In-situ光化学プロセスによるIII-V化合物半導体表面の安定化に関する研究

原位光化学过程稳定III-V族化合物半导体表面的研究

• 批准号: 63460057
• 负责人: 白藤 純嗣
• 金额: $ 4.1万
• 依托单位: Osaka University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for General Scientific Research (B)
• 财政年份: 1988
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 1988 至 1989
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-63460057/
• 关键词: III-V化合物半導体; 光励起プロセス; エキシマレ-ザ; 水素化; ショットキ-接合; 表面改質; EL2; IIIーV化合物; 水素パシベーション; ショットキー障壁接合; MISダイオード

ArFエキシマレ-ザを用いてフォスフィンを分解する光励起プロセスによりInP表面に処理を施し、フォトルミネッセンス及びショットキ-接合特性の測定によりInP表面の評価を行った。又、フォスフィンプラズマ処理によりリン化したGaAsについてショットキ-接合特性の測定、ICTS測定を行い、表面改質効果を調べ、次の成果を得た。1.フォスフィンプラズマを用いてInP表面からのリンの解離を抑えてInPの水素化を行い、浅いアクセプタ-不純物が水素によってパシベ-ションされ、一方、ドナ-不純物はパシベ-ションされないことを示した。2.エキシマレ-ザでフォスフィンを分解する光励起プロセスによりInP表面が水素化され、Znアクセプタ-がパシベ-ションされることをプラズマによる水素化の結果と対比させて明らかにした。3.フォスフィンをエキシマレ-ザで分解する光励起プロセスにより処理したInP表面上にショットキ-接合を形成することにより障壁の高さが0.7eV程度まで増加する。このことは光励起プロセスによりリン薄膜の堆積がおこり、トンネル型MIS構造が形成されたことを示唆している。4.フォスフィンプラズマ処理を行ったGaAsのショットキ-接合の障壁高さがショットキ-金属の仕事関数に依存して変化する。このことはリン化によって表面欠陥が減少していることを示唆している。5.水素プラズマ処理されたGaAs表面でEL2は生成されアニ-ル処理によってその濃度は増加するが、フォスフィンプラズマ処理においては濃度の増加は極めて低い。

The measurement of InP surface properties by optical excitation In addition, the measurement of GaAs bonding characteristics, ICTS measurement, surface modification effect adjustment and secondary results were obtained. 1. InP surface dissociation is inhibited by InP hydration. InP surface dissociation is inhibited by InP hydration. InP surface dissociation is inhibited by InP hydration. InP surface dissociation is inhibited by InP hydration. 2. InP surface hydration, Zn surface hydration and surface hydration 3. The height of the barrier wall increased to 0.7eV on the surface of InP. This is the first time that the film has been deposited on the surface of the substrate. 4. The barrier height of GaAs junction depends on the number of GaAs junction elements. This is the first time I've ever seen a person who's been in a bad mood. 5. The concentration of EL2 on GaAs surface increased and the concentration of EL2 on GaAs surface decreased.

项目成果

T.Sugino;T.Yamada;J.Shirafuji: Proc.Int.Conf.Science ＆ Technology of Defect Control in Semiconductors(Yokohama,Sept.,1989). (1989)

T.Sugino；T.Yamada；J.Shirafuji：Proc.Int.Conf.半导体缺陷控制科学与技术（横滨，1989 年 9 月）（1989 年）。

T.Sugino,A.Boonyasirikool and J.Shirafuji: "Hydrogenation of InP Surface by phosphorus-added hydrogen plasma" Proc.1st Int.Conf.Inp and Related Materials for Advanced Electronics and Optical Devices(Oklahoma,USA,March,1989). 224-232 (1989)

T.Sugino、A.Boonyasirikool 和 J.Shirafuji：“通过添加磷的氢等离子体氢化 InP 表面”Proc.1st Int.Conf.Inp 和先进电子和光学器件的相关材料（美国俄克拉荷马州，1989 年 3 月）

T.Sugino;A.Boonyasirikool;J.Shirafuji: Proc.Int.Conf.Science ＆ Technology of Devect Control in Semiconductors(Yokohama,Sept.,1989). (1989)

T.Sugino；A.Boonyasirikool；J.Shirafuji：Proc.Int.Conf.半导体缺陷控制科学与技术（横滨，1989 年 9 月）（1989 年）。

T.Sugino,T.Yamada and J.Shirafuji: "Defect passivation of GaAs surface by phosphidization" Proc.Int.Conf.Science & Technology of Defect Control in Semiconductors(Yokohama,Sept.,1989). (1990)

T.Sugino、T.Yamada 和 J.Shirafuji：“磷化处理 GaAs 表面的缺陷钝化”Proc.Int.Conf.Science

T.Sugino;A.Boonyasirikool;J.Shirafuji: Electronics Lettwes. (1989)

T.Sugino；A.Boonyasirikool；J.Shirafuji：电子通讯。