Study on nanoscale chemical reactions and reaction sites using quantum beams

利用量子束研究纳米级化学反应和反应位点

基本信息

批准号：
22246128
负责人：
KOZAWA Takahiro
金额：
$ 21.96万
依托单位：
Osaka University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
财政年份：
2010
资助国家：
日本
起止时间：
2010 至 2012
项目状态：
已结题

项目摘要

In the high-volume production lines of semiconductor devices, high-resolution and high-throughput manufacturing has been achieved through the combination of expensive high-quality quantum beam and inexpensive low-quality thermal energy. In this study, nanoscale chemical reactions and reaction sites were investigated by using state-of-the-art quantum beams such as electron beam, laser, extreme ultraviolet (EUV) radiation, and X-ray. On the basis of the obtained knowledge, Monte Carlo simulation code was developed.

在半导体设备的高体积生产线中，通过结合昂贵的高质量量子束和廉价的低质量热能，可以实现高分辨率和高通量制造。在这项研究中，使用最先进的量子束（例如电子束，激光，极端紫外线（EUV）辐射和X射线）研究了纳米级化学反应和反应位点。根据获得的知识，制定了蒙特卡洛模拟代码。

项目成果

期刊论文数量（21）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

Electron and Hole Transfer in Anion-Bound Chemically Amplified Resists Used in ExtremeUltraviolet Lithography

用于极紫外光刻的阴离子结合化学放大抗蚀剂中的电子和空穴转移

DOI：
10.7567/apex.6.014001
发表时间：
2013
期刊：
Appl. Phys. Express
影响因子：
0
作者：
Y. Komuro;H. Yamamoto;Y. Utsumi;K. Ohomori;and T. Kozawa
通讯作者：
and T. Kozawa

Relationship between Absorption Coefficient and Line Edge Roughness of Chemically Amplified Resists Used for Extreme Ultraviolet Lithography

极紫外光刻用化学放大光刻胶吸收系数与线边缘粗糙度的关系

DOI：
发表时间：
2012
期刊：
J. Photopolym. Sci. Technol
影响因子：
0
作者：
小野浩之;ドドビバ・ジョルジ;定木淳;藤田豊久;Y. Nakamura;T. Kozawa
通讯作者：
T. Kozawa

Chemical Gradient of Contact Hole Latent Image Created in Chemically Amplified ExtremeUltraviolet Resists

化学放大极紫外光刻胶中产生的接触孔潜像的化学梯度

DOI：
10.7567/jjap.52.046502
发表时间：
2013
期刊：
Jpn. J. Appl. Phys
影响因子：
0
作者：
Takeshi Fujiwara;Mitsuru Uesaka;他;T. Kozawa and T. Hirayama
通讯作者：
T. Kozawa and T. Hirayama

Dynamics of Radical Cation of Poly(4-hydroxystyrene)-Based Chemically Amplified Resists for Extreme-Ultraviolet and Electron Beam Lithographies

用于极紫外和电子束光刻的聚（4-羟基苯乙烯）基化学放大抗蚀剂的自由基阳离子动力学

DOI：
10.1143/jjap.49.106501
发表时间：
2010
期刊：
Jpn. J. Appl. Phys.
影响因子：
0
作者：
K. Okamoto;M. Tanaka;T. Kozawa;and S. Tagawa
通讯作者：
and S. Tagawa

Effect of Molecular Weight and Protection Ratio on Latent Image Fluctuation of Chemically Amplified ExtremeUltraviolet Resists

分子量和防护率对化学放大极紫外光刻胶潜像波动的影响

DOI：
10.1143/jjap.51.126501
发表时间：
2012
期刊：
Jpn. J. Appl. Phys
影响因子：
0
作者：
J-A. Kim;G. Dodbiba;Y. Tanimura;K. Mitsuhashi;N. Fukuda;K. Okaya;S. Matsuo;T. Fujita;T. Kozawa
通讯作者：
T. Kozawa