Carbom free MOMBE growth by comlete cracking of the metal organic precarsores.

通过金属有机前体的完全裂解实现无碳 MOMBE 生长。

基本信息

  • 批准号:
    02452144
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 2.05万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for General Scientific Research (B)
  • 财政年份:
    1990
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    1990 至 1991
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

The aim of this work is to achieve a carbon free MOMBE growth by removing the carbon from methyl radical the metalorganic precursors, such as TMG.The first trial was complete cracking of the methane (CH_4), but it was found that it is difficult, e13EA\ : specially in vacuum, because that the sticking probability of methane on the heater is too small. Next trial was a reverse way : removal of methyl radical from metal organic as methane using atomic hydrogen produced by a heated tungsten (W) filament13EA\ : . It seemed to be possible because TMG (Trimethy gallium) was seemed to be cracked to gallium gydride (gallan) and methane, when a small amount of TMG was passed through a heated tungsten filament of about 2000゚C.However, when the amount of TMG was13EA\ : increased one order of magnitude in order to grow GaAs, it was found that the W filament was broken due to a reaction with the cracked gallium.Finally, it was confirmed that the best way is to use a new precursor, dimethyl amine gallan (GaH_3-NH(CH_3)_2--DMAG), which has no direct bond between Ga and C.the carbon concentration was reduced by about 5 orders of magnitudes : from 10^<20> c13EA\ : m^<-3> for the film grown with TMG to 1,2x10^<15> cm^<-3> for the film grown by DMAG at 550C.The carbon reduction was also confirmed by photoluminescence. The DMAG was stable for about 2 months as far as it was kept at about -10゚C.
本工作的目的是通过金属有机前驱体(如TMG)去除甲基自由基中的碳来实现无碳MOMBE生长,第一次尝试是完全裂解甲烷(CH_4),但发现这是困难的,特别是在真空中,因为甲烷在加热器上的粘附概率太小。下一个试验是相反的方式:使用由加热的钨(W)催化剂13 EA产生的原子氢从金属有机物如甲烷中去除甲基自由基。这似乎是可能的,因为TMG当少量TMG通过约2000 ℃的加热钨丝时,TMG(三甲基镓)似乎裂解成氢化镓(镓烷)和甲烷。增加一个数量级以生长GaAs,发现W丝由于与破裂的镓反应而断裂。最后,结果表明,采用一种新的Ga和C之间没有直接键合的前驱体--二甲胺镓酸盐(GaH_3-NH(CH_3)_2--DMAG),可以使碳浓度降低5个数量级,从TMG生长的10 × 10 ~<20>(13)EAl:m ~ 2降低<-3>到<15><-3>550 ℃下DMAG生长的1.2 × 10 ~(13)EAl:m ~ 2,光致发光也证实了碳的减少。DMAG保持在约-10 ° C时稳定约2个月。

项目成果

期刊论文数量(9)
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科研奖励数量(0)
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专利数量(0)
R.Kobayashi,K.Fujii and F.Hasegawa: "Etiching of GaAs and AlGaAs by H^* Radical Produced by a Tungsten Filament." 1991(18th)Int.symp.GaAs and Related Compounds.(Inst.of Phys.,Conf.Ser.No120,Bristol,1992). 120. 43-48 (1992)
R.Kobayashi、K.Fujii 和 F.Hasekawa:“通过钨丝产生的 H^* 自由基蚀刻 GaAs 和 AlGaAs”。
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
R.Kobayashi, K.Fujii and F.Hasegawa: "Etching of GaAs and AlGaAs by H^<**> radical produced with a tungsten" Inst.Phys.Conf.Ser.No.120 Proc.of GaAs and Related Compounds, Seattle. No.120. 43-48 (1992)
R.Kobayashi、K.Fujii 和 F.Hasekawa:“用钨产生的 H^<**> 自由基蚀刻 GaAs 和 AlGaAs”Inst.Phys.Conf.Ser.No.120 Proc.of GaAs 和相关化合物,
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
K.Ishikura, K.Hayashi T.Ogawa and F.Hasegawa: "Low carbon doped MOMBE using Dimethyl-Amine-Gallan" To be submitted to Japan. J.Appl.Phys.(1993)
K.Ishikura、K.Hayashi T.Okawa 和 F.Hasekawa:“使用二甲胺-加仑的低碳掺杂 MOMBE” 提交给日本。
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  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
K.Ishikura,K.Hayashi T.Ogawa and F.Hasegawa: "Low carbon doped MOMBE using Dimethyl-Amine-Gallan" Tobe submitted to Japan.J.Appl.Phys.(1993)
K.Ishikura、K.Hayashi T.Okawa 和 F.Hasekawa:“使用二甲胺-加仑的低碳掺杂 MOMBE”Tobe 提交给 Japan.J.Appl.Phys.(1993)
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  • 作者:
  • 通讯作者:
R.kobayashi,K.Fujii and F.Hasegawa: "Etching of GaAs by Atomic Hydrogen Generated by a Tungsten Filament" Japan.J.Appl.Phys.30. L1447-L1449 (1991)
R.kobayashi、K.Fujii 和 F.Hasekawa:“通过钨丝产生的原子氢蚀刻 GaAs”Japan.J.Appl.Phys.30。
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