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High-efficiency solar cells utilizing bandgap expansion and conductivity control in semiconducting silicides

High-efficiency solar cells utilizing bandgap expansion and conductivity control in semiconducting silicides
利用半导体硅化物中的带隙扩展和电导率控制的高效太阳能电池
批准号:
18360005
负责人:
SUEMASU Takashi
金额:
$8.95万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份:
2006
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2006 至 2008

项目摘要

项目成果

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本研究では、透明な石英基板上にBaSi_2を分子線エピタキシー法(MBE法)にて形成し、Baサイトの約半数をSrで置換することで光学吸収端を1.4eVまで拡大できることを実証した。さらに、デバイス応用に不可欠な伝導型制御にも取り組んだ。MBE法により、高抵抗Si(111)基板上に不純物をドーピングしたBaSi_2膜を形成し、Hall測定からキャリア密度、移動度を評価した。その結果、III族不純物であるInをドープしたBaSi_2はp型になり、Inのセル温度により正孔密度を10^(16)cm^(-3)から10^(17)cm^(-3)まで制御できた。SbドープBaSi_2はn型となり、さらに、電子密度は成長時の基板温度により、1016cm-3から1020cm-3まで連続的に制御できることが分かった。
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会议论文
Effect of Sr addition on the crystallinity and optical absorption edges in ternary semiconducting silicide Ba_<1-x>Sr_xSi_2
Sr添加对三元半导体硅化物Ba_<1-x>Sr_xSi_2结晶度和光吸收边的影响
DOI: --
发表时间: 2007
期刊: Thin Solid Films 515
影响因子: --
作者: [K. Morita, M. Kobayashi and T. Suemasu]
通讯作者: M. Kobayashi and T. Suemasu
Epitaxial growth of semiconducting BaSrSi_2 on Si(111)and hybrid structures with CoSi2 for photovoltaic application
用于光伏应用的 Si(111) 上半导体 BaSrSi_2 的外延生长以及与 CoSi2 的混合结构
DOI: --
发表时间: 2008
期刊:
影响因子: --
作者: [Y. Ichikawa, M. Kobayashi, D. Tsukada, Y. Matsumoto, M. Sasase and T. Suemasu]
通讯作者: M. Sasase and T. Suemasu
MBE法で形成したBaSi_2/S(111)ヘテロ接合の電気特性評価
MBE法形成BaSi_2/S(111)异质结的电学性能评价
DOI: --
发表时间: 2009
期刊:
影响因子: --
作者: [佐々木亮, 塚田大, 松本雄太, 武石充智, 斉藤隆允, 末益崇]
通讯作者: 末益崇
薄膜太陽電池を目指したAIC基板上へのBaSi_2膜の作製
薄膜太阳能电池AIC衬底上BaSi_2薄膜的制备
DOI: --
发表时间: 2008
期刊:
影响因子: --
作者: [塚田大, 松本雄太, 末益崇]
通讯作者: 末益崇
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    Exploreing the Si-based wide bandgap materials for crystalline Si tandem solar cells
    • 批准号:
      15H02237
    • 项目类别:
      Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
    • 资助金额:
      $15.72万
    • 财政年份:
      2015
    • 负责人:
      SUEMASU Takashi
    • 依托单位:
    Large grain-sized FeSi_2 films by micro-channel epitaxy for infrared detectors
    • 批准号:
      21360002
    • 项目类别:
      Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
    • 资助金额:
      $10.57万
    • 财政年份:
      2009
    • 负责人:
      SUEMASU Takashi
    • 依托单位:
    Fabrication of Si-based room temperature infrared light-emitting diodes using β-FeSi_2
    • 批准号:
      12555084
    • 项目类别:
      Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
    • 资助金额:
      $3.26万
    • 财政年份:
      2000
    • 负责人:
      SUEMASU Takashi
    • 依托单位:
    海外基金