GaAsBi laser diodes with low temperature dependence of lasing wavelength
GaAsBi laser diodes with low temperature dependence of lasing wavelength
激光波长温度依赖性较低的 GaAsBi 激光二极管
批准号：
24246008
负责人：
MASAHIRO Yoshimoto
金额：
$29.12万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
财政年份：
2012
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2012-04-01 至 2015-03-31
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GaAsBi Laser Diodes with Low Temperature Dependence of Lasing Wavelength
激光波长温度依赖性较低的 GaAsBi 激光二极管
激光波长温度依赖性较低的 GaAsBi 激光二极管
DOI：
--
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
--
作者：
[S Schmidt, S Doring, F Schmidl, F Kurth, K Iida, B Holzapfel, T Kawaguchi, Y Mori, H Ikuta and P Seidel, M. Yoshimoto]
通讯作者：
M. Yoshimoto
発振波長の低い温度依存性を有するGaAsBiレーザダイオードの実現
振荡波长温度依赖性低的GaAsBi激光二极管的实现
振荡波长温度依赖性低的GaAsBi激光二极管的实现
DOI：
--
发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
--
作者：
[冬木琢真, 吉田憲司, 吉岡 諒, 吉本昌広]
通讯作者：
吉本昌広
Localized states in GaAsBi and GaAs/GaAsBi heterostructures
GaAsBi 和 GaAs/GaAsBi 异质结构中的局域态
GaAsBi 和 GaAs/GaAsBi 异质结构中的局域态
DOI：
--
发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
--
作者：
[金沢裕也, 豊田史朗, 大島一晟, 鎌田憲彦, 鹿島行雄, 松浦恵里子, 嶋谷聡, 小久保光典, 田代貴晴, 大川貴史, 上村隆一郎, 長田大和, 平山秀樹, M. Yoshimoto and T. Fuyuki]
通讯作者：
M. Yoshimoto and T. Fuyuki
MBE成長GaAs1-xBixレーザダイオードの室温発振
MBE 生长的 GaAs1-xBix 激光二极管的室温振荡
MBE 生长的 GaAs1-xBix 激光二极管的室温振荡
DOI：
--
发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
--
作者：
[冬木琢真, 吉田憲司, 吉岡諒, 吉本昌広]
通讯作者：
吉本昌広
レーザ発振を示すGaAs1-xBixのMBE成長と特性
GaAs1-xBix 的 MBE 生长和激光振荡特性
GaAs1-xBix 的 MBE 生长和激光振荡特性
DOI：
--
发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
--
作者：
[H. Yaku, T. Murashima, H. Tateishi-Karimata, S. Nakano, N. Sugimoto and D. Miyoshi, 吉岡諒，冬木琢真，吉本昌広]
通讯作者：
吉岡諒，冬木琢真，吉本昌広
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