Development of slurry-less electrochemical mechanical polishing machine for wide-gap semiconductor substrates applying ultrasonic vibration
Development of slurry-less electrochemical mechanical polishing machine for wide-gap semiconductor substrates applying ultrasonic vibration
超声波振动宽禁带半导体基片无浆电化学机械抛光机的研制
批准号：
21K18677
负责人：
Yamamura Kazuya
金额：
$4.16万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
财政年份：
2021
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2021-07-09 至 2023-03-31
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SiCウエハのスラリーレス電気化学機械研磨における研磨パラメータの最適化
SiC晶片无浆电化学机械抛光抛光参数优化
SiC晶片无浆电化学机械抛光抛光参数优化
DOI：
--
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
--
作者：
[H. Gu, Xu Yang, X. Yang, K. Kawai, K. Arima, K. Yamamura, 谷海洋，楊旭，楊暁喆，川合健太郎，有馬健太，山村和也]
通讯作者：
谷海洋，楊旭，楊暁喆，川合健太郎，有馬健太，山村和也
SiCウエハのスラリーレス電気化学機械研磨法における砥石/ウエハ相対運動の改善
SiC晶圆无浆电化学机械抛光中砂轮/晶圆相对运动的改进
SiC晶圆无浆电化学机械抛光中砂轮/晶圆相对运动的改进
DOI：
--
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
--
作者：
[H. Gu, Xu Yang, X. Yang, K. Kawai, K. Arima, K. Yamamura, 谷海洋，楊旭，楊暁喆，川合健太郎，有馬健太，山村和也, 谷海洋，楊旭，楊暁喆，川合健太郎，有馬健太，山村和也]
通讯作者：
谷海洋，楊旭，楊暁喆，川合健太郎，有馬健太，山村和也
Relative motion improvement and parameter optimization in slurryless electrochemical mechanical polishing of 4 inch 4H-SiC wafers
4英寸4H-SiC晶圆无浆电化学机械抛光相对运动改进及参数优化
4英寸4H-SiC晶圆无浆电化学机械抛光相对运动改进及参数优化
DOI：
--
发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
--
作者：
[H. Gu, Xu Yang, X. Yang, K. Kawai, K. Arima, K. Yamamura]
通讯作者：
K. Yamamura
Highly efficient slurryless finishing of difficult-to-polish materials by active controlled electrochemical mechanical polishing
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批准号：18K18810
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项目类别：Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
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资助金额：$4.08万
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财政年份：2018
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负责人：Yamamura Kazuya
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依托单位：
Highly-efficient damage-free manufacturing of functional materials by plasma nanomanufacturing process
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批准号：18H03754
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
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资助金额：$28.62万
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财政年份：2018
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负责人：Yamamura Kazuya
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依托单位：
Development of highly efficient damage-free finishing technique for wide gap semiconductor substrate utilizing atmospheric pressure plasma
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批准号：25249006
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
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资助金额：$28.54万
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财政年份：2013
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负责人：Yamamura Kazuya
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依托单位：
海外基金