High-efficiency solar cells utilizing bandgap expansion and conductivity control in semiconducting silicides
High-efficiency solar cells utilizing bandgap expansion and conductivity control in semiconducting silicides
批准号:
18360005
负责人:
SUEMASU Takashi
金额:
$8.95万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份:
2006
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2006 至 2008
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英文摘要
本研究では、透明な石英基板上にBaSi_2を分子線エピタキシー法(MBE法)にて形成し、Baサイトの約半数をSrで置換することで光学吸収端を1.4eVまで拡大できることを実証した。さらに、デバイス応用に不可欠な伝導型制御にも取り組んだ。MBE法により、高抵抗Si(111)基板上に不純物をドーピングしたBaSi_2膜を形成し、Hall測定からキャリア密度、移動度を評価した。その結果、III族不純物であるInをドープしたBaSi_2はp型になり、Inのセル温度により正孔密度を10^(16)cm^(-3)から10^(17)cm^(-3)まで制御できた。SbドープBaSi_2はn型となり、さらに、電子密度は成長時の基板温度により、1016cm-3から1020cm-3まで連続的に制御できることが分かった。
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Effect of Sr addition on the crystallinity and optical absorption edges in ternary semiconducting silicide Ba_<1-x>Sr_xSi_2
Sr添加对三元半导体硅化物Ba_<1-x>Sr_xSi_2结晶度和光吸收边的影响
DOI:
--
发表时间:
2007
期刊:
Thin Solid Films 515
影响因子:
--
作者:
[K. Morita, M. Kobayashi and T. Suemasu]
通讯作者:
M. Kobayashi and T. Suemasu
Epitaxial growth of semiconducting BaSrSi_2 on Si(111)and hybrid structures with CoSi2 for photovoltaic application
用于光伏应用的 Si(111) 上半导体 BaSrSi_2 的外延生长以及与 CoSi2 的混合结构
DOI:
--
发表时间:
2008
期刊:
影响因子:
--
作者:
[Y. Ichikawa, M. Kobayashi, D. Tsukada, Y. Matsumoto, M. Sasase and T. Suemasu]
通讯作者:
M. Sasase and T. Suemasu
MBE法で形成したBaSi_2/S(111)ヘテロ接合の電気特性評価
MBE法形成BaSi_2/S(111)异质结的电学性能评价
DOI:
--
发表时间:
2009
期刊:
影响因子:
--
作者:
[佐々木亮, 塚田大, 松本雄太, 武石充智, 斉藤隆允, 末益崇]
通讯作者:
末益崇
薄膜太陽電池を目指したAIC基板上へのBaSi_2膜の作製
薄膜太阳能电池AIC衬底上BaSi_2薄膜的制备
DOI:
--
发表时间:
2008
期刊:
影响因子:
--
作者:
[塚田大, 松本雄太, 末益崇]
通讯作者:
末益崇
Si-Based Environmentally Friendly Semiconductors for Future Electronic and Photonic Devices
用于未来电子和光子器件的硅基环保半导体
DOI:
--
发表时间:
2007
期刊:
影响因子:
--
作者:
[T. Suemasu, S. Murase, T. Ootsuka, M. Suzuno, K. Morita]
通讯作者:
K. Morita
共 49 条
Exploreing the Si-based wide bandgap materials for crystalline Si tandem solar cells
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批准号:15H02237
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
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资助金额:$15.72万
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财政年份:2015
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负责人:SUEMASU Takashi
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依托单位:
Large grain-sized FeSi_2 films by micro-channel epitaxy for infrared detectors
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批准号:21360002
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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资助金额:$10.57万
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财政年份:2009
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负责人:SUEMASU Takashi
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依托单位:
Fabrication of Si-based room temperature infrared light-emitting diodes using β-FeSi_2
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批准号:12555084
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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资助金额:$3.26万
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财政年份:2000
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负责人:SUEMASU Takashi
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依托单位:
海外基金