Large grain-sized FeSi_2 films by micro-channel epitaxy for infrared detectors

用于红外探测器的微通道外延大晶粒FeSi_2薄膜

基本信息

批准号：
21360002
负责人：
SUEMASU Takashi
金额：
$ 10.57万
依托单位：
University of Tsukuba
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2009
资助国家：
日本
起止时间：
2009 至 2011
项目状态：
已结题

项目摘要

We have epitaxially grown undoped β-FeSi_2 films on Si (111) substrates via atomic-hydrogen-assisted molecular-beam epitaxy. They showed n-type conduction and had a residual electron density that was more than two orders of magnitude lower than the hole density of films grown without atomic hydrogen (of the order of 10^<16> cm^<-3> at room temperature). We have also achieved the formation of β-FeSi_2 epitaxial films with grain-sizes exceeding 1 μm on SOI substrates by metalorganic vapor phase epitaxy using β-FeSi_2 island-like templates formed by reactive deposition epitaxy.

我们通过原子 - 氢辅助的分子束外延，在Si（111）底物上具有外延未含量的β-FESI_2膜。它们显示出N型传导，并且具有剩余的电子密度，比没有原子氢的膜的孔密度低两个以上的数量级（在室温下为10^<16> cm^<-3>的顺序）。我们还使用β-FESI_2岛形的模板形成了金属有机体蒸气相在SOI底物上的β-FESI_2外延膜的形成，其晶粒大小超过1μM，该薄膜使用β-FESI_2岛状样模板形成，由反应性沉积外生形成。

项目成果

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专利数量（0）

Molecular beam epitaxy of β-FeSi_2 films on Si (111) substrates and its influence on minority-carrier diffusion length of Si measured by EBIC

Si(111)衬底上β-FeSi_2薄膜的分子束外延及其对Si少数载流子扩散长度的影响

DOI：
10.1016/j.phpro.2011.01.029
发表时间：
2011
期刊：
Physics Procedia
影响因子：
0
作者：
H. Kawakami;M. Suzuno;K. Akutsu;J. Chen;Y. Fuxing;T. Sekiguchi;and T. Suemasu
通讯作者：
and T. Suemasu

Reduction of residual carrier concentrations in undoped β-FeSi_2 films by atomic hydrogen-assisted molecular beam epitaxy

原子氢辅助分子束外延降低未掺杂β-FeSi_2薄膜中残余载流子浓度

DOI：
发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
0
作者：
M. Suzuno;K. Akutsu;H. Kawakami;and T. Suemasu
通讯作者：
and T. Suemasu

MicroChannel epitaxy of β-FeSi_2 on Si (001) substrate

Si(001)衬底上β-FeSi_2的微通道外延

DOI：
发表时间：
期刊：
影响因子：
0
作者：
M. Suzuno;K. Akutsu;H. Kawakami;T. Yaguchi;K. Akiyama;and T. Suemasu
通讯作者：
and T. Suemasu

原子状水素援用MBE法によるβ-FeSi_2膜のキャリア密度の低減と電気特性評価

原子氢辅助MBE法降低β-FeSi_2薄膜载流子密度及电学性能评价

DOI：
发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
0
作者：
阿久津恵一;鈴野光史;川上英輝;末益崇
通讯作者：
末益崇

Characterization of epitaxial β-FeSi_2 thin films on Si substrate by SEM, EBIC and EBSD imaging

Si 衬底上外延 β-FeSi_2 薄膜的 SEM、EBIC 和 EBSD 成像表征

DOI：
发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
0
作者：
K. Jiptner;H. Kawakami;J. Chen;T. Suemasu and T. Sekiguchi
通讯作者：
T. Suemasu and T. Sekiguchi

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DOI：
10.35848/1347-4065/ab7fe9
发表时间：
2020
期刊：
Jpn. J. Appl. Phys.
影响因子：
0
作者：
Aonuki Sho;Yamashita Yudai;TOKO Kaoru;SUEMASU Takashi;Adhi Dwi Hatmanto and Koji Kita
通讯作者：
Adhi Dwi Hatmanto and Koji Kita