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Fabrication of normally-off GaN MISFETs for high-power application
用于高功率应用的常断 GaN MISFET 的制造
基本信息
- 批准号：21360168
- 负责人：
- 金额：$ 11.73万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
- 财政年份：2009
- 资助国家：日本
- 起止时间：2009 至 2011
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
Novel p-InGaN/AlGaN/GaN MISFET was proposed and normally-off operation of the MISFETs with a threshold voltage of 1. 2 V was realized. Concerning the gate insulator, ALD-grown Al_2O-3 was shown to be better than HfO-2 from the view point of transient behavior of the devices.(NH-4)-2S treatment before the gate insulator deposition and gate first process where gate insulator was deposited before ohmic contact formation was effective in decreasing the interface state density.
提出了一种新颖的p-InGaN/AlGaN/GaN MISFET，实现了阈值电压为1.2V的常关型MISFET。对于栅绝缘层，从器件的暂态行为来看，ALD生长的Al_2O_3优于HfO-2，在栅绝缘层沉积之前的(NH-4)-2S处理和在欧姆接触形成之前沉积栅绝缘层的栅先工艺对降低界面态密度是有效的。
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Effects of HfO2/AlGaN interface of HfO2/AlGaN/GaN MOSFET studied by device simulation
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- DOI：
- 发表时间：2009
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Y. Hayashi;S. Sugiura;S. Kishimoto;T. Mizutani
- 通讯作者：T. Mizutani
Analysis of transient behavior of AlGaN/GaN MOSHFET
- DOI：10.1016/j.sse.2010.07.001
- 发表时间：2010-11
- 期刊：
- 影响因子：1.7
- 作者：Y. Hayashi;S. Kishimoto;T. Mizutani
- 通讯作者：Y. Hayashi;S. Kishimoto;T. Mizutani
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- DOI：
- 发表时间：2009
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Akira Miyazaki;Takayuki Yamazaki;Taikan Suehara;Shoji Asai;Toshita ka Idehara;et al.;林慶寿,岸本茂,水谷孝
- 通讯作者：林慶寿,岸本茂,水谷孝
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- DOI：
- 发表时间：2009
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：E. Miyazaki;Y. Goda;S. Kishimoto;T. Mizutani
- 通讯作者：T. Mizutani
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- DOI：
- 发表时间：2011
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：宮崎英志;岸本茂;水谷孝;前田祐作; 寺尾京平; 鈴木孝明; 下川房男; 高尾英邦;Mikio Sorimachi;E. Miyazaki and T. Mizutani
- 通讯作者：E. Miyazaki and T. Mizutani
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