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Large grain-sized FeSi_2 films by micro-channel epitaxy for infrared detectors

用于红外探测器的微通道外延大晶粒FeSi_2薄膜

基本信息

批准号：
21360002
负责人：
SUEMASU Takashi
金额：
$ 10.57万
依托单位：
University of Tsukuba
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2009
资助国家：
日本
起止时间：
2009 至 2011
项目状态：
已结题

项目摘要

We have epitaxially grown undoped β-FeSi_2 films on Si (111) substrates via atomic-hydrogen-assisted molecular-beam epitaxy. They showed n-type conduction and had a residual electron density that was more than two orders of magnitude lower than the hole density of films grown without atomic hydrogen (of the order of 10^<16> cm^<-3> at room temperature). We have also achieved the formation of β-FeSi_2 epitaxial films with grain-sizes exceeding 1 μm on SOI substrates by metalorganic vapor phase epitaxy using β-FeSi_2 island-like templates formed by reactive deposition epitaxy.

我们利用原子氢辅助分子束外延技术在Si衬底上外延生长了非掺杂β-FeSi2薄膜。它们表现为n型导电，其剩余电子密度比无原子氢生长的薄膜的空穴密度低两个数量级以上(室温下的空穴密度约为10^&lt；16&gt；cm^&lt；-3&gt；)。利用反应沉积法制备的β-FeSi_2岛状模板，采用金属有机气相外延技术在SOI衬底上成功地制备了粒径大于1μm的β-FeSi_2外延膜。

项目成果

期刊论文数量（0）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

Reduction of residual carrier concentrations in undoped β-FeSi_2 films by atomic hydrogen-assisted molecular beam epitaxy

原子氢辅助分子束外延降低未掺杂β-FeSi_2薄膜中残余载流子浓度

DOI：
发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
0
作者：
M. Suzuno;K. Akutsu;H. Kawakami;and T. Suemasu
通讯作者：
and T. Suemasu

Molecular beam epitaxy of β-FeSi_2 films on Si (111) substrates and its influence on minority-carrier diffusion length of Si measured by EBIC

Si(111)衬底上β-FeSi_2薄膜的分子束外延及其对Si少数载流子扩散长度的影响

DOI：
10.1016/j.phpro.2011.01.029
发表时间：
2011
期刊：
Physics Procedia
影响因子：
0
作者：
H. Kawakami;M. Suzuno;K. Akutsu;J. Chen;Y. Fuxing;T. Sekiguchi;and T. Suemasu
通讯作者：
and T. Suemasu

原子状水素援用MBE法によるβ-FeSi_2膜のキャリア密度の低減と電気特性評価

原子氢辅助MBE法降低β-FeSi_2薄膜载流子密度及电学性能评价

DOI：
发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
0
作者：
阿久津恵一;鈴野光史;川上英輝;末益崇
通讯作者：
末益崇

MicroChannel epitaxy of β-FeSi_2 on Si (001) substrate

Si(001)衬底上β-FeSi_2的微通道外延

DOI：
发表时间：
期刊：
影响因子：
0
作者：
M. Suzuno;K. Akutsu;H. Kawakami;T. Yaguchi;K. Akiyama;and T. Suemasu
通讯作者：
and T. Suemasu

Characterization of epitaxial β-FeSi_2 thin films on Si substrate by SEM, EBIC and EBSD imaging

Si 衬底上外延 β-FeSi_2 薄膜的 SEM、EBIC 和 EBSD 成像表征

DOI：
发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
0
作者：
K. Jiptner;H. Kawakami;J. Chen;T. Suemasu and T. Sekiguchi
通讯作者：
T. Suemasu and T. Sekiguchi

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作者：
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DOI：
10.35848/1347-4065/ab7fe9
发表时间：
2020
期刊：
Jpn. J. Appl. Phys.
影响因子：
0
作者：
Aonuki Sho;Yamashita Yudai;TOKO Kaoru;SUEMASU Takashi;Adhi Dwi Hatmanto and Koji Kita
通讯作者：
Adhi Dwi Hatmanto and Koji Kita