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Flexible electronics on mica substrates

Flexible electronics on mica substrates
云母基板上的柔性电子器件
批准号:
24245040
负责人:
FUJIOKA Hiroshi
金额:
$29.2万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
财政年份:
2012
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2012-05-31 至 2015-03-31

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Characterization of ultrathin InN films grown on YSZ substrates
YSZ 衬底上生长的超薄 InN 薄膜的表征
DOI: --
发表时间: 2012
期刊:
影响因子: --
作者: [K. Okubo, A. Kobayashi, J. Ohta, M. Oshima, and H. Fujioka]
通讯作者: and H. Fujioka
PSD 法によるC ドープGaN 薄膜の成長
PSD法生长C掺杂GaN薄膜
DOI: --
发表时间: 2013
期刊:
影响因子: --
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通讯作者: 渡辺拓人,丹所昂平,井上 茂,太田実雄,藤岡 洋
YSZ(111)基板上に作製したInN薄膜の特性
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DOI: --
发表时间: 2012
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发表时间: 2012
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通讯作者: 小林篤,梶間智文,玉木啓晶,太田実雄,尾嶋正治,藤岡洋
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    Development and evaluation of the new family support program in facilities for children with motor and intellectual disabilities
    • 批准号:
      24792517
    • 项目类别:
      Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
    • 资助金额:
      $2.08万
    • 财政年份:
      2012
    • 负责人:
      FUJIOKA Hiroshi
    • 依托单位:
    Evaluation of a Hospitai-based Intensive Training Program for children with disabilitise and their mothers
    Research on GaN Light Emitting Devices on Quasi-Single Crystal Metal Substrates
    • 批准号:
      14205123
    • 项目类别:
      Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
    • 资助金额:
      $35.28万
    • 财政年份:
      2002
    • 负责人:
      FUJIOKA Hiroshi
    • 依托单位:
    海外基金