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Study on Advanced Interface Formation with Functional Nanocluster Monolayers and Their Electronic Properties

Study on Advanced Interface Formation with Functional Nanocluster Monolayers and Their Electronic Properties
功能纳米团簇单分子层高级界面形成及其电子性能研究
批准号:
15H02002
负责人:
NAKAJIMA ATSUSHI
金额:
$25.96万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
财政年份:
2015
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2015-04-01 至 2019-03-31

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通讯作者: 中嶋敦
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发表时间: 2016
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通讯作者: 中嶋敦
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发表时间: 2015
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通讯作者: Atsushi Nakajima
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通讯作者: 中嶋 敦
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