Study on SiC Super-Junction Power MOSFETs Utilizing Ion Implantation and Embedded Epitaxial Growth

利用离子注入和嵌入式外延生长的SiC超级结功率MOSFET的研究

基本信息

  • 批准号：
    18206032
  • 负责人：
    TSUNENOBU Kimoto
  • 金额：
    $ 30.87万
  • 依托单位：
    Kyoto University
  • 依托单位国家：
    日本
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
  • 财政年份：
    2006
  • 资助国家：
    日本
  • 起止时间：
    2006 至 2008
  • 项目状态：
    已结题

项目摘要

次世代の高性能パワーデバイスとして期待されるSiCパワーMOSFETの特性を極限まで向上させるため、多層pn接合の多次元空乏化を利用する超接合構造に着目した。イオン注入や埋め込み成長により形成したpn接合特性の解析、MOS界面特性の向上、高精度デバイスシミュレーションによる構造設計や微細加工技術を集約して、耐圧1580V、オン抵抗40mΩcm2という優れた性能を達成した。この特性はSiデバイスの理論限界より20倍優れている。
The next generation of "high performance" is expected to use "SiC", "MOSFET" properties, "up", "up", "multi-pn joint", "multiple empty", using "super-joint" to create eyeballs. The growth of embedded devices results in the analysis of the joint characteristics of pn, the characteristics of MOS interface are up, the design of high-precision micromachining technology is limited, the resistance is 1580V, and the resistance to 40m Ω cm2 is improved. Properties, Si, theory, theory and theory.

项目成果

期刊论文数量（25）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
SiC migration enhanced embedded epitaxial growth technology
SiC迁移增强嵌入式外延生长技术
  • DOI：
  • 发表时间：
    2006
  • 期刊：
    Materials Science Forum 527-529
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    S. Miyazaki;M. Ikeda;K. Makihara;K. Shimanoe;R. Matsumoto;T.Kimoto 他;T.Kimoto 他;T.Kimoto 他
  • 通讯作者：
    T.Kimoto 他
Dose designing and fabrication of 4H-SiC double RESURF MOSFETs
4H-SiC 双 RESURF MOSFET 的剂量设计和制造
Capacitance spectroscopy study of midgap levels in n-type SiC polytypes
n型SiC多型体中能级的电容谱研究
  • DOI：
  • 发表时间：
    2008
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    G. Alfieri;and T. Kimoto
  • 通讯作者：
    and T. Kimoto
4H-SiC Double RESURF MOSFETs with a Record Performance by Increasing RESURF Dose
Embedded epitaxial growth of 4H-SiC on trenched substrates and pn junction characteristics
沟槽衬底上 4H-SiC 嵌入式外延生长及 pn 结特性
  • DOI：
  • 发表时间：
    2006
  • 期刊：
    Microelectron. Eng. 83
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    S. Miyazaki;M. Ikeda;K. Makihara;K. Shimanoe;R. Matsumoto;T.Kimoto 他
  • 通讯作者：
    T.Kimoto 他
{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI：
    {{ item.doi }}
  • 发表时间：
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊：
    {{ item.journal_name }}
  • 影响因子：
    {{ item.factor }}
  • 作者：
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者：
    {{ item.author }}

数据更新时间：{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者：
    {{ item.author }}

数据更新时间：{{ monograph.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者：
    {{ item.author }}

数据更新时间：{{ sciAawards.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者：
    {{ item.author }}

数据更新时间：{{ conferencePapers.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者：
    {{ item.author }}

数据更新时间：{{ patent.updateTime }}

TSUNENOBU Kimoto其他文献

TSUNENOBU Kimoto的其他文献

{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI：
    {{ item.doi }}
  • 发表时间：
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊：
    {{ item.journal_name }}
  • 影响因子：
    {{ item.factor }}
  • 作者：
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者：
    {{ item.author }}
立即体验

相似海外基金

パワーデバイス応用に向けたGaNの点欠陥制御および絶縁膜界面制御の第一原理計算
功率器件应用中GaN点缺陷控制和绝缘膜界面控制的第一性原理计算
  • 批准号：
    24K08270
  • 财政年份：
    2024
  • 资助金额：
    $ 30.87万
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Si基板上GaN縦型パワーデバイスの低抵抗および高耐圧化に関する研究
硅衬底低阻高击穿GaN垂直功率器件研究
  • 批准号：
    23K26158
  • 财政年份：
    2024
  • 资助金额：
    $ 30.87万
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
高性能・高信頼パワーデバイスに向けたGaN MOS界面近傍欠陥の起源解明
阐明高性能、高可靠功率器件中 GaN MOS 界面附近缺陷的来源
  • 批准号：
    24KJ0142
  • 财政年份：
    2024
  • 资助金额：
    $ 30.87万
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
WBGパワーデバイスに向けた新規Ag/Cu接合材料の低温低圧大面積実装技術の開発
WBG功率器件新型Ag/Cu键合材料低温、低压、大面积安装技术开发
  • 批准号：
    24KJ0162
  • 财政年份：
    2024
  • 资助金额：
    $ 30.87万
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
パワーデバイス劣化機構の解明に向けた格子欠陥のオペランド観察技術の開発
开发晶格缺陷原位观察技术以阐明功率器件劣化机制
  • 批准号：
    23K26565
  • 财政年份：
    2024
  • 资助金额：
    $ 30.87万
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
トポロジー最適化を用いた縦型GaNパワーデバイスの構造設計技術
采用拓扑优化的垂直GaN功率器件结构设计技术
  • 批准号：
    24K07597
  • 财政年份：
    2024
  • 资助金额：
    $ 30.87万
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
強誘電性κ-Ga2O3の超低消費電力パワーデバイスの開拓
利用铁电κ-Ga2O3开发超低功耗功率器件
  • 批准号：
    23K22797
  • 财政年份：
    2024
  • 资助金额：
    $ 30.87万
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
ダイヤモンド・パワーデバイスの内部歪み・ストレスのデバイス性能・信頼性への影響解明
阐明金刚石功率器件的内应变和应力对器件性能和可靠性的影响
  • 批准号：
    24K07456
  • 财政年份：
    2024
  • 资助金额：
    $ 30.87万
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
低損失GaNパワーIC実現に向けた高電圧ストレスによる破壊メカニズムの研究
高压应力击穿机理研究，实现低损耗GaN功率IC
  • 批准号：
    23H01469
  • 财政年份：
    2023
  • 资助金额：
    $ 30.87万
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
パワー半導体デバイスの寿命と性能を最大限活かせる駆動回路設計手法の確立
建立最大化功率半导体器件寿命和性能的驱动电路设计方法
  • 批准号：
    23K13313
  • 财政年份：
    2023
  • 资助金额：
    $ 30.87万
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
{{ showInfoDetail.title }}

作者：{{ showInfoDetail.author }}

知道了