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Development of vertical-type spin MOSFET with Schottky source and drain

肖特基源漏垂直型自旋MOSFET的开发

基本信息

批准号：
25246020
负责人：
Hamaya Kohei
金额：
$ 27.04万
依托单位：
Osaka University (2014-2016)Kyushu University (2013)
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
财政年份：
2013
资助国家：
日本
起止时间：
2013-04-01 至 2016-03-31
项目状态：
已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（69）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

Spin injection, detection and local magnetoresistance through Si at room temperature in ferrmagnet/MgO/Si lateral spin valves

铁磁体/MgO/Si 横向自旋阀中室温下通过 Si 的自旋注入、检测和局部磁阻

DOI：
发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
0
作者：
Y. Saito;M. Ishikawa;T. Inokuchi;H. Sugiyama;T. Tanamoto;N. Tezuka;K. Hamaya,
通讯作者：
K. Hamaya,

Spin transport and accumulation in n+-Si using Heusler compound Co2FeSi/MgO tunnel contacts

DOI：
10.1063/1.4929888
发表时间：
2015-08-31
期刊：
APPLIED PHYSICS LETTERS
影响因子：
4
作者：
Ishikawa, Mizue;Sugiyama, Hideyuki;Saito, Yoshiaki
通讯作者：
Saito, Yoshiaki

Exchange coupling in metallic multilayers with a top FeRh layer

金属多层膜与顶部 FeRh 层的交换耦合

DOI：
10.1063/1.4943606
发表时间：
2016
期刊：
AIP Advances
影响因子：
1.6
作者：
S. Yamada;K. Tanikawa;J. Hirayama;T. Kanashima;T. Taniyama;K. Hamaya
通讯作者：
K. Hamaya

All-epitaxial Co2FeSi/Ge/Co2FeSi trilayers fabricated by Sn-induced low-temperature epitaxy

Sn诱导低温外延制备全外延Co2FeSi/Ge/Co2FeSi三层材料

DOI：
10.1063/1.4940702
发表时间：
2016
期刊：
Journal of Applied Physics
影响因子：
3.2
作者：
S. Yamada;K. Tanikawa;J. Hirayama;T. Kanashima;T. Taniyama;and K. Hamaya
通讯作者：
and K. Hamaya

結晶性La2O3 /Ge(111)における電気特性のアニール効果

退火对晶体La2O3 /Ge(111)电性能的影响

DOI：
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
0
作者：
銭高真人;梶原康裕;山田晋也;浜屋宏平;金島岳
通讯作者：
金島岳

DOI：
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作者：
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作者：
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Hamaya Kohei其他文献

Local Magnetoresistance at Room Temperature in Si<100> Devices

Si<100> 器件中室温下的局部磁阻

DOI：
10.1109/tmag.2018.2849753
发表时间：
2018
期刊：
IEEE Transactions on Magnetics
影响因子：
2.1
作者：
Ishikawa Mizue;Tsukahara Makoto;Yamada Michihiro;Saito Yoshiaki;Hamaya Kohei
通讯作者：
Hamaya Kohei

A drastic increase in critical thickness for strained SiGe by growth on mesa-patterned Ge-on-Si

通过在台面图案的硅基硅上生长，应变硅锗的临界厚度急剧增加

DOI：
10.35848/1882-0786/abd4c5
发表时间：
2021
期刊：
Applied Physics Express
影响因子：
2.3
作者：
Wagatsuma Youya;Alam Md. Mahfuz;Okada Kazuya;Yamada Michihiro;Hamaya Kohei;Sawano Kentarou
通讯作者：
Sawano Kentarou

(Invited) Strain Engineering of Si/Ge Heterostructures on Ge-on-Si Platform

（特邀）Ge-on-Si平台上Si/Ge异质结构的应变工程

DOI：
10.1149/09805.0267ecst
发表时间：
2020
期刊：
ECS Transactions
影响因子：
0
作者：
Sawano Kentarou;Youya Wagatsuma;Alam Md. M;Omata Kaisei;Niikura Kenta;Shibata Shougo;Hoshi Yusuke;Yamada Michihiro;Hamaya Kohei
通讯作者：
Hamaya Kohei

Long-distance spin transport in strained SiGe

应变 SiGe 中的长距离自旋输运

DOI：
发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
0
作者：
Naito Takahiro;Yamada Michihiro;Wagatsuma Youya;Sawano Kentarou;Hamaya Kohei
通讯作者：
Hamaya Kohei

線虫C.elegansの成虫と子孫との相互作用におけるネマトシンの制御機構の解析 Analysis of a nematocin-dependent soial interaction between adult and larvae C. elegans

线虫成虫和幼虫之间依赖线虫素的社会相互作用分析

DOI：
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
0
作者：
Yamada Michihiro;Kuroda Fumiaki;Tsukahara Makoto;Yamada Shinya;Fukushima Tetsuya;Sawano Kentarou;Oguchi Tamio;Hamaya Kohei;桜井　瞭
通讯作者：
桜井　瞭