Elucidation of polymorphs and novel properties of SiGe alloys developed by high-pressure phase transformations
阐明高压相变开发的 SiGe 合金的多晶型和新特性
基本信息
- 批准号:23H01712
- 负责人:
- 金额:$ 12.4万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
- 财政年份:2023
- 资助国家:日本
- 起止时间:2023-04-01 至 2026-03-31
- 项目状态:未结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
项目成果
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数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ patent.updateTime }}
生駒 嘉史其他文献
超伝導体レニウムにおける巨大ひずみ加工の効果
大应变处理对超导体铼的影响
- DOI:
- 发表时间:
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- DOI:
- 发表时间:
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小池章高,小栗章,田中洋一
生駒 嘉史的其他文献
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
{{ truncateString('生駒 嘉史', 18)}}的其他基金
高圧相変態が拓くシリコン―ゲルマニウム合金の結晶多型と新奇物性解明
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超声速自由喷射CVD法形成SiC/Si多层量子结构
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$ 12.4万 - 项目类别:
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96J00720 - 财政年份:1998
- 资助金额:
$ 12.4万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
相似国自然基金
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- 批准号:69776009
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Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
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自旋轨道相互作用调制的半导体量子限域场中空穴的自旋织构
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20J11391 - 财政年份:2020
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$ 12.4万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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- 批准号:
60550235 - 财政年份:1985
- 资助金额:
$ 12.4万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)