金属酸化物半導体へのアニオンド-ピング
金属氧化物半导体的阴离子掺杂
基本信息
- 批准号:07750755
- 负责人:
- 金额:$ 0.58万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
- 财政年份:1995
- 资助国家:日本
- 起止时间:1995 至 无数据
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
金属酸化物は一般に高温大気中でも安定で、導電性の高い物質も少なくないが、キャリア移動度が小さい場合が多く、熱電材料などへの応用はほとんど検討されていない。半導体のキャリア移動度はそのバンド構造に支配され、特に金属酸化物の場合には価電子帯はほとんどO^2-イオンの2p軌道から構成される。そこで、熱電材料として有望と考えられる導電性酸化物へのアニオンド-ピングを試み、伝導機構と熱電特性を検討した。CaMnO_3のCaサイトを種々の金属イオンで部分置換したところ、特にBiで置換した場合に導電率が著しく向上することを見出した。導電率の温度依存性は小ポーラロンのホッピング伝導であることを示しており、置換元素のイオン半径と導電率の間に良い直線関係が成り立つことから、ホッピングのサイト間距離の増大により移動度が向上したものと考えられた。そこで、CaMnO_3のOサイトへのF^-イオンのド-ピングを検討した。CaとMnの炭酸塩およびCaF_2から調整したCa_<1-X>MnO_3・xCaF_2は無ドープ試料に比べて導電率が大きく向上した。x=0.10以上では未反応のCaF_2相の存在が認められ、固溶限界を超えていると思われるが、x=0.02および0.05では導電率の増加とSeebeck係数の減少からド-ピングによるキャリア濃度の増大が示唆された。Hall効果測定装置を作製して室温でのHall係数を測定したところ、無ドープ試料のキャリア濃度1.8×10^<18>cm^<-3>、Hall移動度3.9cm^2/Vsに対してそれぞれ5.8×10^<18>cm^<-3>、9.5cm^2/Vsといずれも大きくなっており、移動度もかなり増大していることがわかった。熱電材料の電気的な性能を示す出力因子は、700°C以下では5mol%のF^-をドープした試料が全てのCaMnO_3系試料のうちで最も大きくなった。また、AlをドープしたZnOは極めて優れた熱電性能を示すことを見出したので、現在S^<2->イオンのド-ピングを検討中である。
Metal acids are generally stable at high temperatures and temperatures, highly conductive substances with low mobility, and thermoelectric materials with low mobility. The mobility of semiconductors is dominated by the structure of semiconductors, especially in the case of metal oxides, and the structure of electron orbitals is dominated by the structure of 2p orbitals. The thermoelectric materials are expected to be tested for their conductivity, conductivity and thermoelectric properties. CaMnO_3 is a kind of metal with high conductivity. The temperature dependence of electrical conductivity is small, and the radius of the substitutional element and the electrical conductivity have a good linear relationship. A study on the structure of CaMnO_3 and CaMnO_3 was carried out. Ca_<1-X>MnO_3·xCaF_2 has a higher conductivity than that of the sample. x=0.10 or more, the existence of CaF_2 phase without inversion is recognized, the limit of solid solution is exceeded, x=0.02 or 0.05, the increase of conductivity and the decrease of Seebeck coefficient are indicated. Hall effect measurement device was set up to measure Hall coefficient at room temperature. The concentration of Hall sample was 1.8×10^<18>cm^<-3>. The Hall mobility was 3.9 cm^2/Vs. The corresponding values were 5.8×10^<18>cm^<-3>and 9.5 cm^2/Vs. The mobility was increased. The electrical properties of thermoelectric materials show that the output factor is 5mol % below 700°C. The maximum output factor of all CaMnO_3-based samples is 5mol %. The thermoelectric properties of Al, ZnO and ZnO are shown in this paper<2->.
项目成果
期刊论文数量(3)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Michitaka Ohtaki: "Thermoelectric Performance of ZnO-based Mixed Oxides as a Promising High-Temperature Material" Proceedings of the 14th International Conference on Thermoelectrics. 245-248 (1995)
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Michitaka Ohtaki: "High-temperature Thermoelectric Properties of (Zn_<1-X>Al_X)O21GC03:Journal of Applied Physics" 79. 1816-1818 (1996)
Michitaka Ohtaki:“(Zn_<1-X>Al_X)O21GC03的高温热电性能:应用物理杂志”79. 1816-1818 (1996)
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Michitaka Ohtaki: "Electrical Transport Properies and High-Temperature Thermoelectric Performance of (Ca_<0.9>M_<0.1>)MnO_3(M=Y,La,Ce,Sm,In,Sn,Sb,Pd,Bi)21GC01:Journal of Solid State Chemistry" 120. 105-111 (1995)
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