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蛍光X線強度の取り出し角分布測定による金属薄膜ならびに基板界面の非破壊分析

通过测量荧光X射线强度的提取角分布对金属薄膜和基底界面进行无损分析

基本信息

批准号：
05750021
负责人：
辻幸一
金额：
$ 0.58万
依托单位：
Tohoku University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
财政年份：
1993
资助国家：
日本
起止时间：
1993 至无数据
项目状态：
已结题

项目摘要

平成5年度科学研究費(一般研究A)によりマルチチャンネルアナライザーなどを購入し、金属薄膜から発せられる蛍光X線の取り出し角度分布測定を行った。また、実験と平行して薄膜内の電場強度分布を計算し、蛍光X線強度の取り出し角依存性について数値シュミレーションを行った。その結果、取り出し角度依存蛍光X線分析法(Take-off angle-dependent X-ray fluorescence spectrometry;TADXRF)は、次のような特徴を有することが明らかとなった。1.大気中で非破壊的に薄膜のキャラクタリゼーションが可能である。シュミレーション結果を実験結果にフィットさせることにより、薄膜の膜厚・密度・存在状態・ラフネスなどを求めることができる。2.解析可能な膜厚の範囲は0nmから数100nmであり、長周期的なラフネス(そり・うねり)は実験結果に大きく影響を与えるが、短周期のラフネス(微視的な凸凹)はあまり影響を与えないことが判った。3.蛍光X線強度の取り出し角度分析は、一次X線の試料基板への入射角度に大きく依存することが明らかとなった。よって、一次X線の入射角度と蛍光X線の取り出し角度の二つの角度を制御することにより、より厳密な薄膜の分析が可能であることが判った。4.一次X線の入射角度と蛍光X線の取り出し角度の二つの角度をいずれもX線全反射臨界角度以下に設定することにより、X線の進入深さ、観測深さを数nm以下に限定でき、極最表面の分析が可能である。

For the Heisei 5th Scientific Research Fund (General Research A), we purchased Calculation of electric field intensity distribution in parallel thin films and determination of angular dependence of X-ray intensity Results, Take-off angle-dependent X-ray fluorescence spectroscopy (TADXRF), and secondary characteristics are available. 1. In the middle of the day, the film is not broken, and the film is not broken. The film thickness, density, and state of existence of the film are determined by the results of the film production process. 2. Analysis of possible film thickness range from 0nm to 100nm, long period of film thickness range from 0 nm to 100nm, short period of film thickness range from 0 nm to 3. The intensity of X-rays depends on the angle of incidence of primary X-rays on the substrate. The angle of incidence of primary X-rays and the angle of incidence of secondary X-rays are controlled by the analysis of dense films. 4. The angle of incidence of primary X-ray and the angle of extraction of X-ray are set below the critical angle of total reflection of X-ray, the depth of X-ray entry is limited to a few nm, and the analysis of polar surface is possible.