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Control of deep ultraviolet light emission properties of hexagonal boron nitride crystals

Control of deep ultraviolet light emission properties of hexagonal boron nitride crystals
六方氮化硼晶体深紫外发光性能的控制
批准号：
19205026
负责人：
TANIGUCHI Takashi
金额：
$31.87万
依托单位：
National Institute for Materials Science
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
财政年份：
2007
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2007 至 2010
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-19205026/
关键词：
遠紫外線発光六方晶窒化ホウ素自由励起子発光高圧結晶合成深紫外線発光金属フラックス結晶成長電子線励起型紫外線発光デバイス紫外線殺菌グラフェンデバイス用基板

项目摘要

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中文摘要
翻译
本研究旨在实现六方氮化硼(HBN)晶体作为深紫外光发射材料的潜力。采用高压熔盐法生长了高纯度的hBN单晶，并对其光学性质进行了表征。采用镍基溶剂体系，建立了常压合成高纯hBN的工艺条件。制作了hBN晶体与电子发射体相结合的小区式深紫外光发射器件，实现了其在细菌杀菌中的应用。
英文摘要
The purpose of this study is to realize the potential of hexagonal boron nitride(hBN) crystal as a deep ultraviolet light emission materials. High purity single crystals of hBN were obtained under high pressure flux growth process and their optical properties were characterized. Synthesis technique of high purity hBN under atmospheric pressure was also established by using Ni base solvent system. The plot-type of deep ultraviolet emission device combined with hBN crystals and electron emitter were fabricated and its usefulness for sterilization of bacteria was realized.
期刊论文(109)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
超高圧を用いた物質合成:窒化ホウ素単結晶、焼結体の合成
使用超高压的材料合成：氮化硼单晶和烧结体的合成
DOI： --
发表时间： 2007
期刊： Fine Ceramics Report 25
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作者： [Yuasa, J., et. al., 谷口 尚]
通讯作者： 谷口 尚
リン添加ダイヤモンドナノチップアレーからの電界電子放出特性
磷掺杂金刚石纳米尖阵列的场发射特性
DOI： --
发表时间： 2008
期刊： 信学技法 ED2008-11
影响因子： --
作者： [山田貴壽, Christoph E. Nebel, 鹿田真一]
通讯作者： 鹿田真一
六方晶窒化ホウ素を用いた遠紫外線面発光素子の試作に成功-手のひらサイズの水銀レス高効率遠紫外発光素子(225 nm)日刊工業、科学、鉄鋼、日経産業2009年9月18日 記事
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DOI： --
发表时间：
期刊：
影响因子： --
作者： []
通讯作者：
Field electron emission properties of n-type (111)-oriented single crystal cubic boron nitride
n型(111)取向单晶立方氮化硼的场电子发射特性
DOI： --
发表时间： 2011
期刊： J.Vac.Sci.Technol.B
影响因子： --
作者： [T.Yamada, C.E.Nebel, T.Taniguchi]
通讯作者： T.Taniguchi
共 93 条
    Composite Defect Engineering of Diamond Single Crystals under High Pressure
    • 批准号：
      20K21096
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
    • 资助金额：
      $4.08万
    • 财政年份：
      2020
    • 负责人：
      TANIGUCHI Takashi
    • 依托单位：
      National Institute for Materials Science
    Synthesis of high quality single crystals for sience of Boron Nitride
    • 批准号：
      20H00354
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
    • 资助金额：
      $28.95万
    • 财政年份：
      2020
    • 负责人：
      TANIGUCHI Takashi
    • 依托单位：
      National Institute for Materials Science
    A Study of Hobbies and Tastes of Literati in the Tang and Song Dynasties
    • 批准号：
      18K00356
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
    • 资助金额：
      $0.83万
    • 财政年份：
      2018
    • 负责人：
      TANIGUCHI Takashi
    • 依托单位：
      Saga University
    New synthesis route for isotope controlled boron nitride crystals and their properties
    • 批准号：
      18K19136
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
    • 资助金额：
      $3.99万
    • 财政年份：
      2018
    • 负责人：
      TANIGUCHI Takashi
    • 依托单位：
      National Institute for Materials Science
    海外基金