銅I-II混合原子価金属錯体を用いたスイッチング素子の創製

使用铜 I-II 混合价金属络合物创建开关元件

基本信息

项目摘要

本研究では今年度「銅I-II混合原子価金属錯体を用いたスィッチング素子の創成」に向けて主に混合原子価状態を有する新規金属錯体集積体の合成を行って来た。この様な金属錯体は外場によって金属イオン間で電子移動が起こる可能性があり(IVCT)、金属イオン間のエネルギーレベルと配位子のエネルギーレベルを十分考慮して合成を行えば、電子変位型の強誘電性材料が合成できる可能性があるのではないかと考えている。このような観点から銅の混合原子価錯体を合成したところ今年度は多くの化合物を得ることができた。特に、ジチオカルバミン酸二核錯体にアクセプター性分子として有名なTCNQを混ぜ合わせたところ、銅二核錯体2分子に対して、TCNQ1分子を含んだ新規電荷移動錯体を得ることができた。この系においてはTCNQは形式的には中性状態であったが、IRスペクトルを測定したところ、-0.2電子の電荷移動が確認された。また、二次元構造を有する金属錯体[Cu^<II>(dtc)_2Cu^I_4Cl_3][Cu^<II>(dtc)_2]_2(Fe^<III>Cl_4)}_nに関しては強誘電性を発現する事が明らかになった。この錯体は基本的には5核銅ユニットをCu^<II>(dtc)_2が架橋した二次元シート構造をとっている。この、5核銅ユニットにおいては中心ハロゲンイオンが電場に応答し移動することによって強誘電性が発現することが確かめられた。非誘電率の温度依存性を測定した所、200K以上で非誘電率の増大が観測された。更に高温になると誘電率は極端に増大し始めるが、このときは化合物の分解を伴っていることが明らかになった。また、強誘電テスタを利用して分極Pの電圧E依存性を測定した所、室温付近で明らかなヒステリシスが観測できた。
This study is aimed at the synthesis of copper I-II mixed-atom metal complex aggregates. The possibility of electron movement between metal and metal complexes in the external field is considered. The possibility of electron movement between metal and metal complexes in the external field is considered. This year, the number of compounds obtained is 1,000. In particular, TCNQ is a new charge transfer molecule, and TCNQ is a new charge transfer molecule. This is the case with TCNQ, which is the neutral state, IR, and-0.2 electron charge transfer. The existence of metallic complexes [Cu^<II>(dtc)_2Cu^I_4Cl_3][Cu^<II>(dtc)_2]_2(Fe^<III>Cl_4)}_n is related to the occurrence of strong inductivity. This is the basic structure of the 5-core Cu^<II>(dtc)_2 bridge. 5. In the case of nuclear power plants, the electric field is shifted to the center, and the electric field is shifted to the center Temperature dependence of dielectric constant is measured. The increase of dielectric constant above 200K is measured. In addition, the induction rate increases at high temperatures, and the decomposition of compounds increases at high temperatures. For example, the temperature of the sample is determined by the temperature of the sample.

项目成果

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T.-S.Kim, T.Okubo, T.Mitani: "Synthesis, Polymorphs and Luminescent Properties of Oligomeric Zn3ppo6:[ppo=2-(2-hydroxy phenyl)-5-phenyl-l,3-oxazole]"Chem.Mater.. 15. 4949-4955 (2003)
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S.Takaishi, Y.Tobu, H.Kitagawa, A.Goto, T.Shimizu, T.Okubo, T.Mitani, T.Ikeda: "The NQR Observation of Spin-Peierls Transition in an Antiferromangetic MX-Chain Complex [NiBr(chxn)_2]Br_2"J.Am.Chem.Soc.. 126. 1614-1615 (2004)
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  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ patent.updateTime }}

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{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
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    {{ item.doi }}
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    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
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    {{ item.author }}

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{{ showInfoDetail.title }}

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