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斜入射・斜出射蛍光X線分析法による化学気相成長プロセスのその場測定

使用掠入射和掠发射 X 射线荧光光谱法对化学气相沉积过程进行原位测量

基本信息

批准号：
06650035
负责人：
辻幸一
金额：
$ 1.28万
依托单位：
Tohoku University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
财政年份：
1994
资助国家：
日本
起止时间：
1994 至无数据
项目状态：
已结题

项目摘要

平成6年度科学研究費(一般研究C)によりモノクロメーターの調整取り付け機具や放射温度計などを購入し、新たに斜入射・斜出射蛍光X線分析法を開発した。この方法では、1次X線の入射角と蛍光X線の出射角を独立して制御しながら蛍光X線の分光測定ができる。この装置を用いて以下のような成果を得た。1.高感度・表面敏感測定斜入射・斜出射蛍光X線分析では入射角と出射角の2つの角度を制御できる。これらの角度を全反射臨界角以下に設定すると、1次X線の侵入深さと蛍光X線の検出深さを極めて小さくすることができる。このことを理論計算と実験結果とから世界で初めて明らかとした。2.多層薄膜の非破壊-界面分析通常、表面から深いところの界面分析はAr^+スパッタにより表面に露呈しながら行われている。しかし、界面が乱されるので、非破壊的に界面分析を行うことが望ましい。そこで、斜入射・斜出射蛍光X線分析法によりNi/Mnの多層膜の測定・解析を行った。その結果、各層の膜厚や密度、界面における混合層の解析が可能であることが判った。3.Au/Si固相反応のその場測定Siウエハ-上の金属薄膜とSiとの固相(界面)反応は、半導体デバイスの高集積化に伴い特に注目されている。そこで、斜入射・斜出射蛍光X線分析装置の試料ステージにヒーターを取り付け、放射温度計で制御しながらAu/Si固相反応のその場非破壊測定を行った。その結果、300度で加熱すると表面にSi酸化物が形成されておりAu層はSi内部に拡散していることが確かめられた。

Pingcheng 6 Scientific Research Institute (General Research C) is responsible for the acquisition of equipment, radiation temperature measurement, input and X-ray analysis of oblique incidence and exit. X-ray method, X-ray incident angle, X-ray exit angle, independent control X-ray, X-ray spectrophotometry. The device uses the following tools to get results. 1. High sensitivity surface sensitivity measurement of oblique incidence and exit X-ray analysis, incidence angle, exit angle, angle of incidence, angle, angle. The temperature is set below the total reflection boundary angle, and the X-ray is used once to invade the deep reflection. the X-ray shows that the depth is low and the temperature is low. In the course of calculation, the results show that the world is beginning to understand the situation. two。 Multi-thin film non-destructive-interface analysis is usually, surface depth interface analysis Ar^ + thin film interface analysis, surface exposure. The interface is messy, the interface is not broken, and the interface analysis line is not broken. X-ray analysis method of oblique incidence and oblique incidence, X-ray analysis, Ni/Mn analysis, multi-film measurement and analysis. The results of the experiment, the density of each film thickness, and the analysis of the interface may affect the accuracy of the analysis. 3.Au/Si solid-state reaction field measurement of Si thin film, Si film, solid phase (interface), semi-solid phase, high concentration and high concentration. Oblique incidence, oblique exit, X-ray analysis device, equipment, X-ray, radiation temperature, radiation temperature, temperature and temperature. The results show that the surface of the Si is acidified to form an acid compound on the surface of the Si at 300 degrees Celsius. The Si is dispersed in the interior of the Si.