多様な形状の2次元電子系におけるエッジ状態の磁気静電容量と量子伝導による研究

各种形状二维电子系统静磁电容与边缘态量子传导研究

• 批准号: 07227216
• 负责人: 邑瀬 和生
• 金额: $ 1.47万
• 依托单位: Osaka University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
• 财政年份: 1995
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 1995 至 无数据
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-07227216/
• 关键词: 2次元電子系; 量子ホール効果; エッジ状態; 電気容量; アンチドット; 磁気電子フォーカス効果; 非局所伝導

GaAs/AlGaAs2次元電子系を様々な形状に加工した試料における量子伝導を電気容量の磁場変化の精密測定と電気伝導度の測定を手段として研究した。(1)量子ホール状態での電気容量の測定により、通常のメサエッチングで作製したホールバ-でのエッジチャネルの拡がりがμmのオーダーであることを見いだした。また、量子ホール・プラトーでの局在状態の電気伝導度を電気容量の測定から10^<-12>S程度まで求め、その温度依存性を調べた。(2)様々な形状のGaAs/AlGaAs試料で非局所抵抗を測定し、エッジチャネルとバルク状態とのエネルギー緩和を調べた。(3)アンチドット構造に配列の乱れや非対称性を導入し、磁気抵抗に現れる振動について詳しく調べた。電流と直交した方向の伝導度が振動の磁場周期を決めていることが分かった。(4)様々な試料構造で磁気電子フォーカス効果を調べ、バリスティック伝導における端子からの電子の出射分布や電子の反射について調べた。(5)多結晶Si-MOS FETの低温での電気伝導を詳しく調べ、弱局在からホッピング伝導を示す強局在にわたる領域を研究した。

GaAs/AlGaAs2 dimensional an electronics を others 々 な shape に processing し た sample に お け る quantum 伝 guide 気 を electricity capacity の precision measuring magnetic field variations change の と electric 気 伝 conductance の determination を means と し て research し た. (1) quantum ホ ー ル state で の 気 の electricity capacity determination に よ り, usually の メ サ エ ッ チ ン グ で cropping し た ホ ー ル バ - で の エ ッ ジ チ ャ ネ ル の company が り が microns の オ ー ダ ー で あ る こ と を see い だ し た. ま た, quantum ホ ー ル · プ ラ ト ー で の bureau in state の electricity 気 伝 の conductance 気 を electricity capacity determination か ら 10 ^ < - > 12 S degree ま で め, そ の temperature dependence を べ た. (2) others 々 な shape の GaAs/AlGaAs sample で bureau を resistance measurement し, エ ッ ジ チ ャ ネ ル と バ ル ク state と の エ ネ ル ギ ー ease を adjustable べ た. (3) ア ン チ ド ッ に ト structure with column の disorderly れ や non said seaborne を import し, magnetic 気 resistance に now れ る vibration に つ い て detailed し く adjustable べ た. Direction of current と rectangular し た の 伝 の magnetic conductance が vibration cycle を definitely め て い る こ と が points か っ た. (4) others 々 な sample structure で magnetic 気 electronic フ ォ ー カ ス unseen fruit を べ, バ リ ス テ ィ ッ ク 伝 guide に お け る terminal か ら の electronic distribution や の out shoot の reflection に つ い て adjustable べ た. (5) more crystalline Si - MOS FET の cryogenic で の electric 気 伝 guide を detailed し く べ, weak bureau in か ら ホ ッ ピ ン グ 伝 guide を shown す QiangJu in に わ た る を research し た.

项目成果

K. Tsukagoshi: "Current Direction Dependent Commensurate Oscillations in GaAs/AlGaAs Antidot Superlattice." Jpn. J. Appl. Phys.34. 4335-4337 (1995)

K. Tsukagoshi：“GaAs/AlGaAs 反点超晶格中电流方向相关的相应振荡。”

K. Tsukagoshi: "On the Mechanism of Commensurability Oscillations in Anisotropic Antidot Lattice" J. Phys. Soc. Jpn.(印刷中).

K. Tsukagoshi：“论各向异性反点晶格中的可通约振荡机制”J. Phys Jpn。

S. G. Inoue: "Magnetic Electron Focusing Effect in GaAs/AlGaAs Heterostructure with a Gate-Controlled Byway Channel," Jpn. J. Appl. Phys.34. 4329-4331 (1995)

S. G. Inoue：“具有栅极控制旁道通道的 GaAs/AlGaAs 异质结构中的磁电子聚焦效应”，Jpn。

K. Oto: "Evaluation of Edge Channel Width by Frequency Dependence of Capacitance Minima in Quantum Hall Regine," Jpn. J. Appl. Phys.34. 4332-4334 (1995)

K. Oto：“通过量子霍尔调节中电容最小值的频率依赖性来评估边缘通道宽度”，Jpn。

T. Serikawa: "Grain Boundary Structure and Bandtail Transport in Higt-Mobility Poly Si TFTs" Proc. The 1995 Int. Conf. Solid State Devices and Materials, Osaka, Japan,. 662-664 (1995)

T. Serikawa：“高迁移率多晶硅 TFT 中的晶界结构和带尾传输”Proc。