Mottronics and new physical phenomena explored by electrostatic carrier density control.

通过静电载流子密度控制探索运动电子学和新物理现象。

• 批准号: 24244062
• 负责人: INOUE Isao
• 金额: $ 23.38万
• 依托单位: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
• 财政年份: 2012
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2012-05-31 至 2015-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-24244062/
• 关键词: 負の静電容量; モットFET; サブスレショルド・スイング; 易動度; 有機無機積層ゲート絶縁膜; 擬似モット転移; スピン軌道相互作用; パーコレーション; 有機無機積層ゲート絶縁体; 高易動度; EOT; モットトランジスタ; パリレン; 高誘電率酸化物; フォトリソグラフィー; 強相関酸化物; 超伝導; 強誘電体; ラシュバ効果; ハイブリッドゲート絶縁膜; タンタル酸化物; 遷移金属酸化物; 国際情報交換; 国際研究者交流

项目成果

Electrolyte-gated Mott transistor with large switching ratio at room temperature

室温下具有大开关比的电解质门控莫特晶体管

• 发表时间: 2013
• 作者: I.H.Inoue;P.-H.Xiang;S.Asanuma;H.Yamada;H.Sato;H.Akoh;A.Sawa;M.Kawasaki;Y.Iwasa
• 通讯作者: Y.Iwasa

Simulation of a Mott FET on SrTiO3

SrTiO3 上 Mott FET 的仿真

• 发表时间: 2013
• 作者: T. Morinari;Y. Suzumura;Inoue I H
• 通讯作者: Inoue I H

Dr. Isao H. Inoue

井上功博士

Enhanced and continuous electrostatic carrier doping for Mott transistor

莫特晶体管的增强型连续静电载流子掺杂

• 发表时间: 2013
• 作者: H. Ueda;Y. Tanaka;H. Nakajima;S. Mori;K. Ohta;K. Haruki;S. Hirose;Y. Wakabayashi;T. Kimura;I.H.Inoue
• 通讯作者: I.H.Inoue

Electrolyte-Gated SmCoO3 Thin-Film Transistors Exhibiting Thickness-Dependent Large Switching Ratio at Room Temperature

• DOI: 10.1002/adma.201204505
• 发表时间: 2013-04-18
• 期刊: ADVANCED MATERIALS
• 影响因子: 29.4
• 作者: Xiang, Ping-Hua;Asanuma, Shutaro;Iwasa, Yoshihiro
• 通讯作者: Iwasa, Yoshihiro