Formation of relaxed Ge thin films by surfactant mediation and its application to devices
Formation of relaxed Ge thin films by surfactant mediation and its application to devices
表面活性剂介导松弛Ge薄膜的形成及其在器件中的应用
批准号：
24246003
负责人：
WASHIO KATSUYOSHI
金额：
$30.2万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
财政年份：
2012
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2012-04-01 至 2015-03-31
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Effect of carbon reaction temperature with Si(100) on Ge dot morphology
碳与Si(100)反应温度对Ge点形貌的影响
碳与Si(100)反应温度对Ge点形貌的影响
DOI：
--
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Y. Satoh, Y. Itoh, T. Kawashima, K. Washio]
通讯作者：
K. Washio
Effects of sub-monolayer carbon reaction at Si surface on Ge dot growth on Si(100)
Si表面亚单层碳反应对Si(100)上Ge点生长的影响
Si表面亚单层碳反应对Si(100)上Ge点生长的影响
DOI：
--
发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Yuhki Itoh, Shinji Hatakeyama, Tomoyuki Kawashima, Katsuyoshi Washio]
通讯作者：
Katsuyoshi Washio
Geバッファ層とサブ原子層カーボン導入によるGe/Siミキシングの抑制
通过引入Ge缓冲层和亚原子层碳抑制Ge/Si混合
通过引入Ge缓冲层和亚原子层碳抑制Ge/Si混合
DOI：
--
发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
--
作者：
[伊藤友樹, 早瀬凌, 畠山真慈, 川島知之, 鷲尾勝由]
通讯作者：
鷲尾勝由
Transition of carbon binding states on Si(100) depending on substrate temperature and its effect on Ge growth
Si(100) 上碳结合态的转变取决于衬底温度及其对 Ge 生长的影响
Si(100) 上碳结合态的转变取决于衬底温度及其对 Ge 生长的影响
DOI：
10.1016/j.mee.2013.12.023
发表时间：
2014
期刊：
Microelectronic Engineering
影响因子：
2.3
作者：
[Yuhki Itoh, Shinji Hatakeyama, Tomoyuki Kawashima, Katsuyoshi Washio]
通讯作者：
Katsuyoshi Washio
C/Ge/Si(100)構造におけるサブ原子層カーボンとGe成長温度のGe薄膜形成への影響
亚原子层碳和Ge生长温度对C/Ge/Si(100)结构Ge薄膜形成的影响
亚原子层碳和Ge生长温度对C/Ge/Si(100)结构Ge薄膜形成的影响
DOI：
--
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
--
作者：
[伊藤友樹, 畠山真慈, 川島知之, 鷲尾勝由]
通讯作者：
鷲尾勝由
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