Formation of relaxed Ge thin films by surfactant mediation and its application to devices

表面活性剂介导松弛Ge薄膜的形成及其在器件中的应用

• 批准号: 24246003
• 负责人: WASHIO KATSUYOSHI
• 金额: $ 30.2万
• 依托单位: Tohoku University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
• 财政年份: 2012
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2012-04-01 至 2015-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-24246003/
• 关键词: ゲルマニウム; カーボン; サーファクタント; 緩和; シリコン; 機能融合; ドット; 自己組織; 結晶成長; 量子ドット; 電子デバイス; 光素子; コミュニケーション

项目成果

Effect of carbon reaction temperature with Si(100) on Ge dot morphology

碳与Si(100)反应温度对Ge点形貌的影响

• 发表时间: 2015
• 作者: Y. Satoh;Y. Itoh;T. Kawashima;K. Washio
• 通讯作者: K. Washio

Effects of sub-monolayer carbon reaction at Si surface on Ge dot growth on Si(100)

Si表面亚单层碳反应对Si(100)上Ge点生长的影响

• 发表时间: 2014
• 作者: Yuhki Itoh;Shinji Hatakeyama;Tomoyuki Kawashima;Katsuyoshi Washio
• 通讯作者: Katsuyoshi Washio

Geバッファ層とサブ原子層カーボン導入によるGe/Siミキシングの抑制

通过引入Ge缓冲层和亚原子层碳抑制Ge/Si混合

• 发表时间: 2014
• 作者: 伊藤友樹;早瀬凌;畠山真慈;川島知之;鷲尾勝由
• 通讯作者: 鷲尾勝由

Transition of carbon binding states on Si(100) depending on substrate temperature and its effect on Ge growth

Si(100) 上碳结合态的转变取决于衬底温度及其对 Ge 生长的影响

• DOI: 10.1016/j.mee.2013.12.023
• 发表时间: 2014
• 期刊: Microelectronic Engineering
• 影响因子: 2.3
• 作者: Yuhki Itoh;Shinji Hatakeyama;Tomoyuki Kawashima;Katsuyoshi Washio
• 通讯作者: Katsuyoshi Washio

C/Ge/Si(100)構造におけるサブ原子層カーボンとGe成長温度のGe薄膜形成への影響

亚原子层碳和Ge生长温度对C/Ge/Si(100)结构Ge薄膜形成的影响

• 发表时间: 2015
• 作者: 伊藤友樹;畠山真慈;川島知之;鷲尾勝由
• 通讯作者: 鷲尾勝由