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Invention of a metal-source/drain-type Germanium spin-MOSFET
金属源极/漏极型锗自旋MOSFET的发明
基本信息
- 批准号：25889041
- 负责人：
- 金额：$ 1.75万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Research Activity Start-up
- 财政年份：2013
- 资助国家：日本
- 起止时间：2013-08-30 至 2015-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（11）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Co2FeSiホイスラー合金電極を用いたn型Ge中のスピン伝導検出
使用 Co2FeSi Heusler 合金电极检测 n 型 Ge 中的自旋传导
- DOI：
- 发表时间：2013
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Cho;H.;Kim;J.;Suga;K.;Ishigami;T.;Park;H.;Bang;J. W.;Seo;S.;Choi;M.;Chang;P. –S.;Umakoshi;H.;Jung;H. –S.;Suh;K. –Y.;藤田裕一，笠原健司，山田晋也，澤野憲太郎，宮尾正信，浜屋宏平;菅 恵嗣;笠原健司，藤田裕一，山田晋也，澤野憲太郎，宮尾正信，浜屋宏平
- 通讯作者：笠原健司，藤田裕一，山田晋也，澤野憲太郎，宮尾正信，浜屋宏平
A pseudo-single-crystalline germanium film for flexible electronics
用于柔性电子产品的赝单晶锗薄膜
- DOI：10.1063/1.4906612
- 发表时间：2015
- 期刊：
- 影响因子：4
- 作者：H. Higashi;K. Kasahara;K. Kudo;H. Okamoto;K. Moto;J. -H Park;S. Yamada;T. Kanashima;M. Miyao; I. Tsunoda and K. Hamaya
- 通讯作者：I. Tsunoda and K. Hamaya
Reliable reduction of Fermi-level pinning at atomically matched metal/Ge interfaces by sulfur treatment
通过硫处理可靠地减少原子匹配金属/Ge界面处的费米能级钉扎
- DOI：10.1063/1.4875016
- 发表时间：2014
- 期刊：
- 影响因子：4
- 作者：K. Kasahara;S. Yamada;T. Sakurai;K. Sawano;H. Nohira;M. Miyao and K. Hamaya
- 通讯作者：M. Miyao and K. Hamaya
金誘起層交換成長法で作成した擬似単結晶Geの電気伝導特性
金诱导层交换生长法制备的赝单晶Ge的导电性能
- DOI：
- 发表时间：2015
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：中野茉莉央;東英実;笠原健司;山田晋也;金島岳;浜屋宏平
- 通讯作者：浜屋宏平
Generation and detection of pure spin current in n-Ge using L21-ordered Co2FeSi electrodes
使用 L21 有序 Co2FeSi 电极产生和检测 n-Ge 中的纯自旋电流
- DOI：
- 发表时间：2014
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：K. Kasahara;Y. Fujita;S. Yamada;K. Sawano;M. Miyao;and K. Hamaya
- 通讯作者：and K. Hamaya
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KASAHARA Kenji其他文献
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