Exploreing the Si-based wide bandgap materials for crystalline Si tandem solar cells

探索用于晶体硅叠层太阳能电池的硅基宽带隙材料

基本信息

  • 批准号：
    15H02237
  • 负责人：
    SUEMASU Takashi
  • 金额：
    $ 15.72万
  • 依托单位：
    University of Tsukuba
  • 依托单位国家：
    日本
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
  • 财政年份：
    2015
  • 资助国家：
    日本
  • 起止时间：
    2015-04-01 至 2018-03-31
  • 项目状态：
    已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（81）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
BaSi2テンプレート層がp-BaSi2/n-Siヘテロ太陽電池特性に与える効果
BaSi2模板层对p-BaSi2/n-Si异质太阳能电池特性的影响
  • DOI：
  • 发表时间：
    2017
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Yukako Tani;Seiichiro Katsura;Chiharu Yamada;Yoshihiro Itaguchi;Kazuyoshi Fukuzawa;谷内 卓
  • 通讯作者：
    谷内 卓
Crystal growth of BaSi2 continous films on Ge(111) substrate
Ge(111) 衬底上 BaSi2 连续薄膜的晶体生长
  • DOI：
  • 发表时间：
    2015
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    D. Deng;L. Liu;T. H. Tuan;Y. Kanou;M. Matsumoto;H. Tezuka;T. Suzuki;and Y. Ohishi;R. Takabe
  • 通讯作者：
    R. Takabe
Exploration the Potential of Semiconducting BaSi2 for Thin-film Solar Cell Applications
探索半导体 BaSi2 在薄膜太阳能电池应用中的潜力
  • DOI：
  • 发表时间：
    2015
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    山森弘毅;平山文紀;神代暁;佐藤昭;入松川知也;福田大治;永沢秀一;日高睦夫;石野宏和;T. Suemasu
  • 通讯作者：
    T. Suemasu
Dependence of solar cell characteristics on Si substrate pretreatment
太阳能电池特性对硅基板预处理的依赖性
  • DOI：
  • 发表时间：
    2017
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Yudai Yamashita;Ryota Takabe;Kaoru Toko;and Takashi Suemasu
  • 通讯作者：
    and Takashi Suemasu
Photoresponse measurement of highly oriented BaSi2 films on Ge(111) using solid phase epitaxy templates
使用固相外延模板测量 Ge(111) 上高度取向 BaSi2 薄膜的光响应
  • DOI：
  • 发表时间：
    2016
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Rihito Kuroda;Shigetoshi Sugawa;R. Takabe
  • 通讯作者：
    R. Takabe
{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI：
    {{ item.doi }}
  • 发表时间：
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊：
    {{ item.journal_name }}
  • 影响因子：
    {{ item.factor }}
  • 作者：
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者：
    {{ item.author }}

数据更新时间：{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者：
    {{ item.author }}

数据更新时间：{{ monograph.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者：
    {{ item.author }}

数据更新时间：{{ sciAawards.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者：
    {{ item.author }}

数据更新时间：{{ conferencePapers.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者：
    {{ item.author }}

