Steigerung der Leistung von MOS-Bauelementen durch Stoßionisation

通过冲击电离提高 MOS 元件的性能

• 批准号: 46486005
• 负责人: Professor Dr. Ignaz Eisele
• 金额: --
• 依托单位: Institut für Theoretische Elektrotechnik (ITHE)
• 依托单位国家: 德国
• 项目类别: Research Grants
• 财政年份: 2007
• 资助国家: 德国
• 起止时间: 2006-12-31 至 2010-12-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/46486005?language=en
• 关键词: Steigerung; der; Leistung; von; MOS

Ein Großteil der elektrischen Verlustleistung von integrierten Schaltungen wird durch Leckströme verursacht, die mit jeder neuen Technologiegeneration noch zunehmen. Dies führt zu einem erhöhten Kühlaufwand und Energieverschwendung. Reduktion der Leckströme ist daher eines der wesentlichen Ziele der ITRS (International Technology Roadmap for Semiconductors). Durch das neuartige IMOS-Prinzip kann der Leckstrom eines Transistors deutlich gesenkt werden. Das am Institut für Physik der Universität der Bundeswehr entwickelte Konzept eines vertikalen I-MOS-Transistors ist zurzeit der viel versprechendste Ansatz dieser Art und soll genauer untersucht werden. Es muss im Detail geklärt werden, wie dieser Transistor funktioniert und wie man ihn auslegen muss, um eine optimale Leistung zu erzielen. Durch neue Oxidationsprozesse soll die maximale Prozesstemperatur reduziert werden, wodurch die Ausdiffundierung der hoch dotierten P-Schicht verhindert werden soll. Durch Einfügen einer verspannten SiGe-Schicht soll die Schwellspannung des Transistors auf ein mit modernen CMOS-Transistoren kompatibles Maß reduziert werden. Parallel zu den technologischen Untersuchungen soll ein Simulationsmodell entwickelt werden, mit dem die Funktionsweise des IMOS-Transistors untersucht und optimiert werden kann. Insbesondere die Ausschaltzeit und das Rauschverhalten des Transistors sind dabei von Interesse.

一个大规模的电气化整合的Schaltungen将通过Leckströme verursacht，与新技术的产生更加紧密。Dies führt zu einem erhöhten Kühlaufwand und Energieverschwendung. Reduktion der Leckströme ist daher eines der wesentlichen Ziele der ITRS（国际半导体技术路线图）。新一代的IMOS-Prinzip可以在Leckstrom上安装一个德国韦尔登。Das am Institut für Physik der Universität der Bundeswehr entwickelte Konzept eines vertikalen I-MOS-Transistors ist zurzeit der viel versprechendste Anchordieser Art und soll genauer untersucht韦尔登.它必须在细节上得到韦尔登，就像晶体管的功能一样，并且必须让人知道，一个最佳的选择。新的氧化过程有助于最大限度地减少韦尔登的使用，并使高磷含量的铅韦尔登溶解。DIGITAL Einfügen einer verspannten SiGe Schicht soll die Schwellspannung des Transistors auf ein mit modernen CMOS-Transistoren kompatiles major reduziert韦尔登.并行技术的研究需要一个仿真模型，它可以优化和优化MOS晶体管的功能。晶体管的应用和发展都是为了利益.