In situ three-dimensional measurement of wide bandgap semiconductors with stimulated Raman scattering
In situ three-dimensional measurement of wide bandgap semiconductors with stimulated Raman scattering
利用受激拉曼散射对宽带隙半导体进行原位三维测量
批准号：
23H00271
负责人：
小関 泰之
金额：
$23.88万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
财政年份：
2023
资助国家：
日本
项目状态：
未结题
起止时间：
2023-04-01 至 2027-03-31
关键词：
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会议论文
誘導ラマンと機械学習による無標識・超多色・超解像イメージング
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批准号：23K17886
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项目类别：Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
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资助金额：$4.16万
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财政年份：2023
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负责人：小関 泰之
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依托单位：
海外基金
