Exploreing the Si-based wide bandgap materials for crystalline Si tandem solar cells
Exploreing the Si-based wide bandgap materials for crystalline Si tandem solar cells
批准号:
15H02237
负责人:
SUEMASU Takashi
金额:
$15.72万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
财政年份:
2015
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2015-04-01 至 2018-03-31
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アルカリ金属フッ化物処理によるBaSi2薄膜の電気特性制御
碱金属氟化物处理对BaSi2薄膜电性能的控制
DOI:
--
发表时间:
2015
期刊:
影响因子:
--
作者:
[原 康祐, Du Weijie, 有元 圭介, 山中 淳二, 中川 清和, 都甲 薫, 末益 崇, 宇佐美 徳隆]
通讯作者:
宇佐美 徳隆
Dependence of solar cell characteristics on Si substrate pretreatment
太阳能电池特性对硅基板预处理的依赖性
DOI:
--
发表时间:
2017
期刊:
影响因子:
--
作者:
[Yudai Yamashita, Ryota Takabe, Kaoru Toko, and Takashi Suemasu]
通讯作者:
and Takashi Suemasu
Photoresponse measurement of highly oriented BaSi2 films on Ge(111) using solid phase epitaxy templates
使用固相外延模板测量 Ge(111) 上高度取向 BaSi2 薄膜的光响应
DOI:
--
发表时间:
2016
期刊:
影响因子:
--
作者:
[Rihito Kuroda, Shigetoshi Sugawa, R. Takabe]
通讯作者:
R. Takabe
ヘリコン波プラズマスパッタ法によるBaSi2 薄膜の作製
螺旋波等离子体溅射法制备BaSi2薄膜
DOI:
--
发表时间:
2015
期刊:
影响因子:
--
作者:
[横山 晟也, 召田 雅実, 倉持 豪人, 都甲薫, 末益 崇]
通讯作者:
末益 崇
BaSi2テンプレート層がp-BaSi2/n-Siヘテロ太陽電池特性に与える効果
BaSi2模板层对p-BaSi2/n-Si异质太阳能电池特性的影响
DOI:
--
发表时间:
2017
期刊:
影响因子:
--
作者:
[Yukako Tani, Seiichiro Katsura, Chiharu Yamada, Yoshihiro Itaguchi, Kazuyoshi Fukuzawa, 谷内 卓]
通讯作者:
谷内 卓
共 85 条
Large grain-sized FeSi_2 films by micro-channel epitaxy for infrared detectors
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批准号:21360002
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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资助金额:$10.57万
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财政年份:2009
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负责人:SUEMASU Takashi
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依托单位:
High-efficiency solar cells utilizing bandgap expansion and conductivity control in semiconducting silicides
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批准号:18360005
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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资助金额:$8.95万
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财政年份:2006
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负责人:SUEMASU Takashi
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依托单位:
Fabrication of Si-based room temperature infrared light-emitting diodes using β-FeSi_2
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批准号:12555084
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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资助金额:$3.26万
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财政年份:2000
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负责人:SUEMASU Takashi
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依托单位:
海外基金