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Development of highly efficient damage-free finishing technique for wide gap semiconductor substrate utilizing atmospheric pressure plasma

Development of highly efficient damage-free finishing technique for wide gap semiconductor substrate utilizing atmospheric pressure plasma
利用大气压等离子体开发宽禁带半导体衬底高效无损伤精加工技术
批准号：
25249006
负责人：
Yamamura Kazuya
金额：
$28.54万
依托单位：
Osaka University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
财政年份：
2013
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2013-04-01 至 2017-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-25249006/
关键词：
大気圧プラズマ表面改質研磨ワイドギャップ半導体ダメージフリーSiCGaNダイヤモンドスラリーレスサファイア

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DOI： --
发表时间： 2015
期刊：
影响因子： --
作者： [道上久也, 田畑雄壮, 遠藤勝義, 山田 英明, 茶谷原 昭義, 杢野 由明, 山村和也]
通讯作者： 山村和也
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期刊： Journal of Physics D: Applied Physics
影响因子： --
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通讯作者： Y. Takeda;Y. Hata;K. Endo;K. Yamamura
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发表时间：
期刊：
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通讯作者： 畑祐輝
共 76 条
    Development of slurry-less electrochemical mechanical polishing machine for wide-gap semiconductor substrates applying ultrasonic vibration
    • 批准号：
      21K18677
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
    • 资助金额：
      $4.16万
    • 财政年份：
      2021
    • 负责人：
      Yamamura Kazuya
    • 依托单位：
      Osaka University
    Highly efficient slurryless finishing of difficult-to-polish materials by active controlled electrochemical mechanical polishing
    • 批准号：
      18K18810
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
    • 资助金额：
      $4.08万
    • 财政年份：
      2018
    • 负责人：
      Yamamura Kazuya
    • 依托单位：
      Osaka University
    Highly-efficient damage-free manufacturing of functional materials by plasma nanomanufacturing process
    • 批准号：
      18H03754
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
    • 资助金额：
      $28.62万
    • 财政年份：
      2018
    • 负责人：
      Yamamura Kazuya
    • 依托单位：
      Osaka University
    海外基金