CsIシンチレータ発光特性の静水圧依存性

CsI 闪烁体发射特性的静水压力依赖性

基本信息

  • 批准号:
    07640451
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 1.34万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
  • 财政年份:
    1995
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    1995 至 无数据
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

純粋なCsI結晶の室温における4.1eV発光帯は、放射線検出用のシンチレータとして広く利用されている。しかし、その特性は必ずしも理想的とは言えない。即ち、エネルギー変換効率は4〜6%と極めて小さく、発光時間幅も16nsと広い。本研究の目的はCsIシンチレータの改良と新しいシンチレータ開発の指針を明らかにすることであり、そのために(1)静水圧下でCsIシンチレータの特性、(2)CsI/RbI混晶の光学特性を測定した。(1)静水圧実験の結果:CsIではCs^+の6s電子とI-の5p正孔から成るオンセンター型とオフセンター型の自己束縛励起子による2種類の発光帯が共存し、4.1eV発光帯はオンセンター型自己束縛励起子による。そこで、結晶に静水圧を加え、オンセンター型自己束縛励起子を安定化させることにより、4.1eV発光帯強度の増加を図った。しかし、静水圧下ではCs^+の5d電子状態が最低エネルギー状態になるため、4.1eV発光帯は消失し、Cs^+の5d電子とI-の5p正孔から成るオンセンター型自己束縛励起子による新しい発光帯が出現することが分かった。この新発光帯の発光時間幅は200nsと広く、シンチレータの特性改良にはいたらなかったが、この測定を通してCsIシンチレーション機構を理解する上で非常に重要な知見を得た。(2)CsI/RbI混晶の光学特性:CsIにCs^+よりも半径の小さいRb^+を混ぜると格子間距離が小さくなる結果、オンセンター型自己束縛励起子が安定化すると予想してCsI/RbI混晶の光学測定を行った。本研究では2元蒸着法を用いて混晶作製に成功した。混晶発光の減衰時間および時間分解スペクトルから、Cs_<0.66>Rb_<0.33>Iで4.1eV発光帯が非常に強くなり予想した通りの結果を得たが、発光時間幅が16nsよりも狭くならず、なお今後に課題を残した。
纯CSI晶体在室温下的4.1 EV发射带被广泛用作辐射检测的闪烁体。但是,它的特征不一定是理想的。换句话说,能量转换效率极小,为4-6%,发射时间范围也宽,为16NS。这项研究的目的是阐明改善CSI闪烁体和开发新闪烁体的指南,为此,我们测量了(1)(1)在静水压力下CSI闪烁体的特性以及(2)CSI/RBI混合晶体的光学特性。 (1)液压压力实验的结果:在CSI中,由I-Co-Holes的6s电子组成的两种类型的发光谱带与中心和中心自我结合的激子共存,以及4.1EV发光频带由中心自我结合的兴奋节引起。因此,将静水压力施加到晶体上,以稳定中心的自结合激子,从而增加了4.1EV发射带的强度。但是,发现CS^+的5D电子状态成为静水压力下的最低能量状态,并且4.1EV发射带消失了,并且由CS^+ 5D电子和I-5P孔组成的中心自我结合的激子产生了新的发光带。这种新的发光带的发射时间宽度在200 ns上宽,尽管闪烁体的特征没有改善,但这种测量使我们在理解CSI闪烁机制方面为我们提供了极为重要的知识。 (2)CSI/RBI混合晶体的光学性质:当CSI与RB^+混合时,RB^+的半径小于CS^+时,Interlattice距离变小,因此,中心自我结合的ICCITON会稳定,我们进行了CSI/RBI混合晶体的光学测量。在这项研究中,使用二元蒸气沉积法成功生产了混合晶体。从混合晶体发射的衰减时间和时间分辨光谱中,4.1EV发射带在CS_ <0.66> rb_ <0.33> i时非常强,并且根据预期获得了结果,但发射时间宽度并不狭窄,远不及16NS,将来留下了一个问题。

项目成果

期刊论文数量(3)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
H.Nishimura,M.Nakayama: "Origin of the 4.1 eV Luminescence in Pure CsI Scintillator" Physical Review B. 51. 2167-2172 (1995)
H.Nishimura,M.Nakayama:“纯 CsI 闪烁体中 4.1 eV 发光的起源”物理评论 B. 51. 2167-2172 (1995)
  • DOI:
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  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
H.Nishimura,M.Nakayama: "Origin of the 4.1 eV Luminescence in Pure CsI Scintillator" Proceedings of the International Conference on Inorganic Scintillators and their Applications. 165-172 (1995)
H.Nishimura,M.Nakayama:“纯 CsI 闪烁体中 4.1 eV 发光的起源”无机闪烁体及其应用国际会议论文集。
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    宮田敏行

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