Flexible electronics on mica substrates
Flexible electronics on mica substrates
批准号:
24245040
负责人:
FUJIOKA Hiroshi
金额:
$29.2万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
财政年份:
2012
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2012-05-31 至 2015-03-31
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Characterization of ultrathin InN films grown on YSZ substrates
YSZ 衬底上生长的超薄 InN 薄膜的表征
DOI:
--
发表时间:
2012
期刊:
影响因子:
--
作者:
[K. Okubo, A. Kobayashi, J. Ohta, M. Oshima, and H. Fujioka]
通讯作者:
and H. Fujioka
PSD 法によるC ドープGaN 薄膜の成長
PSD法生长C掺杂GaN薄膜
DOI:
--
发表时间:
2013
期刊:
影响因子:
--
作者:
[M. Tokui, T. Yamauchi, D. Miyoshi, H. Kamiya, A. Nishimura, and N. Sugimoto, S. Kikkawa, 渡辺拓人,丹所昂平,井上 茂,太田実雄,藤岡 洋]
通讯作者:
渡辺拓人,丹所昂平,井上 茂,太田実雄,藤岡 洋
YSZ(111)基板上に作製したInN薄膜の特性
YSZ(111)衬底上制备的InN薄膜的特性
DOI:
--
发表时间:
2012
期刊:
影响因子:
--
作者:
[横山 耕祐, 丹羽 三冬, 大島 孝仁, 大友 明, 和田健彦, 大久保佳奈,大関正彬,小林 篤,太田実雄,尾嶋正治,藤岡 洋]
通讯作者:
大久保佳奈,大関正彬,小林 篤,太田実雄,尾嶋正治,藤岡 洋
ZnO基板上へコヒーレント成長させた窒化物半導体薄膜の特性
ZnO衬底上共格生长氮化物半导体薄膜的特性
DOI:
--
发表时间:
2012
期刊:
影响因子:
--
作者:
[Matsuura T, Murakami M, Inoue R, Nishida K, Ogawa H, Ohta N, Kanaya T, 小林篤,梶間智文,玉木啓晶,太田実雄,尾嶋正治,藤岡洋]
通讯作者:
小林篤,梶間智文,玉木啓晶,太田実雄,尾嶋正治,藤岡洋
Nitride Devices Fabricated with Pulsed Sputtering Depositon
用脉冲溅射沉积制造氮化物器件
DOI:
--
发表时间:
2012
期刊:
影响因子:
--
作者:
[F. Bussolotti, J. Yang, A. Hinderhofer, S. Kera and N. Ueno, Hiroshi Fujioka]
通讯作者:
Hiroshi Fujioka
共 47 条
Development and evaluation of the new family support program in facilities for children with motor and intellectual disabilities
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批准号:24792517
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项目类别:Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
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资助金额:$2.08万
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财政年份:2012
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负责人:FUJIOKA Hiroshi
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依托单位:
Evaluation of a Hospitai-based Intensive Training Program for children with disabilitise and their mothers
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批准号:21890209
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项目类别:Grant-in-Aid for Research Activity Start-up
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资助金额:$1.26万
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财政年份:2009
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负责人:FUJIOKA Hiroshi
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依托单位:
Research on GaN Light Emitting Devices on Quasi-Single Crystal Metal Substrates
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批准号:14205123
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
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资助金额:$35.28万
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财政年份:2002
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负责人:FUJIOKA Hiroshi
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依托单位:
海外基金