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Development of highly efficient damage-free finishing technique for wide gap semiconductor substrate utilizing atmospheric pressure plasma

利用大气压等离子体开发宽禁带半导体衬底高效无损伤精加工技术

基本信息

批准号：
25249006
负责人：
Yamamura Kazuya
金额：
$ 28.54万
依托单位：
Osaka University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
财政年份：
2013
资助国家：
日本
起止时间：
2013-04-01 至 2017-03-31
项目状态：
已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（85）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

Planarization and Smoothing of CVD Grown Diamond Wafer by Atmospheric Pressure Plasma Based Process

采用大气压等离子体工艺对 CVD 生长金刚石晶片进行平坦化和平滑化

DOI：
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
0
作者：
道上久也;田畑雄壮;遠藤勝義;山田英明;茶谷原昭義;杢野由明;山村和也
通讯作者：
山村和也

Open-air type plasma chemical vaporization machining by applying pulse-width modulation control

DOI：
10.1088/0022-3727/47/11/115503
发表时间：
2014-02
期刊：
Journal of Physics D: Applied Physics
影响因子：
0
作者：
Y. Takeda;Y. Hata;K. Endo;K. Yamamura
通讯作者：
Y. Takeda;Y. Hata;K. Endo;K. Yamamura

大気開放型数値制御プラズマCVMにおけるプラズマジェット型加工ヘッドの開発

露天数控等离子CVM等离子射流加工头的研制

DOI：
发表时间：
期刊：
影响因子：
0
作者：
Lennaert van Veen;Alberto Vela Martin;Genta Kawahara;Tatsuya Yasuda;畑祐輝
通讯作者：
畑祐輝

Study on removal mechanism of sapphire in plasma assisted polishing

等离子辅助抛光蓝宝石去除机理研究

DOI：
10.4028/www.scientific.net/amr.1136.317
发表时间：
2016
期刊：
Advanced Materials Research
影响因子：
0
作者：
C. Kageyama;K. Monna;H. Deng;K. Endo;K. Yamamura
通讯作者：
K. Yamamura

プラズマ援用研磨法の開発（第 13 報） -単結晶GaNの研磨における表面改質条件の最適化-

等离子辅助研磨方法的开发（第13次报告）-单晶GaN研磨时的表面改性条件的优化-

DOI：
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
0
作者：
鄧輝;遠藤勝義;山村和也
通讯作者：
山村和也

DOI：
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作者：
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Yamamura Kazuya其他文献

ACT-I「情報と未来」への期待

对ACT-I“信息与未来”的期望

DOI：
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
0
作者：
Ohkubo Yuji;Aoki Tomonori;Seino Satoshi;Mori Osamu;Ito Issaku;Endo Katsuyoshi;Yamamura Kazuya;湊真一
通讯作者：
湊真一

Novel highly-efficient and dress-free polishing technique with plasma-assisted surface modification and dressing

新型高效免修整抛光技术，采用等离子体辅助表面改性和修整

DOI：
10.1016/j.precisioneng.2021.05.003
发表时间：
2021
期刊：
Precision Engineering
影响因子：
0
作者：
Sun Rongyan;Nozoe Atsunori;Nagahashi Junji;Arima Kenta;Kawai Kentaro;Yamamura Kazuya
通讯作者：
Yamamura Kazuya

Towards atomic and close-to-atomic scale manufacturing

DOI：
发表时间：
2019
期刊：
International Journal of Extreme Manufacturing
影响因子：
14.7
作者：
Fang Fengzhou;Zhang Nan;Guo Dongming;Ehmann Kornel;Cheung Benny;Liu Kui;Yamamura Kazuya
通讯作者：
Yamamura Kazuya

Effects of polishing pressure and sliding speed on the material removal mechanism of single crystal diamond in plasma-assisted polishing

等离子辅助抛光中抛光压力和滑动速度对单晶金刚石材料去除机理的影响

DOI：
10.1016/j.diamond.2022.108899
发表时间：
2022
期刊：
Diamond and Related Materials
影响因子：
4.1
作者：
Liu Nian;Sugimoto Kentaro;Yoshitaka Naoya;Yamada Hideaki;Sun Rongyan;Kawai Kentaro;Arima Kenta;Yamamura Kazuya
通讯作者：
Yamamura Kazuya

Improved Catalytic Durability of Pt-Particle/ABS for H2O2 Decomposition in Contact Lens Cleaning

提高 Pt 颗粒/ABS 在隐形眼镜清洁中 H2O2 分解的催化耐久性

DOI：
10.3390/nano9030342
发表时间：
2019
期刊：
Nanomaterials
影响因子：
5.3
作者：
Ohkubo Yuji;Aoki Tomonori;Seino Satoshi;Mori Osamu;Ito Issaku;Endo Katsuyoshi;Yamamura Kazuya
通讯作者：
Yamamura Kazuya