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GaAsBi laser diodes with low temperature dependence of lasing wavelength
激光波长温度依赖性较低的 GaAsBi 激光二极管
基本信息
- 批准号：24246008
- 负责人：
- 金额：$ 29.12万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
- 财政年份：2012
- 资助国家：日本
- 起止时间：2012-04-01 至 2015-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（28）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
GaAsBi Laser Diodes with Low Temperature Dependence of Lasing Wavelength
激光波长温度依赖性较低的 GaAsBi 激光二极管
- DOI：
- 发表时间：2015
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：S Schmidt;S Doring;F Schmidl;F Kurth;K Iida;B Holzapfel;T Kawaguchi;Y Mori;H Ikuta and P Seidel;M. Yoshimoto
- 通讯作者：M. Yoshimoto
発振波長の低い温度依存性を有するGaAsBiレーザダイオードの実現
振荡波长温度依赖性低的GaAsBi激光二极管的实现
- DOI：
- 发表时间：2014
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：冬木琢真;吉田憲司;吉岡 諒;吉本昌広
- 通讯作者：吉本昌広
MBE成長GaAs1-xBixレーザダイオードの室温発振
MBE 生长的 GaAs1-xBix 激光二极管的室温振荡
- DOI：
- 发表时间：2014
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：冬木琢真;吉田憲司;吉岡諒;吉本昌広
- 通讯作者：吉本昌広
Localized states in GaAsBi and GaAs/GaAsBi heterostructures
GaAsBi 和 GaAs/GaAsBi 异质结构中的局域态
- DOI：
- 发表时间：2013
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：金沢裕也;豊田史朗;大島一晟;鎌田憲彦;鹿島行雄;松浦恵里子;嶋谷聡;小久保光典;田代貴晴;大川貴史;上村隆一郎;長田大和;平山秀樹;M. Yoshimoto and T. Fuyuki
- 通讯作者：M. Yoshimoto and T. Fuyuki
レーザ発振を示すGaAs1-xBixのMBE成長と特性
GaAs1-xBix 的 MBE 生长和激光振荡特性
- DOI：
- 发表时间：2014
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：H. Yaku;T. Murashima;H. Tateishi-Karimata;S. Nakano;N. Sugimoto and D. Miyoshi;吉岡諒，冬木琢真，吉本昌広
- 通讯作者：吉岡諒，冬木琢真，吉本昌広
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MASAHIRO Yoshimoto其他文献
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