金属内包ゲルマニウムクラスターの合成およびその電子状態の研究

金属封装锗团簇的合成及其电子态研究

• 批准号: 07804019
• 负责人: 横道 治男
• 金额: $ 1.28万
• 依托单位: Toyama Prefectural University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
• 财政年份: 1995
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 1995 至 无数据
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-07804019/
• 关键词: 金属内包ゲルマニウムクラスター; 電子スピン共鳴; 欠陥

金属内包ゲルマニウムクラスターとして、本研究では、NaおよびBaを内包するゲルマニウムクラスター(クラスレート)の合成を試みた。これは、NaおよびBaを内包するシリコンクラスター(クラスレート)が超伝導転移を示すことにより、これらの原子を内包するゲルマニウムクラスレートにおいても超伝導転移を示す可能性があると考えたためである。合成された試料に対して、電子スピン共鳴(ESR)の測定を行うことにより、その電子状態の考察を行った。試料の合成は、NaGeおよびBaGe_2の作成を行うことから行った。NaGeおよびBaGe_2の作成は、それそれ、NaN_3およびGeパウダーをモル比で1:1、Ba塊およびGeパウダーをモル比で1:2の割合で混ぜ合わせたものを、10^<-5>Torrの真空中でそれぞれ600℃、3時間、600℃、6時間のアニールを行うことにより行った。得られたNaGeおよびBaGe_2をモル比で1:1の割合で混合し、同様の真空中で650℃、3時間のアニールを行った。この操作の後、過剰の金属を除去するために、0.1モル/1のNaOH溶液に、40分間、さらに純水に10時間浸し、大気中で乾燥させ試料の合成を行った。得られた試料に対して、ESRの測定を行った結果、g値および線幅がそれぞれ2.0024および3ガウスの非対象な、室温から123Kの温度領域では温度に依存しないスペクトルを得た。また、低温(123Kから173K)では、線幅の広い新たなESR信号が観測された。さらに、室温において、ゲルマニウムのダングリングボンドによると思われる信号もわずかながら観測された。以上のことから、篭が一部破壊された不完全なものではあるが、NaおよびBaを内包するゲルマニウムクラスレートの合成がある程度はなされているということが示唆される。今後は更なる合成法の改善をはかる必要性があると考えられる。

In this study, the synthesis of metal inclusions, Na and Ba inclusions, was studied. This is the first time that a nuclear power plant has been constructed. Determination of electron resonance (ESR) of the synthesized sample The synthesis of samples, NaGe and BaGe_2, was carried out. NaGe and BaGe_2 are prepared in a ratio of 1:1 for NaN_3 and Ge, and 1:2 for Ba and Ge. The mixture is prepared in vacuum at <-5>600℃ for 3 hours at 600 ℃ for 6 hours at 10 Torr. The ratio of NaGe to BaGe_2 is 1:1, and the mixture is mixed in vacuum at 650℃ for 3 hours. After this operation, the metal in the sample was removed for 10 minutes, 0.1 minutes/1 NaOH solution, 40 minutes, 10 minutes immersion in purified water, and drying in high temperature. The results of ESR measurement are as follows: g value and amplitude are from 2.0024 to 3.00 K, temperature range from room temperature to 123K, temperature dependence is from room temperature to room temperature. Low temperature (123K to 173K), low temperature (123 K to 173 K The temperature of the room is low, and the temperature of the room is low. As mentioned above, the degree to which Na and Ba are included in the synthesis of complex components is not complete. In the future, it is necessary to improve the synthesis method.