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Structure analysis of lattice defects in near bulk specimens combining high-voltage electron microscopy and electron energy loss spectroscopy.
结合高压电子显微镜和电子能量损失光谱对近块体样品中的晶格缺陷进行结构分析。
基本信息
- 批准号：22246090
- 负责人：
- 金额：$ 29.79万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
- 财政年份：2010
- 资助国家：日本
- 起止时间：2010-04-01 至 2014-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
The key to break though the study on fracture physics in crystalline materials is visualizing and modeling the structures of the large number of lattice defects (mainly dislocations) around the area with large stress intensified such as a crack tip. We succeeded to develop a three-dimensional TEM analysis of dislocation structures in the specimens with the thickness more than 5µm, combining high-voltage electron microscopy and electron energy loss spectroscopy. Tis work contributes to the development of micro-fracture mechanics which take into account the interaction between a crack and dislocations.
晶体材料断裂物理研究突破的关键是可视化和模拟裂纹尖端等大应力强化区域周围大量晶格缺陷（主要是位错）的结构。结合高压电子显微镜和电子能量损失谱，我们成功地开发了厚度大于5μm的样品中位错结构的三维TEM分析。这一工作有助于发展考虑裂纹与位错相互作用的微观断裂力学。
项目成果
期刊论文数量（43）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
電子線トモグラフィーによる転位の三次元可視化技術
使用电子断层扫描的位错三维可视化技术
- DOI：
- 发表时间：2010
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：S.Yamada;K.Hamaya;T.Murakami;B.Varaprasad;Y.K.Takahashi;A.Rajanikanth;K.Hono;M.Miyao;T. Goto;田中將己
- 通讯作者：田中將己
Electron tomograhy of dislocation structures
位错结构的电子断层扫描
- DOI：
- 发表时间：2014
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：G.S. Liu;S. Hous;J. Kacher;M. Tanaka;K. Higashida;I.M. Robertson
- 通讯作者：I.M. Robertson
The Early Stage of Dislocation Process around a Crack Tip Observed by HVEM-Tomography in Silicon Single Crystals
HVEM-断层扫描观察硅单晶裂纹尖端位错过程的早期阶段
- DOI：
- 发表时间：2011
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：M. Tanaka;S. Sadamatsu;H. Nakamura;K. Hgashida
- 通讯作者：K. Hgashida
Transition from a punched-out dislocation to a slip dislocation revealed by electron tomography
电子断层扫描显示从冲出位错到滑移位错的转变
- DOI：
- 发表时间：2010
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：M. Tanaka;G. S. Liu;T. Kishida;K. Higashida;I. M. Robertson
- 通讯作者：I. M. Robertson
HVEMTomographyによる亀裂先端転位の発生・増殖機構解明
利用 HVEM 断层扫描阐明裂纹尖端位错的产生和扩散机制
- DOI：
- 发表时间：2010
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：M. Tanaka;K. Higashida;S. Sadamatsu;H. Nakamura;M.Tanaka;K.Higashida;中村拓人,定松直,本田雅幹,田中將己,東田賢二
- 通讯作者：中村拓人,定松直,本田雅幹,田中將己,東田賢二
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- 批准号：
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$ 29.79万 - 项目类别：
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$ 29.79万 - 项目类别：
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$ 29.79万 - 项目类别：
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