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電子ビーム注入による浮遊微粒子の空間分布制御

电子束注入悬浮颗粒的空间分布控制

基本信息

批准号：
13780389
负责人：
大津康徳
金额：
$ 1.34万
依托单位：
Saga University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
财政年份：
2001
资助国家：
日本
起止时间：
2001 至 2002
项目状态：
已结题

项目摘要

本研究では、負バイアスしたメッシュ電極裏側から電子ビームを注入することにより、電極近傍の電位構造を変化させ、電極前面の浮遊微粒子の空間分布を制御することを目的とした。更に、メッシュ電極に、高周波電圧を印加して、実際のプロセスプラズマ中での浮遊微粒子の挙動も検討した。本年度は、(1)高周波バイアスした電極近傍における浮遊微粒子の空間挙動計測、(2)高周波振動電位分布の計測、(3)スパッタ法による微粒子導入の検討及び空間分布の計測について検討を行った。(1)高周波バイアス電極近傍における浮遊微粒子の空間分布計測導入微粒子として、Al、SiO_2、SiCの微粒子を使用し、振動法により、プラズマ中に導入し浮遊させた。これらの微粒子は、電極近傍では、電極シース構造に起因する円環状の空間分布を示すことが分かった。(2)高周波振動電位分布の計測エミッシブプローブを用いたinflection point法により、高周波電極近傍の電位分布の計測を行った。電極近傍には、イオンシースを形成する電位構造になることが分かった。更に、印加する電圧を増加させると、シース電位も負に深くなる構造になることが分かった。(3)スパッタ法による微粒子導入の検討と空間分布の計測スパッタ電極には、グラファイト円板を用いた。スパッタ微粒子を発生させるために、電極に高周波電力300Wを10分間注入し、その後、凝集成長させるために、10W程度に低下させて実験を行った。スパッタ微粒子の観測には、半導体レーザーによる光散乱法を用いた。浮遊微粒子の空間構造は、凝集成長による粒径の増加に伴い、電極近傍で、様々な空間挙動の時間推移を示した。具体的には、10Wに低下させた時間から、微粒子ははじめ電極端部に浮遊し、その後、凝集による粒径の増加により、中央部に移動し、最後には、重力と微粒子に作用する他の力との不均衡により、落下することが分かった。

In this study, the negative electrode is injected into the back side of the electrode, and the electrode is The potential structure in the vicinity is changed, and the spatial distribution of floating particles in front of the electrode is controlled and controlled. Change the electrode, the high-frequency electric voltage, the high-frequency electric pressure, the high-frequency electrostatic pressure, the high-frequency electrostatic pressure, the high-frequency electric voltage, the high-frequency electrostatic pressure, the high-frequency electrostatic pressure, the high-frequency electrostatic pressure, the high-frequency electromagnetic shock absorber, and the floating micro-particles in the high-frequency circuit. This year, (1) high-frequency vibration measurement of floating microparticles near the electrode, (2) high-frequency vibration Measurement of potential distribution, (3) Suppressor method, measurement of introduction of fine particles and measurement of spatial distribution. (1) Measurement of the spatial distribution of floating microparticles near the high-frequency バイアス electrode and the introduction of microparticles として, Al , SiO_2, SiC microparticles are used, vibration method is used, and プラズマ中に is introduced into floating させた. The microparticles, the electrode proximity, and the electrode structure are caused by the ring-shaped spatial distribution and the points are divided. (2) The high-frequency vibration potential distribution is measured using the inflection point method, and the potential distribution near the high-frequency electrode is measured using the method. The electrodes are close to each other and the electrodes are close to each other to form a potential structure. Updated, Inca's electric voltage is increased, and シース's potential is negative and deep, and structure is divided into かった. (3) The スパッタ method is used to introduce fine particles and measure the spatial distribution, using スパッタ electrodes and グラファイト円plates.スパッタFine particle を発生させるために、Electrode にHigh frequency power 300Wを10 minutes note After entering し, その, it condenses into させるために and 10W level low させて実験を行った.スパッタFine particle measurement method, semiconductor measurement method and light scattering method. The spatial structure of floating microparticles, the growth of agglomerated particles, the increase in particle size, the proximity of electrodes, and the time lapse of movement in space are shown. Specifically, 10W is low, the time is low, the microparticles are floating at the electrode end, the back is agglomerated, and the particle size is increased.より, central part にmove し, last には, gravity and fine particles にeffect するhis force とのunbalanced により, falling することが分かった.