Study on SiC Super-Junction Power MOSFETs Utilizing Ion Implantation and Embedded Epitaxial Growth
Study on SiC Super-Junction Power MOSFETs Utilizing Ion Implantation and Embedded Epitaxial Growth
利用离子注入和嵌入式外延生长的SiC超级结功率MOSFET的研究
批准号：
18206032
负责人：
TSUNENOBU Kimoto
金额：
$30.87万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
财政年份：
2006
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2006 至 2008
中文摘要
翻译
次世代の高性能パワーデバイスとして期待されるSiCパワーMOSFETの特性を極限まで向上させるため、多層pn接合の多次元空乏化を利用する超接合構造に着目した。イオン注入や埋め込み成長により形成したpn接合特性の解析、MOS界面特性の向上、高精度デバイスシミュレーションによる構造設計や微細加工技術を集約して、耐圧1580V、オン抵抗40mΩcm2という優れた性能を達成した。この特性はSiデバイスの理論限界より20倍優れている。
英文摘要
次世代の高性能パワーデバイスとして期待されるSiCパワーMOSFETの特性を極限まで向上させるため、多層pn接合の多次元空乏化を利用する超接合構造に着目した。イオン注入や埋め込み成長により形成したpn接合特性の解析、MOS界面特性の向上、高精度デバイスシミュレーションによる構造設計や微細加工技術を集約して、耐圧1580V、オン抵抗40mΩcm2という優れた性能を達成した。この特性はSiデバイスの理論限界より20倍優れている。
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SiC migration enhanced embedded epitaxial growth technology
SiC迁移增强嵌入式外延生长技术
SiC迁移增强嵌入式外延生长技术
DOI：
--
发表时间：
2006
期刊：
Materials Science Forum 527-529
影响因子：
--
作者：
[S. Miyazaki, M. Ikeda, K. Makihara, K. Shimanoe, R. Matsumoto, T.Kimoto 他, T.Kimoto 他, T.Kimoto 他]
通讯作者：
T.Kimoto 他
Dose designing and fabrication of 4H-SiC double RESURF MOSFETs
4H-SiC 双 RESURF MOSFET 的剂量设计和制造
4H-SiC 双 RESURF MOSFET 的剂量设计和制造
DOI：
--
发表时间：
2006
期刊：
Proc. 18th Int. Symp. On Power Semiconductor Devices
影响因子：
--
作者：
[S. Miyazaki, M. Ikeda, K. Makihara, K. Shimanoe, R. Matsumoto, T.Kimoto 他, T.Kimoto 他]
通讯作者：
T.Kimoto 他
Capacitance spectroscopy study of midgap levels in n-type SiC polytypes
n型SiC多型体中能级的电容谱研究
n型SiC多型体中能级的电容谱研究
DOI：
--
发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
--
作者：
[G. Alfieri, and T. Kimoto]
通讯作者：
and T. Kimoto
DOI：
10.1109/ispsd.2008.4538949
发表时间：
2008-05
期刊：
2008 20th International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC's
影响因子：
--
作者：
[M. Noborio;J. Suda;T. Kimoto]
通讯作者：
M. Noborio;J. Suda;T. Kimoto
Embedded epitaxial growth of 4H-SiC on trenched substrates and pn junction characteristics
沟槽衬底上 4H-SiC 嵌入式外延生长及 pn 结特性
沟槽衬底上 4H-SiC 嵌入式外延生长及 pn 结特性
DOI：
--
发表时间：
2006
期刊：
Microelectron. Eng. 83
影响因子：
--
作者：
[S. Miyazaki, M. Ikeda, K. Makihara, K. Shimanoe, R. Matsumoto, T.Kimoto 他]
通讯作者：
T.Kimoto 他
共 13 条
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