New Dopants for Creation of Next Generation Functional Silicon Devices
New Dopants for Creation of Next Generation Functional Silicon Devices
用于创建下一代功能硅器件的新掺杂剂
批准号：
24246017
负责人：
MIKI Kazushi
金额：
$28.7万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
财政年份：
2012
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2012-04-01 至 2016-03-31
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界面ナノ構造を利用したIV族半導体へのMn δドーピング
使用界面纳米结构在 IV 族半导体中进行 Mn δ 掺杂
使用界面纳米结构在 IV 族半导体中进行 Mn δ 掺杂
DOI：
--
发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
--
作者：
[三木一司，村田 晃一，新田 清文, 坪松 悟史, 金澤 孝, 坂田 修身, 寺田 靖子，宇留賀 朋哉]
通讯作者：
寺田 靖子，宇留賀 朋哉
NIMS界面機能グループ
NIMS接口功能组
NIMS接口功能组
DOI：
--
发表时间：
期刊：
影响因子：
--
作者：
[]
通讯作者：
Si(001)表面上へのMn 鎖及びMn シリサイド細線の形成
Si(001)表面Mn链和Mn硅化物线的形成
Si(001)表面Mn链和Mn硅化物线的形成
DOI：
--
发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
--
作者：
[H. Ooe, M. Fujii, M. Tomitori, T. Arai, 渡辺光一, 三木一司]
通讯作者：
三木一司
Si結晶中へのMnδドーピング : キャリア輸送特性評価
Si晶体中Mnδ掺杂：载流子传输特性评估
Si晶体中Mnδ掺杂：载流子传输特性评估
DOI：
--
发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
--
作者：
[村田晃一, 坪松悟史, 金澤孝, 古谷野有, 日塔光一, 三木一司]
通讯作者：
三木一司
Bi 原子細線をドーパント源とするSi 結晶中のBi δドーピング法：キャリア輸送特性評価
使用 Bi 原子线作为掺杂源的 Si 晶体中 Bi δ 掺杂方法：载流子传输特性的评估
使用 Bi 原子线作为掺杂源的 Si 晶体中 Bi δ 掺杂方法：载流子传输特性的评估
DOI：
--
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
--
作者：
[三木 一司，金澤 孝，村田 晃一, 日塔 光一]
通讯作者：
日塔 光一
共 37 条
Plasmon-resonant optics for exciting a two photon photochromic reaction or photoluminescence
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批准号：24656040
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项目类别：Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
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资助金额：$2.66万
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财政年份：2012
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负责人：MIKI Kazushi
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依托单位：
Plasmonic device towards high-efficiency photo reactor
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批准号：21656007
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项目类别：Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
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资助金额：$2.2万
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财政年份：2009
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负责人：MIKI Kazushi
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依托单位：
Novel delta doping technology with two or more dopants in silicon towards quantum information processing platform
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批准号：19206003
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
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资助金额：$25.88万
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财政年份：2007
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负责人：MIKI Kazushi
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依托单位：
海外基金