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evelopment of Cryogenic Readout Electronics for Superconducting
超导低温读出电子器件的发展
基本信息
- 批准号：18206042
- 负责人：
- 金额：$ 31.03万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
- 财政年份：2006
- 资助国家：日本
- 起止时间：2006 至 2008
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
超伝導テラヘルツカメラの極低温電子回路として、ガリウム砒素半導体の接合型電界効果トランジスタ(GaAs-JFET)を用いた極低温で動作する集積回路を開発した。GaAs-JFET極低温電子回路は、積分型アンプ、マルチプレクサ、およびシフトレジスタの各集積回路から構成され、32チャンネルのマルチチップモジュールを構成することで、1000素子規模の超伝導テラヘルツカメラの読み出しに用いることができる。
Ultra-low temperature electronic circuits for semiconductor junction type electronic circuits (GaAs-JFET) are developed for ultra-low temperature operation. GaAs-JFET cryogenic electronic circuits are composed of integrated circuits, 32-channel circuits, and 1000-channel circuits.
项目成果
期刊论文数量（46）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
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