSb reveal the inverse results, that is, the secondary voids are created at room temperature and the cell lattice development is better at lower temperature. Furthermore filling in the cells is tried.

在几种半导体中，通过离子辐照在其表面上形成纳米尺度的蜂窝结构。我们的目标是建立新的纳米制造技术利用这一惊人的现象和研究的纳米单元制造的GaSb，InSb和Ge。室温下辐照InSb表面，晶胞间距为100 nm的晶胞有序生长，无二次空洞形成，但低温辐照时，这种有序性不够。而GaSb的结果正好相反，即在室温下产生二次空洞，在较低温度下晶胞发展较好。此外，尝试填充细胞。

项目成果

Secondary defects induced by ion and electron irradiation of GaSb

• DOI: 10.1080/09500839.2011.552445
• 发表时间: 2011-01
• 期刊: Philosophical Magazine Letters
• 影响因子: 1.2
• 作者: N. Nitta;E. Taguchi;H. Yasuda;H. Mori;Y. Hayashi;T. Yoshiie;M. Taniwaki

Photoluminescence mechanisms of an Al0.5Ga0.5As/GaAs multiple quantum well in the temperature range from 5 K to 296 K

Al0.5Ga0.5As/GaAs多量子阱在5 K至296 K温度范围内的光致发光机制

• 发表时间: 2011
• 作者: Giang T. Dang;Hiroshi Kanbe and Masafumi Taniwaki
• 通讯作者: Hiroshi Kanbe and Masafumi Taniwaki

低エネルギー電子照射によるナノ結晶形成の照射温度依存性

低能电子辐照纳米晶体形成的辐照温度依赖性

• 发表时间: 2012
• 作者: 福永智之;平田好洋;松永直樹;鮫島宗一郎;内藤公喜;新田 紀子 西内 大貴 谷脇 雅文 八田 章光 保田 英洋
• 通讯作者: 新田 紀子 西内 大貴 谷脇 雅文 八田 章光 保田 英洋

Characterization of hydrothermal bulk ZnO implanted at room temperature with 60 keV Sn+ ions

室温下用 60 keV Sn 离子注入水热块状 ZnO 的表征

• 发表时间: 2011
• 作者: Giang T. Dang;T. Kawaharamura;N. Nitta;T. Hirao;T. Yoshiie and M. Taniwaki
• 通讯作者: T. Yoshiie and M. Taniwaki

集束イオンビーム法によるInSb表面微細構造作製条件の検討

采用聚焦离子束法检查 InSb 表面微观结构制造条件

• 发表时间: 2010
• 作者: 石川修;横山和弘;高橋和之;谷脇雅文
• 通讯作者: 谷脇雅文