课题基金 / 基金详情

Fabrication and characterization of normally-off GaN HEMTs

Fabrication and characterization of normally-off GaN HEMTs
常断 GaN HEMT 的制造和表征
批准号：
18206041
负责人：
MIZUTANI Takashi
金额：
$32.45万
依托单位：
Nagoya University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
财政年份：
2006
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2006 至 2008
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-18206041/
关键词：
GaNHEMT、ノーマリオフ、MOSFETInGaN capひずみ分極ノーマリオフGaN HEMTMgドーピングMOSFETHfO_2高耐圧HEMTフッ素プラズマ処理ひずみ電界しきい値電圧シフト電流DLTS

项目摘要

项目成果

MIZUTANI Takashi的其他基金

相关文献

中文摘要
翻译
本研究では、開発の期待が高い高性能ノーマリオフ型GaN FETの課題を解決する方法として、InGaN cap層導入によるひずみ分極制御AlGaN/GaN HEMT、および高誘電率を有するHfO_2をゲート絶縁膜とするGaN MOSFET, AlGaN/GaN MOSFETを提案した。さらにデバイス試作により本提案の有効性を示すとともに、しきい値がおのおの1.1V, 3Vのノーマリオフ動作を実現し、また高い電流駆動能力を実証した。
英文摘要
本研究では、開発の期待が高い高性能ノーマリオフ型GaN FETの課題を解決する方法として、InGaN cap層導入によるひずみ分極制御AlGaN/GaN HEMT、および高誘電率を有するHfO_2をゲート絶縁膜とするGaN MOSFET, AlGaN/GaN MOSFETを提案した。さらにデバイス試作により本提案の有効性を示すとともに、しきい値がおのおの1.1V, 3Vのノーマリオフ動作を実現し、また高い電流駆動能力を実証した。
期刊论文(19)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
Fabrication of normally-off GaN MISFETs for high-power application
  • 批准号：
    21360168
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
  • 资助金额：
    $11.73万
  • 财政年份：
    2009
  • 负责人：
    MIZUTANI Takashi
  • 依托单位：
    Nagoya University
Fabrication and Characterization of High-Breakdown and High-Power GaN HEMTs
  • 批准号：
    15206040
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
  • 资助金额：
    $32.53万
  • 财政年份：
    2003
  • 负责人：
    MIZUTANI Takashi
  • 依托单位：
    Nagoya University
Fabrication and Characterization of GaN HEMTs with short gate length
  • 批准号：
    13450141
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
  • 资助金额：
    $2.5万
  • 财政年份：
    2001
  • 负责人：
    MIZUTANI Takashi
  • 依托单位：
    Nagoya University
Potential Profile Measurement of Semiconductor Devices Using Kelvin Probe Force Microscopy
  • 批准号：
    10450135
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
  • 资助金额：
    $10.43万
  • 财政年份：
    1998
  • 负责人：
    MIZUTANI Takashi
  • 依托单位：
    Nagoya University