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混晶半導体の電子輸送・再結合とその制御に関する研究

混晶半导体电子输运/复合及其控制研究

基本信息

批准号：
60122007
负责人：
白藤純嗣
金额：
$ 3.07万
依托单位：
Osaka University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Special Project Research
财政年份：
1985
资助国家：
日本
起止时间：
1985 至无数据
项目状态：
已结题

来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-60122007/
关键词：
AlGaAs-GaAsヘテロ接合光伝導再結合機構

项目摘要

1. 変調ドープしたAlx【Ga_(1-x)】As-GaAsヘテロ構造素子ではDX中心によると考えられている持続光伝導が低温(100K以下)において通常観測され、HEMTなどヘテロ界面を利用したデバイスの信頼性を低くする原因となっている。持続光伝導およびそれに伴う過渡光伝導の機構を明らかにするため、これらの光伝導特性の励起スペクトルおよび温度依存性を調べた結果、次のことが明らかになった。(1)4.2Kでの持続光伝導励起スペクトルには0.8eVおよび1.5eVの2つの励起ステージがある。この特性は変調ドープAlGaAs-GaAsヘテロ接合のみならずGaAsホモ接合においても観測され、ヘテロ接合界面GaAs側の内部電界による電子-正孔対の空間分離が支配的な役割を演じている。(2)持続光伝導を生じるような光励起を行なうと、消光後非指数関数的なゆっくりした減衰を示す過渡光電導が現われる。指定した時間内で初期値の1/2に減衰する時間として定義した実効的減衰時定数の温度依存性を測定したところ、それは励起光エネルギーが約1.0eV(0.8eVステージのみ励起)と1.52eV(1.5eVステージを主に励起)とで異なることが分った。それぞれ半絶縁性基板中のCrアクセプタへの活性化再結合、GaAsバッファ層中に捕獲された正孔とのトンネルアシステドあるいは活性化形の再結合が過渡光伝導の主たる機構と考えられる。以上、(1)、(2)の結果はヘテロ接合デバイスの作製にあたっては基板材料やドーピングレベルについても配慮が必要であることを示唆する。 2. エキシマレーザを光源とするジシラン(【Si_2】【H_6】)・アンモニア(【NH_3】)混合ガスの光分解によるCVDを試み、Si基板上への堆積を確認した。次段階として【In_(0.53)】【Ga_(0.47)】As3元混晶基板上に堆積し、MISダイオード特性を調べる計画である。

1. Alx [Ga_(1-x)] As-GaAs crystal structure element DX center, the reason why the optical conductivity is low at low temperature (below 100K), the reason why the optical conductivity is low, and the reason why the HEMT crystal interface is used. The light conduction mechanism of the transition light conduction is characterized by the excitation and temperature dependence of the light conduction characteristics. (1) At 4.2K, the continuous light conduction excitation starts at 0.8eV and 1.5eV. The characteristics of this method vary from AlGaAs-GaAs junction to GaAs junction, and from the electron-positive hole pair to the spatial separation of the GaAs junction. (2)The transition photoconductivity is shown by the non-exponential decay after extinction. 1/2 of the decay time in the initial period of time is specified, and the temperature dependence of the decay time is determined. The excitation light generation is about 1.0eV(0.8eV), and the excitation light generation is about 1.52eV(1.5eV). The activation recombination of Cr atoms in semi-insulating substrates, the capture of positive holes in GaAs layers, the activation recombination of Cr atoms in semi-insulating substrates, and the mechanism of transition photoconduction are discussed. The results of the above (1) and (2) indicate that the substrate material and the substrate composition are necessary for the manufacture of the bonding agent. 2. The light source of Si (Si_2) and Si (NH_3) was used to determine the deposition of Si on Si substrate. The next step is [In_(0.53)][Ga_(0.47)] As3-element mixed crystal substrate.