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擬単結晶化合物発電層の創製および高靭性を有す太陽電池設計と曲げ特性の理解

擬単結晶化合物発電層の創製および高靭性を有す太陽電池設計と曲げ特性の理解
赝单晶化合物发电层的制作、高韧性太阳能电池的设计、弯曲特性的理解
批准号：
22H01531
负责人：
西村 昂人
金额：
$11.56万
依托单位：
Tokyo Institute of Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2022
资助国家：
日本
项目状态：
未结题
起止时间：
2022-04-01 至 2026-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-22H01531/
关键词：
格子歪エピタキシャル成長両面受光太陽電池剥離技術ヤング率擬単結晶フレキシブル太陽電池素子剥離技術曲げ応力

项目摘要

项目成果

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中文摘要
翻译
本年度は，平坦性を有するCu(In,Ga)Se2/MoSe2/Mo積層構造を実現するための要素技術の開発に取り組んだ．単結晶サファイア基板を用いることにより，従来のガラス基板上で形成されたMo薄膜より高い平坦性を有したMo薄膜が得られることを見出した．さらに，このMo薄膜上に，分子線エピタキシー装置を用いた多元同時蒸着法によりCu(In,Ga)Se2を形成することで，MoとCu(In,Ga)Se2との構造界面においてMoSe2層状物質が自然形成されることが明らかとなった．これは，Cu(In,Ga)Se2の成長過程において，Mo金属表面でセレン化反応が進行したことを示すものである．以上の検討を通じて，従来より高い平坦性を有したCu(In,Ga)Se2/MoSe2/Mo積層構造を実現することができた．
英文摘要
本年度は，平坦性を有するCu(In,Ga)Se2/MoSe2/Mo積層構造を実現するための要素技術の開発に取り組んだ．単結晶サファイア基板を用いることにより，従来のガラス基板上で形成されたMo薄膜より高い平坦性を有したMo薄膜が得られることを見出した．さらに，このMo薄膜上に，分子線エピタキシー装置を用いた多元同時蒸着法によりCu(In,Ga)Se2を形成することで，MoとCu(In,Ga)Se2との構造界面においてMoSe2層状物質が自然形成されることが明らかとなった．これは，Cu(In,Ga)Se2の成長過程において，Mo金属表面でセレン化反応が進行したことを示すものである．以上の検討を通じて，従来より高い平坦性を有したCu(In,Ga)Se2/MoSe2/Mo積層構造を実現することができた．
期刊论文(4)
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会议论文
擬単結晶化合物発電層の創製および高靭性を有す太陽電池設計と曲げ特性の理解
  • 批准号：
    23K22801
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
  • 资助金额：
    $2.16万
  • 财政年份：
    2024
  • 负责人：
    西村 昂人
  • 依托单位：
    Tokyo Institute of Technology
カルコパイライト構造化合物薄膜太陽電池の性能向上に向けた新規界面制御技術の開発
  • 批准号：
    17J09890
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
  • 资助金额：
    $1.22万
  • 财政年份：
    2017
  • 负责人：
    西村 昂人
  • 依托单位：
    Tokyo Institute of Technology
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