数据更新时间：{{ patent.updateTime }}

SUEMASU Takashi其他文献

Physical analysis of remained oxidation byproducts as the origins of lattice distortion at the surface of 4H-SiC by Fourier-transform infrared spectroscopy
通过傅里叶变换红外光谱对 4H-SiC 表面晶格畸变的残留氧化副产物进行物理分析
  • DOI：
    10.35848/1347-4065/ab7fe9
  • 发表时间：
    2020
  • 期刊：
    Jpn. J. Appl. Phys.
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Aonuki Sho;Yamashita Yudai;TOKO Kaoru;SUEMASU Takashi;Adhi Dwi Hatmanto and Koji Kita
  • 通讯作者：
    Adhi Dwi Hatmanto and Koji Kita
タイマー蛍光たんぱく質搭載HIVのための多階層数理モデル
定时器荧光蛋白负载HIV的多级数学模型
  • DOI：
  • 发表时间：
    2020
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Sugiyama Shu;Yamashita Yudai;TOKO Kaoru;SUEMASU Takashi;北川耕咲
  • 通讯作者：
    北川耕咲
Fabrication of As-doped n-type BaSi<sub>2</sub> epitaxial films grown by molecular beam epitaxy
分子束外延生长As掺杂n型BaSi<sub>2</sub>外延薄膜的制备
  • DOI：
    10.7567/1347-4065/ab5b7a
  • 发表时间：
    2020
  • 期刊：
    Japanese Journal of Applied Physics
  • 影响因子：
    1.5
  • 作者：
    Aonuki Sho;Yamashita Yudai;TOKO Kaoru;SUEMASU Takashi
  • 通讯作者：
    SUEMASU Takashi
Influence of Ba-to-Si deposition rate ratios on the electrical and optical properties of B-doped BaSi<sub>2</sub> epitaxial films
Ba/Si沉积速率比对B掺杂BaSi<sub>2</sub>外延薄膜电学和光学性能的影响
  • DOI：
    10.7567/1347-4065/ab65ae
  • 发表时间：
    2020
  • 期刊：
    Japanese Journal of Applied Physics
  • 影响因子：
    1.5
  • 作者：
    Sugiyama Shu;Yamashita Yudai;TOKO Kaoru;SUEMASU Takashi
  • 通讯作者：
    SUEMASU Takashi

SUEMASU Takashi的其他文献

{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI：
    {{ item.doi }}
  • 发表时间：
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊：
    {{ item.journal_name }}
  • 影响因子：
    {{ item.factor }}
  • 作者：
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者：
    {{ item.author }}

{{ truncateString('SUEMASU Takashi', 18)}}的其他基金

Large grain-sized FeSi_2 films by micro-channel epitaxy for infrared detectors
用于红外探测器的微通道外延大晶粒FeSi_2薄膜
  • 批准号：
    21360002
  • 财政年份：
    2009
  • 资助金额：
    $ 15.72万
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
High-efficiency solar cells utilizing bandgap expansion and conductivity control in semiconducting silicides
利用半导体硅化物中的带隙扩展和电导率控制的高效太阳能电池
  • 批准号：
    18360005
  • 财政年份：
    2006
  • 资助金额：
    $ 15.72万
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Fabrication of Si-based room temperature infrared light-emitting diodes using β-FeSi_2
β-FeSi_2硅基室温红外发光二极管的制备
  • 批准号：
    12555084
  • 财政年份：
    2000
  • 资助金额：
    $ 15.72万
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)

相似海外基金

非化学量論組成に基づくキャリアドープ半導体ナノ構造の磁気円二色性とその制御
基于非化学计量组成的载流子掺杂半导体纳米结构的磁圆二色性及其控制
  • 批准号：
    23K23158
  • 财政年份：
    2024
  • 资助金额：
    $ 15.72万
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Control of magnetic circular dichroism in doped semiconductor nanostructures based on the material nonstoichiometry
基于材料非化学计量的掺杂半导体纳米结构磁圆二色性控制
  • 批准号：
    22H01890
  • 财政年份：
    2022
  • 资助金额：
    $ 15.72万
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Pseudogap Engineering of Ru-based Thermoelectric Heusler Compounds
钌基热电霍斯勒化合物的赝能隙工程
  • 批准号：
    20K05060
  • 财政年份：
    2020
  • 资助金额：
    $ 15.72万
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Creation of unique Nb3Sn superconducting layer diffusion reaction behavior by intermediate active layer
通过中间活性层创造独特的Nb3Sn超导层扩散反应行为
  • 批准号：
    18K04249
  • 财政年份：
    2018
  • 资助金额：
    $ 15.72万
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Improvement of thermoelectric performance by high-pressure torsion of off-stoichiometric Heusler compounds and elucidation of their mechanism
通过非化学计量赫斯勒化合物的高压扭转改善热电性能及其机理的阐明
  • 批准号：
    17K06771
  • 财政年份：
    2017
  • 资助金额：
    $ 15.72万
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
{{ showInfoDetail.title }}

作者：{{ showInfoDetail.author }}

知道了