Investigation of Deep Levels in III-V Semiconductors Crystal using Photo Capacitance Method
Investigation of Deep Levels in III-V Semiconductors Crystal using Photo Capacitance Method
批准号:
16K18077
负责人:
Deki Manato
金额:
$2.75万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
财政年份:
2016
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2016-04-01 至 2019-03-31
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オフ角を有するm面GaN基板上GaN-MOSキャパシタの界面準位評価
m面GaN衬底上斜角GaN-MOS电容器的界面态评估
DOI:
--
发表时间:
2018
期刊:
影响因子:
--
作者:
[Manato Deki、Kazushi Sone、Kenta Watanabe, Fumiya Watanabe, Kentaro Nagamatsu, Atsushi Tanaka, Maki Kushimoto, Shugo Nitta, Yoshio Honda, and Hiroshi Amano, 出来真斗,安藤悠人,渡邉浩崇,田中敦之,久志本真希,新田州吾,本田善央,天野浩]
通讯作者:
出来真斗,安藤悠人,渡邉浩崇,田中敦之,久志本真希,新田州吾,本田善央,天野浩
Crystal plane dependence of interface states density in c- and m-plane GaN MOS capacitors
c 面和 m 面 GaN MOS 电容器中界面态密度的晶面依赖性
DOI:
--
发表时间:
2018
期刊:
影响因子:
--
作者:
[Manato Deki, Yuto Ando, Hirotaka Watanabe, Atsushi Tanaka, Maki Kushimoto, Shugo Nitta, Yoshio Honda1, and Hiroshi Amano]
通讯作者:
and Hiroshi Amano
Deep Levels in Homoepitaxial m-plane GaN Schottky Barrier Diodes
同质外延 m 面 GaN 肖特基势垒二极管中的深能级
DOI:
--
发表时间:
2017
期刊:
影响因子:
--
作者:
[M. Deki, Y. Ando, K.Nagamatsu, A. Tanaka, M. Kushimoto, S. Nitta, Y. Honda, and H. Amano]
通讯作者:
and H. Amano
Improvement of Electrical Stability of ALD-Al203/GaN Interface by UV/03 Oxidation and Postdeposition Annealing
通过 UV/03 氧化和沉积后退火提高 ALD-Al2O3/GaN 界面的电稳定性
DOI:
--
发表时间:
2018
期刊:
影响因子:
--
作者:
[Manato Deki、Kazushi Sone、Kenta Watanabe, Fumiya Watanabe, Kentaro Nagamatsu, Atsushi Tanaka, Maki Kushimoto, Shugo Nitta, Yoshio Honda, and Hiroshi Amano]
通讯作者:
and Hiroshi Amano
GaN表面への酸化プロセスがALD-Al2O3/GaN界面の電気特性に与える影響
GaN表面氧化工艺对ALD-Al2O3/GaN界面电学性能的影响
DOI:
--
发表时间:
2018
期刊:
影响因子:
--
作者:
[Manato Deki, Yuto Ando, Hirotaka Watanabe, Atsushi Tanaka, Maki Kushimoto, Shugo Nitta, Yoshio Honda1, and Hiroshi Amano, 出来真斗,曾根和詩,永松謙太郎,田中敦之,久志本真希,新田州吾,本田善央,天野浩]
通讯作者:
出来真斗,曾根和詩,永松謙太郎,田中敦之,久志本真希,新田州吾,本田善央,天野浩
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