直接遷移型多色発光材料の研究
直接遷移型多色発光材料の研究
批准号:
12875062
负责人:
藤田 静雄
金额:
$1.02万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Exploratory Research
财政年份:
2000
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2000 至 --
中文摘要
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英文摘要
本研究は、サイズ、組成が変化した量子ドットを作製し、そこに局在した励起子の発光を利用して、直接遷移による多色発光を実現し、新機能光デバイスへの萌芽を図ることを目的に行った。結果を以下に示す。1.GaAs基板上にZnSを成長し、その上にCdSeを成長することで、14%という大きな格子定数差に基く多様な量子ドットが作製できた。ホトルミネセンス測定に上り量了閉じ込め効果によるブロードな発光を観察し、異なる量子ドットからの発光の重なりであるという原理を実証したが、ZnSの平坦性が現状では不十分なことが今後の課題として残された。2.ZnO上にZnCdOを成長すると、特定の成長条件のもとで、強い相分離の効果によってnmレベルでの組成揺らぎが生じることがわかった。Cdリッチ領域の組成はほぼCdOに近く、強い局在中心として働くことが示された。3.上記のような試料からは、ブロードで強い青色のホトルミネセンスが得られた。詳細な光物性評価や発光ダイナミクスの測定から、発光の起源は異なるエネルギー準位への励起子の局在が空間的に並列して生じたためであることが明らかになった。以上、エネルギーの異なる量子準位に起因した発光の重ね合わせが観測できたものと考えられ、本研究で目的とした多色発光の原理が強く示唆された。今後、量子準位の制御法の確立とその高品質化を行うことで、高効率、新機能光デバイスへの研究が展開しうる見通しが得られた。
期刊论文(1)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
K.Sakurai,T.Kubo,S.Fujita 他: "Blue Photoluminescence from ZnCdO Films Grown by Molecular Beam Epitaxy"Japanese Journal of Applied Physics. 39(11B). L1146-L1148 (2000)
K. Sakurai、T. Kubo、S. Fujita 等人:“分子束外延生长的 ZnCdO 薄膜的蓝色光致发光”,日本应用物理学杂志 39(11B) (2000)。
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
有機薄膜のミスト成膜法の開発
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批准号:19656192
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项目类别:Grant-in-Aid for Exploratory Research
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资助金额:$1.92万
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财政年份:2007
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负责人:藤田 静雄
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依托单位:
酸化亜鉛系半導体のナノ構造制御による新物性の創製
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批准号:05F05329
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项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额:$1.86万
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财政年份:2005
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负责人:藤田 静雄
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依托单位:
半導体/強磁性体薄膜多層構造による励起子磁気光学効果の創出
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批准号:11875005
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项目类别:Grant-in-Aid for Exploratory Research
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资助金额:$1.09万
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财政年份:1999
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负责人:藤田 静雄
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依托单位:
準格子整合系異族半導体新ヘテロ構造の物性とデバイス応用に関する研究
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批准号:05805029
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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资助金额:$1.28万
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财政年份:1993
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负责人:藤田 静雄
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依托单位:
イオン性の異なる準格子整合系半導体多層構造・ヘテロ界面の物性に関する研究
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批准号:04805030
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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资助金额:$1.15万
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财政年份:1992
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负责人:藤田 静雄
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依托单位:
表面光触媒反応による半導体薄膜成長に関する基礎研究
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批准号:03239204
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.86万
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财政年份:1991
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负责人:藤田 静雄
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依托单位:
III-V/II-VI族半導体薄膜多層構造の作製と新機能性創出に関する研究
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批准号:03855057
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.7万
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财政年份:1991
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负责人:藤田 静雄
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依托单位:
III-V/II-VI族半導体薄膜多層構造の作製と新機能性創出に関する研究
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批准号:02855069
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.51万
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财政年份:1990
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负责人:藤田 静雄
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依托单位:
表面光触媒反応による半導体薄膜成長に関する基礎研究
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批准号:02253208
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.73万
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财政年份:1990
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负责人:藤田 静雄
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依托单位:
光制御による半導体変調構造の作製とその物性に関する研究
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批准号:01750018
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.64万
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财政年份:1989
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负责人:藤田 静雄
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依托单位:
(II,II)VI族ワイドギャップ混晶半導体の組成制御に関する研究
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批准号:63750018
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.45万
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财政年份:1988
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负责人:藤田 静雄
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依托单位:
非晶質シリコン窒化膜の原子的構造評価に関する研究
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批准号:62750261
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.58万
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财政年份:1987
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负责人:藤田 静雄
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依托单位:
低水素化シリコン窒化膜の応用によるMOSトランジスタ特性安定化に関する研究
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批准号:61750277
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.58万
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财政年份:1986
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负责人:藤田 静雄
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依托单位:
低水素化シリコン窒化膜の作製と高品質 MOS トランジスタへの応用に関する研究
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批准号:60750274
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.58万
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财政年份:1985
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负责人:藤田 静雄
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依托单位:
III-V族半導体表面の直接窒化と MISFET への応用に関する研究
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批准号:59750015
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.64万
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财政年份:1984
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负责人:藤田 静雄
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依托单位:
III‐V族半導体表面の直接窒化とMISFETへの応用に関する研究
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批准号:58750012
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.62万
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财政年份:1983
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负责人:藤田 静雄
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依托单位:
海外基金