擬単結晶化合物発電層の創製および高靭性を有す太陽電池設計と曲げ特性の理解

赝单晶化合物发电层的制作、高韧性太阳能电池的设计、弯曲特性的理解

• 批准号: 22H01531
• 负责人: 西村 昂人
• 金额: $ 11.56万
• 依托单位: Tokyo Institute of Technology
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
• 财政年份: 2022
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2022-04-01 至 2026-03-31
• 项目状态: 未结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-22H01531/
• 关键词: 格子歪; エピタキシャル成長; 両面受光太陽電池; 剥離技術; ヤング率; 擬単結晶; フレキシブル太陽電池; 素子剥離技術; 曲げ応力

本年度は，平坦性を有するCu(In,Ga)Se2/MoSe2/Mo積層構造を実現するための要素技術の開発に取り組んだ．単結晶サファイア基板を用いることにより，従来のガラス基板上で形成されたMo薄膜より高い平坦性を有したMo薄膜が得られることを見出した．さらに，このMo薄膜上に，分子線エピタキシー装置を用いた多元同時蒸着法によりCu(In,Ga)Se2を形成することで，MoとCu(In,Ga)Se2との構造界面においてMoSe2層状物質が自然形成されることが明らかとなった．これは，Cu(In,Ga)Se2の成長過程において，Mo金属表面でセレン化反応が進行したことを示すものである．以上の検討を通じて，従来より高い平坦性を有したCu(In,Ga)Se2/MoSe2/Mo積層構造を実現することができた．

This year, Cu(In,Ga) Se2/MoSe2/Mo multilayer structures with flatness have been developed. A Mo thin film is formed on a crystalline substrate with high flatness. Mo thin film, molecular wire, etc. are used in the multi-dimensional simultaneous evaporation method for the formation of Cu (In, Ga) Se2. In this paper, Cu(In,Ga)Se2 growth process, Mo metal surface to change the reaction process. The above discussion shows that Cu(In,Ga) Se2/MoSe2/Mo multilayer structure has high flatness.