Detection of spin polarization in supercurrent using quantum devices

使用量子器件检测超电流中的自旋极化

• 批准号: 24840014
• 负责人: NAKAMURA Taketomo
• 金额: $ 1.91万
• 依托单位: The University of Tokyo
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Research Activity Start-up
• 财政年份: 2012
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2012-08-31 至 2014-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-24840014/
• 关键词: 超伝導接合; 近接効果; アンドレーエフ反射; スピン軌道相互作用; スピンホール効果; スピン流; スピントロニクス; 希薄磁性半導体; ジョセフソン効果; スピン起動相互作用; スピンフィルター; 超伝導

Superconducting junctions with InAs two-dimensional electron gas were fabricated using new techniques in order to obtain low barrier interface. We could observe Andreev reflection and supercurrent on several junctions at low temperature. In order to control the transport properties of the superconducting junctions, superconducting electrodes are attached to the InAs wire configuring cross structures. In such structures, we succeeded in controlling the Andreev reflection, Andreev bound states, and supercurrent by applying charge currents and spin currents to the intersection.Furthermore, we made a hybrid structure of superconducting junction and quantum point contact and grow dilute magnetic semiconductor InFeAs were grown up by molecular beam epitaxy, in order to change the pairing symmetry of the spins of proximity-induced Cooper pairs.

为了获得低势垒界面，采用新工艺制备了InAs二维电子气超导结。在低温下，我们可以在几个结上观察到Andreev反射和超导电流。为了控制超导结的输运性质，超导电极附接到构成交叉结构的InAs线。在这种结构中，我们通过在交叉点施加电荷流和自旋流，成功地控制了Andreev反射、Andreev束缚态和超导电流，并制作了超导结和量子点接触的混合结构，利用分子束外延生长了稀磁半导体InFeAs，以改变邻近诱导库珀对自旋的配对对称性。

项目成果

スピン軌道相互作用の強い系における 横結合量子ドットを用いたスピン偏極検出 II

在具有强自旋轨道相互作用的系统中使用横向耦合量子点进行自旋偏振检测 II

• 发表时间: 2013
• 作者: R. Iizuka;V. Soustelle;N. Walte;D. J. Frost;T. Yagi;金善宇
• 通讯作者: 金善宇

Andreev bound state disturbance due to spin Hall effect in InAs two dimensional electron systems

InAs 二维电子系统中自旋霍尔效应引起的 Andreev 束缚态扰动

• 作者: T. Nakamura;Y. Takahashi;Y. Hashimoto;D.H. Yun;K. Takai;S.W. Kim;Y. Iye;and S. Katsumoto
• 通讯作者: and S. Katsumoto

Nb/InAs二次元電子系接合におけるAndreev反射の磁場方向依存性

Nb/InAs 二维电子系统结中 Andreev 反射的磁场方向依赖性

• 发表时间: 2013
• 作者: 中村壮智;他
• 通讯作者: 他

Nb/InAs/Nb接合におけるスピン流注入の効果

Nb/InAs/Nb 结中自旋电流注入的影响

• 作者: K. Kuwahara;S. Yoshii;H. Nojiri;D. Aoki;W. Knafo;F. Duc;X. Fabreges;G. W. Scheerer;P. Frings,G. L. J. A. Rikken;F. Bourdarot;L. P. Regnault;and J. Flouquet;高井久弥，橋本義昭，中村壮智，勝本信吾
• 通讯作者: 高井久弥，橋本義昭，中村壮智，勝本信吾

Detection of Spin-polarization with A Single Lead Quantum Dot in Zero External Magnetic Field

零外磁场下单铅量子点自旋极化的检测

• 发表时间: 2012
• 作者: Ichikawa H;M Kameyama;and K Kawai;金善宇
• 通讯作者: 金善宇