Vertikale MOS-Bauelemente mit Delta-Dotierprofilen

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Die Reduktion der MOS-Transistordimensionen führt zu zahlreichen Problemen, die unter anderem durch eine Optimierung der Dotierprofile verringert werden können. Dies erfordert bei lateralen Strukturen einen hohen technischen Aufwand. An vertikalen Bauelementen mit einer extrem genauen Prozeßkontrolle der Dotierprofile durch die Molekularstrahlepitaxie könnendiese Probleme einfacher untersucht werden. Es lassen sich wertvolle Hinweise bezüglich des Einflusses von Dotierfluktuationen gewinnen. Ein geeignetes "Channel Engineering" erlaubt es die physikalischen und technologischen Grenzen der Transistoren systematisch auszuloten. Mit diesem Basiswissen sollen Lösungswege erarbeitet werden, die sich auch problemlos auf laterale "Main stream" Konzepte übertragen lassen. Zusätzlich ermöglicht der vertikale Aufbau eine sehr hohe Packungsdichte.Ein weiterer Forschungsschwerpunkt betrifft die Zuverlässigkeit und Reproduzierbarkeit der Bauelemente. Die hohen elektrischen Feldstärken führen zu sogenannten "heißen" Elektronen und Löchern, die zu Schädigungen führen können. Aufgrund der geringen Abmessungen genügen bereits einige wenige Haftstellen auf einer Länge von 100nm um die Kennlinien drastisch zu verändern. Eine Parameterevaluierung ist hier durch die gezielte Variation der eingebauten Dotierprofile geplant.