Development of vertical-type spin MOSFET with Schottky source and drain
Development of vertical-type spin MOSFET with Schottky source and drain
肖特基源漏垂直型自旋MOSFET的开发
批准号：
25246020
负责人：
Hamaya Kohei
金额：
$27.04万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
财政年份：
2013
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2013-04-01 至 2016-03-31
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Spin injection, detection and local magnetoresistance through Si at room temperature in ferrmagnet/MgO/Si lateral spin valves
铁磁体/MgO/Si 横向自旋阀中室温下通过 Si 的自旋注入、检测和局部磁阻
铁磁体/MgO/Si 横向自旋阀中室温下通过 Si 的自旋注入、检测和局部磁阻
DOI：
--
发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Y. Saito, M. Ishikawa, T. Inokuchi, H. Sugiyama, T. Tanamoto, N. Tezuka, K. Hamaya,]
通讯作者：
K. Hamaya,
DOI：
10.1063/1.4929888
发表时间：
2015-08-31
期刊：
APPLIED PHYSICS LETTERS
影响因子：
4
作者：
[Ishikawa, Mizue, Sugiyama, Hideyuki, Saito, Yoshiaki]
通讯作者：
Saito, Yoshiaki
Exchange coupling in metallic multilayers with a top FeRh layer
金属多层膜与顶部 FeRh 层的交换耦合
金属多层膜与顶部 FeRh 层的交换耦合
DOI：
10.1063/1.4943606
发表时间：
2016
期刊：
AIP Advances
影响因子：
1.6
作者：
[S. Yamada, K. Tanikawa, J. Hirayama, T. Kanashima, T. Taniyama, K. Hamaya]
通讯作者：
K. Hamaya
All-epitaxial Co2FeSi/Ge/Co2FeSi trilayers fabricated by Sn-induced low-temperature epitaxy
Sn诱导低温外延制备全外延Co2FeSi/Ge/Co2FeSi三层材料
Sn诱导低温外延制备全外延Co2FeSi/Ge/Co2FeSi三层材料
DOI：
10.1063/1.4940702
发表时间：
2016
期刊：
Journal of Applied Physics
影响因子：
3.2
作者：
[S. Yamada, K. Tanikawa, J. Hirayama, T. Kanashima, T. Taniyama, and K. Hamaya]
通讯作者：
and K. Hamaya
結晶性La2O3 /Ge(111)における電気特性のアニール効果
退火对晶体La2O3 /Ge(111)电性能的影响
退火对晶体La2O3 /Ge(111)电性能的影响
DOI：
--
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
--
作者：
[銭高 真人, 梶原 康裕, 山田 晋也, 浜屋宏平, 金島 岳]
通讯作者：
金島 岳
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