Process development and characterization of edge-selective termination of 2D atomic-layer semiconductors
二维原子层半导体边缘选择性终止的工艺开发和表征
基本信息
- 批准号:22H01912
- 负责人:
- 金额:$ 10.9万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
- 财政年份:2022
- 资助国家:日本
- 起止时间:2022-04-01 至 2025-03-31
- 项目状态:未结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
従来のシリコン等の3次元半導体と違い、面内で結合が閉じた2次元構造を有する原子層半導体の場合、完全結晶では表面にダングリングボンドが無いため、ダングリングボンドの影響が軽視されてきた。しかし、エッジのダングリングボンドがデバイス特性に及ぼす影響はマイクロメートルスケールに渡り得るため、エッジに局在する電子状態(=エッジ状態)の低減手法の確立が必要である。本研究では、高集積化技術との親和性が高いエッジ選択的終端化プロセスを採用し、エッジ選択的終端化がデバイス特性に及ぼす影響の包括的理解を目指している。これまでに、代表的な原子層半導体である二硫化モリブデンを用いた電界効果トランジスタに関し、フッ素による終端化効果を調査してきたところ、特異な閾値電圧スイッチング現象を見出した。これは、ドレイン電圧の値に応じて電流が流れ始めるのに必要なゲート電圧値(閾値電圧と呼ばれる)がシフトするというものである。ドレイン電圧印加に伴い閾値電圧がシフトする現象はこれまでにも知られていたものの、そこから予想される閾値電圧シフト量よりも非常に大きなシフトが見られており、別の現象に基づくものと推定される。適切なエッジ終端化処理プロセスの確立のためにも、新たに見出したこの閾値電圧シフトの背景物理を明らかにしなくてはならない。また、別の視点に立てば、新規なメモリ素子への応用展開が期待される現象でもあるため、本研究の本来の目的を超えた成果を得たといえる。
In the case of atomic layer semiconductors, such as those in the future, the influence of the in-plane bonding on the in-plane bonding It is necessary to establish a reduction method for electronic state (= state) in the case of electronic state (= state) in the case of electronic state. This study aims at understanding the compatibility of high integration technology with terminal applications, terminal application characteristics, and impact factors. The results of the investigation of the termination of atomic layer semiconductors represented by sulfur dioxide and sulfur dioxide were reported. The voltage value of the current is the threshold value of the current. The phenomenon of threshold voltage is not known, and the phenomenon of threshold voltage is not presumed. The termination process is established, the new threshold voltage is detected, and the background physics is detected The original purpose of this study is to achieve the desired results.
项目成果
期刊论文数量(4)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Operando Electrical Characterization of Methane Oxidation with Atomically Thin Iridium Dioxide Nanosheets
原子薄二氧化铱纳米片对甲烷氧化的操作电学表征
- DOI:
- 发表时间:2022
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Yoshiaki Ishihara;Takanori Koitaya;Wataru Sugimoto;Susumu Yamamoto;Iwao Matsuda;Jun Yoshinobu;and Ryo Nouchi
- 通讯作者:and Ryo Nouchi
ソース・ドレイン電極厚さによる貼り付け型有機単結晶FETの水誘起動作不安定性の制御
通过源极和漏极厚度控制键合有机单晶 FET 的水引起的操作不稳定性
- DOI:
- 发表时间:2022
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:濱比嘉勇人;野内亮
- 通讯作者:野内亮
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ patent.updateTime }}
野内 亮其他文献
六方晶窒化ホウ素を基板としたVO2薄膜の成長とデバイス応用
以六方氮化硼为衬底生长VO2薄膜及器件应用
- DOI:
- 发表时间:
2020 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
山本 真人;玄地 真悟;神吉 輝夫;野内 亮;谷口 尚;渡邊 賢司;田中 秀和 - 通讯作者:
田中 秀和
VO2/MoS2界面におけるフェルミレベルピンニング
VO2/MoS2 界面处的费米能级钉扎
- DOI:
- 发表时间:
2019 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
山本 真人;野内 亮;神吉 輝夫;中払 周;服部 梓;谷口 尚;渡邊 賢司;若山 裕;上野 啓司;田中 秀和 - 通讯作者:
田中 秀和
WSe2/MoS2ヘテロ積層構造への分子接面による電子状態の変調
WSe2/MoS2 异质叠层结构上分子界面的电子态调制
- DOI:
- 发表时间:
2021 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
四谷 祥太郎;松山 圭吾;福井 暁人;野内 亮;吉村 武;芦田 淳;藤村 紀文;桐谷 乃輔 - 通讯作者:
桐谷 乃輔
野内 亮的其他文献
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
{{ truncateString('野内 亮', 18)}}的其他基金
原子層半導体のエッジ選択的終端化とその効果の解明
原子层半导体的边缘选择性终止及其效果的阐明
- 批准号:
23K23180 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 10.9万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
相似海外基金
ナノグラフェンのエッジ状態の解明を指向した縮合多環芳香族化合物の設計・合成・物性
旨在阐明纳米石墨烯边缘态的稠合多环芳香族化合物的设计、合成和物理性质
- 批准号:
11J00189 - 财政年份:2011
- 资助金额:
$ 10.9万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
エッジ状態を利用したグラフェンにおける超伝導の探索
使用边缘态搜索石墨烯中的超导性
- 批准号:
21654051 - 财政年份:2009
- 资助金额:
$ 10.9万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
ナノグラフェンのエッジ状態と特異な磁性発現
纳米石墨烯的边缘态和独特的磁性表达
- 批准号:
20245030 - 财政年份:2008
- 资助金额:
$ 10.9万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
整数・分数量子ホール状態の2次元電子系におけるエッジ状態の空間分布
具有整数和分数量子霍尔态的二维电子系统中边缘态的空间分布
- 批准号:
10740170 - 财政年份:1998
- 资助金额:
$ 10.9万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
相互作用のある2層量子ホール系におけるエッジ状態の伝導と局所分光
相互作用的两层量子霍尔系统中的边缘态传导和局域光谱
- 批准号:
09750004 - 财政年份:1997
- 资助金额:
$ 10.9万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
多様な形状の2次元電子系におけるエッジ状態の磁気静電容量と量子伝導による研究
各种形状二维电子系统静磁电容与边缘态量子传导研究
- 批准号:
07227216 - 财政年份:1995
- 资助金额:
$ 10.9万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
多様な形状の2次元電子系におけるエッジ状態の磁気静電容量と量子伝導による研究
各种形状二维电子系统静磁电容与边缘态量子传导研究
- 批准号:
06238216 - 财政年份:1994
- 资助金额:
$ 10.9万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas