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Production of high-density hydrogen plasma by a novel hollow-shaped magnetized discharge for performing high output negative ion source

一种新型中空型磁化放电产生高密度氢等离子体的高输出负离子源

基本信息

批准号：
22H01196
负责人：
大津康徳
金额：
$ 11.07万
依托单位：
Saga University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2022
资助国家：
日本
起止时间：
2022-04-01 至 2026-03-31
项目状态：
未结题

项目摘要

核融合エネルギーのキー技術となる核融合プラズマ加熱電流型中性粒子ビーム装置では、低気圧かつ高密度プラズマを有する高出力の負イオン源が必要とされている。そのプラズマ生成方式には、誘導結合型放電方式と熱陰極を用いた直流アーク放電方式があり、精力的に研究が行われている。しかしながら、それらの放電を長時間安定駆動させるためには、「アルカリ金属フリー」、「高密度・低電子温度」、「メンテナンスフリー」の３つが、核融合プラズマの安定駆動の観点から大きな障壁となっており、喫緊かつ切迫した課題である。本研究では、「非アルカリ金属表面のナノ構造化」した「ネオホロー電極」により、「アルカリ金属フリー」「高密度・低電子温度」「メンテナンスフリー」を実現させる新規ホロー磁化放電を確立し、高密度水素プラズマ生成を実現することを目的とする。水素ラジカル源を追加したホロー電極を用いた高周波ハイブリッドプラズマCVD装置を構築した。高周波容量結合プラズマ装置の側面から誘導結合放電型（ICP)水素ラジカル発生装置、メタンガスと水素ガスの流量計を接続し、装置下部に基板加熱付きホルダーを設置した。以下の具体的な研究を実施した。基板ホルダーの加熱ヒーターから不純物（水分や油分）を除去するために、延べ1週間半の期間、ヒーターを４５０℃まで加熱させてデガスを行った。その後、プラズマ特性を明らかにするために、高周波ハイブリッドプラズマCVD装置内にラングミュアプローブを挿入し、容器壁に対して-70Vにバイアスしたときにプローブに流入するイオン飽和電流を計測し、高周波ハイブリッドプラズマCVD装置の特性を明らかにした。具体的にプラズマ密度は全体電力でなく、容量結合プラズマ電力に強く依存することが分かった。

Nuclear fusion technology is essential for heating current-type neutral particle systems with low voltage, high density and high output. The method of formation is induced and combined with the method of hot cathode. 3. Nuclear fusion: the point of stability: large barrier: tight pressure. This study aims to establish new rules for the realization of "non-metallic surface texture,""organic electrode,""organic metal surface texture,""high density, low electron temperature," and "high density, low electron temperature," and "high density, high electron temperature, high electron density, high electron density." The water source is added to the high frequency CVD device The bottom of the high-frequency capacity combination device is connected to the induction combination liquid-generating device, the liquid-generating flowmeter, and the substrate heating device is set at the lower part of the device. The following specific studies are carried out. The substrate is heated to 450℃ for a period of one and a half weeks to remove impurities (moisture and oil). The characteristics of the CVD device are as follows: 1. The saturation current of the CVD device is measured at-70V and the characteristics of the CVD device are as follows: Specific power density depends on the overall power density and capacity combination.