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Highly-efficient damage-free manufacturing of functional materials by plasma nanomanufacturing process

Highly-efficient damage-free manufacturing of functional materials by plasma nanomanufacturing process
利用等离子体纳米制造工艺高效无损伤制造功能材料
批准号：
18H03754
负责人：
Yamamura Kazuya
金额：
$28.62万
依托单位：
Osaka University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
财政年份：
2018
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2018-04-01 至 2021-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-18H03754/
关键词：
プラズマ援用研磨プラズマ改質ワイドギャップ半導体基板ドレスフリー窒化アルミニウム基板脱粒フリービトリファイドボンド砥石プラズマ難加工材料研磨ダメージフリーワイドギャップ半導体金型材料表面改質スラリーレス形状創成表面仕上げ

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ビトリファイドボンド砥石とフッ素系プラズマを用いたドレスフリー研磨法の開発
使用陶瓷结合剂磨石和氟基等离子体的免修整抛光方法的开发
DOI： --
发表时间： 2021
期刊：
影响因子： --
作者： [R. Ishikawa, M. Hara, H. Tanaka, M. Kaneko, and T. Kimoto, 孫栄硯，陶通，川合健太郎，有馬健太，山村和也]
通讯作者： 孫栄硯，陶通，川合健太郎，有馬健太，山村和也
Novel highly-efficient and dress-free polishing technique with plasma-assisted surface modification and dressing
新型高效免修整抛光技术，采用等离子体辅助表面改性和修整
DOI： 10.1016/j.precisioneng.2021.05.003
发表时间： 2021
期刊： Precision Engineering
影响因子： --
作者： [Sun Rongyan, Nozoe Atsunori, Nagahashi Junji, Arima Kenta, Kawai Kentaro, Yamamura Kazuya]
通讯作者： Yamamura Kazuya
プラズマCVMによる多成分材料の高精度加工に関する研究（第3報） －反応焼結SiC材の加工における反応生成堆積物の影響－
利用等离子体CVM进行多组分材料高精度加工的研究（第三次报告） - 反应产物沉积对反应烧结SiC材料加工的影响 -
DOI： --
发表时间： 2019
期刊：
影响因子： --
作者： [孫栄硯, 川合健太郎, 有馬健太, 大久保雄司, 山村和也]
通讯作者： 山村和也
プラズマナノ製造プロセスによる機能性材料のダメージフリー加工
利用等离子体纳米制造工艺对功能材料进行无损伤加工
DOI： --
发表时间： 2018
期刊：
影响因子： --
作者： [佐野亜沙美,伊藤正一,井上徹,野田昌道, 山村和也]
通讯作者： 山村和也
共 29 条
    Development of slurry-less electrochemical mechanical polishing machine for wide-gap semiconductor substrates applying ultrasonic vibration
    • 批准号：
      21K18677
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
    • 资助金额：
      $4.16万
    • 财政年份：
      2021
    • 负责人：
      Yamamura Kazuya
    • 依托单位：
      Osaka University
    Highly efficient slurryless finishing of difficult-to-polish materials by active controlled electrochemical mechanical polishing
    • 批准号：
      18K18810
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
    • 资助金额：
      $4.08万
    • 财政年份：
      2018
    • 负责人：
      Yamamura Kazuya
    • 依托单位：
      Osaka University
    Development of highly efficient damage-free finishing technique for wide gap semiconductor substrate utilizing atmospheric pressure plasma
    • 批准号：
      25249006
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
    • 资助金额：
      $28.54万
    • 财政年份：
      2013
    • 负责人：
      Yamamura Kazuya
    • 依托单位：
      Osaka University