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Investigation of Deep Levels in III-V Semiconductors Crystal using Photo Capacitance Method

使用光电容法研究 III-V 族半导体晶体的深层能级

基本信息

批准号：
16K18077
负责人：
Deki Manato
金额：
$ 2.75万
依托单位：
Nagoya University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
财政年份：
2016
资助国家：
日本
起止时间：
2016-04-01 至 2019-03-31
项目状态：
已结题

来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-16K18077/
关键词：
窒化ガリウム深い準位 DLTS DLOS SSPC MOSFET 界面準位 GaN SBD GaN-MIS Power Device Deep Levels GaN SBD 電子工学絶縁膜電子・電気材料電子デバイス・機器表面・界面物性

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（8）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

オフ角を有するm面GaN基板上GaN-MOSキャパシタの界面準位評価

m面GaN衬底上斜角GaN-MOS电容器的界面态评估

DOI：
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
0
作者：
Manato Deki、Kazushi Sone、Kenta Watanabe;Fumiya Watanabe;Kentaro Nagamatsu;Atsushi Tanaka;Maki Kushimoto;Shugo Nitta;Yoshio Honda;and Hiroshi Amano;出来真斗，安藤悠人，渡邉浩崇，田中敦之，久志本真希，新田州吾，本田善央，天野浩
通讯作者：
出来真斗，安藤悠人，渡邉浩崇，田中敦之，久志本真希，新田州吾，本田善央，天野浩

Crystal plane dependence of interface states density in c- and m-plane GaN MOS capacitors

c 面和 m 面 GaN MOS 电容器中界面态密度的晶面依赖性

DOI：
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
0
作者：
Manato Deki;Yuto Ando;Hirotaka Watanabe;Atsushi Tanaka;Maki Kushimoto;Shugo Nitta;Yoshio Honda1;and Hiroshi Amano
通讯作者：
and Hiroshi Amano

Deep Levels in Homoepitaxial m-plane GaN Schottky Barrier Diodes

同质外延 m 面 GaN 肖特基势垒二极管中的深能级

DOI：
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
0
作者：
M. Deki;Y. Ando;K.Nagamatsu;A. Tanaka;M. Kushimoto;S. Nitta;Y. Honda;and H. Amano
通讯作者：
and H. Amano

Improvement of Electrical Stability of ALD-Al203/GaN Interface by UV/03 Oxidation and Postdeposition Annealing

通过 UV/03 氧化和沉积后退火提高 ALD-Al2O3/GaN 界面的电稳定性

DOI：
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
0
作者：
Manato Deki、Kazushi Sone、Kenta Watanabe;Fumiya Watanabe;Kentaro Nagamatsu;Atsushi Tanaka;Maki Kushimoto;Shugo Nitta;Yoshio Honda;and Hiroshi Amano
通讯作者：
and Hiroshi Amano

GaN表面への酸化プロセスがALD-Al2O3/GaN界面の電気特性に与える影響

GaN表面氧化工艺对ALD-Al2O3/GaN界面电学性能的影响

DOI：
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
0
作者：
Manato Deki;Yuto Ando;Hirotaka Watanabe;Atsushi Tanaka;Maki Kushimoto;Shugo Nitta;Yoshio Honda1;and Hiroshi Amano;出来真斗,曾根和詩,永松謙太郎,田中敦之,久志本真希,新田州吾,本田善央,天野浩
通讯作者：
出来真斗,曾根和詩,永松謙太郎,田中敦之,久志本真希,新田州吾,本田善央,天野浩

DOI：
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Deki Manato其他文献

Effect of photoelectrochemical etching and post-metallization annealing on gate controllability of AlGaN/GaN high electron mobility transistors

光电化学刻蚀和金属化后退火对AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管栅极可控性的影响

DOI：
10.7567/1347-4065/ab06b9
发表时间：
2019
期刊：
Japanese Journal of Applied Physics
影响因子：
1.5
作者：
Uemura Keisuke;Deki Manato;Honda Yoshio;Amano Hiroshi;Sato Taketomo
通讯作者：
Sato Taketomo

Photoluminescence properties of implanted Praseodymium into Gallium Nitride at elevated temperatures

高温下将镨注入氮化镓的光致发光特性

DOI：
10.1016/j.nimb.2020.06.007
发表时间：
2020
期刊：
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms
影响因子：
0
作者：
Sato Shin-ichiro;Deki Manato;Nishimura Tomoaki;Okada Hiroshi;Watanabe Hirotaka;Nitta Shugo;Honda Yoshio;Amano Hiroshi;Ohshima Takeshi
通讯作者：
Ohshima Takeshi

Photoluminescence Properties of Praseodymium Ions Implanted into Micro-Regions in Gallium Nitride

氮化镓微区注入镨离子的光致发光特性

DOI：
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
0
作者：
Sato Shin-ichiro;Deki Manato;Nakamura Tohru;Nishimura Tomoaki;Stavrevski Daniel;Gibson Brant;Ohshima Takeshi
通讯作者：
Ohshima Takeshi

Photoluminescence properties of praseodymium ions implanted into submicron regions in gallium nitride

氮化镓亚微米区域镨离子注入的光致发光特性

DOI：
10.7567/1347-4065/ab142b
发表时间：
2019
期刊：
Japanese Journal of Applied Physics
影响因子：
1.5
作者：
Sato Shin-ichiro;Deki Manato;Nakamura Tohru;Nishimura Tomoaki;Stavrevski Daniel;Greentree Andrew D.;Gibson Brant C.;Ohshima Takeshi
通讯作者：
Ohshima Takeshi