Control of deep ultraviolet light emission properties of hexagonal boron nitride crystals
六方氮化硼晶体深紫外发光性能的控制
基本信息
- 批准号:19205026
- 负责人:
- 金额:$ 31.87万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
- 财政年份:2007
- 资助国家:日本
- 起止时间:2007 至 2010
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
The purpose of this study is to realize the potential of hexagonal boron nitride(hBN) crystal as a deep ultraviolet light emission materials. High purity single crystals of hBN were obtained under high pressure flux growth process and their optical properties were characterized. Synthesis technique of high purity hBN under atmospheric pressure was also established by using Ni base solvent system. The plot-type of deep ultraviolet emission device combined with hBN crystals and electron emitter were fabricated and its usefulness for sterilization of bacteria was realized.
本研究的目的是实现六方氮化硼(hBN)晶体作为深紫外光发射材料的潜力。采用高压通量生长法制备了高纯度的hBN单晶,并对其光学性质进行了表征。建立了常压下以镍基溶剂体系合成高纯hBN的工艺。制作了hBN晶体与电子发射器相结合的深紫外发射装置,实现了该装置对细菌的杀菌作用。
项目成果
期刊论文数量(109)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Field electron emission properties of n-type (111)-oriented single crystal cubic boron nitride
n型(111)取向单晶立方氮化硼的场电子发射特性
- DOI:
- 发表时间:2011
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:T.Yamada;C.E.Nebel;T.Taniguchi
- 通讯作者:T.Taniguchi
六方晶窒化ホウ素を用いた遠紫外線面発光素子の試作に成功-手のひらサイズの水銀レス高効率遠紫外発光素子(225 nm)日刊工業、科学、鉄鋼、日経産業2009年9月18日 記事
成功制作出使用六方氮化硼的远紫外线表面发射装置原型 - 手掌大小的无汞高效远紫外线发光装置(225 nm) Nikkan Kogyo、Science、Steel、Nikkei Sangyo 2009 年 9 月 18 日文章
- DOI:
- 发表时间:
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
- 通讯作者:
Elasticity of cubic boron nitride under ambient conditions
- DOI:10.1063/1.3561496
- 发表时间:2010-12
- 期刊:
- 影响因子:3.2
- 作者:Jin S. Zhang;J. Bass;T. Taniguchi;A. Goncharov;Y. Chang;S. Jacobsen
- 通讯作者:Jin S. Zhang;J. Bass;T. Taniguchi;A. Goncharov;Y. Chang;S. Jacobsen
Jahn-Teller effect on exciton states in hexagonal boron nitride single crystal
- DOI:10.1103/physrevb.79.193104
- 发表时间:2009-05
- 期刊:
- 影响因子:3.7
- 作者:Kenji Watanabe;T. Taniguchi
- 通讯作者:Kenji Watanabe;T. Taniguchi
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