量子細線構造をもつ超伝導/常伝導/超伝導系の電気輸送機構の研究
量子細線構造をもつ超伝導/常伝導/超伝導系の電気輸送機構の研究
批准号:
05805006
负责人:
濱崎 勝義
金额:
$1.22万
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
财政年份:
1993
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
1993 至 --
中文摘要
本研究は、量子細線構造をもつ超伝導/常伝導/超伝導系の電気輸送機構およびその電圧ノイズ特性について調べた。作成した素子は、長さ〜7nm、径(〕 SY.ltoreq. 〔)10nm程度の寸法を持つ量子細線が、超伝導体であるNbとNbNの電極間に形成されたものである。この種の金属量子細線構造を作成し、その超伝導特性(電流輸送機構)や低周波1/fノイズ特性等を調べたのは、本研究が始めてである。このデバイスの電流-電圧特性は、バリスティックな量子ポイントコンタクトの理論と極めて良く一致したが、このような定量的解析がこの種の薄膜デバイスでできたのは、本研究が最初である。また、その電圧ノイズ特性(特に低周波1/fノイズ特性)の研究では、これまでに知られていなかった新しい実験データを多く得、今後の金属量子細線構造の超伝導デバイスの発展に有用と期待される。これらの結果は、2編のApplied Physics letters誌と1編のIEEE Trans.Appl.Super誌に掲載され、よい評価を得ている。現在、1編がAppl.Phys.letters誌にJpn.J.Appl.Phys.誌に1編が受理されている。また、本年2月の電子情報通信学会技術研究で発表し、応用物理学会では、1993年中に5件発表、1994年春期応物で2件発表予定である。
英文摘要
本研究は、量子細線構造をもつ超伝導/常伝導/超伝導系の電気輸送機構およびその電圧ノイズ特性について調べた。作成した素子は、長さ〜7nm、径(〕 SY.ltoreq. 〔)10nm程度の寸法を持つ量子細線が、超伝導体であるNbとNbNの電極間に形成されたものである。この種の金属量子細線構造を作成し、その超伝導特性(電流輸送機構)や低周波1/fノイズ特性等を調べたのは、本研究が始めてである。このデバイスの電流-電圧特性は、バリスティックな量子ポイントコンタクトの理論と極めて良く一致したが、このような定量的解析がこの種の薄膜デバイスでできたのは、本研究が最初である。また、その電圧ノイズ特性(特に低周波1/fノイズ特性)の研究では、これまでに知られていなかった新しい実験データを多く得、今後の金属量子細線構造の超伝導デバイスの発展に有用と期待される。これらの結果は、2編のApplied Physics letters誌と1編のIEEE Trans.Appl.Super誌に掲載され、よい評価を得ている。現在、1編がAppl.Phys.letters誌にJpn.J.Appl.Phys.誌に1編が受理されている。また、本年2月の電子情報通信学会技術研究で発表し、応用物理学会では、1993年中に5件発表、1994年春期応物で2件発表予定である。
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K.Hamasaki,H.Abe: "Andreev reflection current in clear and one-dimensional Nb short weaklinks" IEEE Transactions on Applied Superconductivity. 3. 2215-2218 (1993)
K.Hamasaki、H.Abe:“清晰的一维 Nb 短弱连接中的 Andreev 反射电流”IEEE 应用超导汇刊。
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
H.Abe,K.Hamasaki,Y.Ikeno: "Fabrication of thin film Nb-(fine Nb wires)-NbN weak links for superconducting quantum interference device applications" Applied Physics Letters. 61. 1131-1133 (1992)
H.Abe、K.Hamasaki、Y.Ikeno:“用于超导量子干涉装置应用的薄膜 Nb-(细铌线)-NbN 薄弱环节的制造”《应用物理快报》。
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
T.Ishiguro,K.Matsushima,K.Hamasaki: "Sectional structures and electrical properties of ultrathin NbN/MgO bilayers on Si(100)" Journal of Applied Physics. 73. 1151-1153 (1993)
T.Ishiguro、K.Matsushima、K.Hamasaki:“Si(100) 上超薄 NbN/MgO 双层的截面结构和电性能”应用物理学杂志。
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
M.Hatle,T.Kondo,K.Hamasaki: "Voltage noise properties of Nb-(fine Nb wires)-NbN thin film short weak links" Applied Physics Letters. 62. 2575-2577 (1993)
M.Hatle、T.Kondo、K.Hamasaki:“Nb-(细铌线)-NbN 薄膜短弱连接的电压噪声特性”应用物理快报。
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
生体磁気計測用多チャンネル型DCーSQUID磁束検出システムの研究
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批准号:03650341
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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资助金额:$1.22万
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财政年份:1991
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负责人:濱崎 勝義
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依托单位:
電界放出法によるNbNジョセフソン素子を用いたDC-SQUID磁束計の研究
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批准号:63750373
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.58万
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财政年份:1988
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负责人:濱崎 勝義
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依托单位:
複合化合物超伝導体に関する研究
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批准号:59750200
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.45万
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财政年份:1984
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负责人:濱崎 勝義
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依托单位:
海外基金