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分子回帰反応の創出による2次元半導体の自己電子機能化
通过分子回归反应实现二维半导体的自电子功能化
基本信息
- 批准号：23H01798
- 负责人：
- 金额：$ 12.31万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
- 财政年份：2023
- 资助国家：日本
- 起止时间：2023-04-01 至 2026-03-31
- 项目状态：未结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
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桐谷 乃輔其他文献
Quantum Molecular Spintronics Based on Single-Molecule Magnets: MOF-Spintronics and Highly Density Memory Devices
基于单分子磁体的量子分子自旋电子学：MOF自旋电子学和高密度存储器件
- DOI：
- 发表时间：
2019 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
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M. Yamashita
ALD法を用いて作成したSi直上Al:HfO2準安定相の結晶化過程
使用 ALD 方法直接在 Si 上形成 Al:HfO2 亚稳相的结晶过程
- DOI：
- 发表时间：
2020 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
宝栄 周弥;桐谷 乃輔;吉村 武;芦田 淳;藤村 紀文 - 通讯作者：
藤村 紀文
パラフィン被覆によるWS2発光強度向上のメカニズムの考察
石蜡涂层提高WS2发射强度机理探讨
- DOI：
- 发表时间：
2021 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
中原 隆宏;吉村 武;藤村 紀文;桐谷 乃輔 - 通讯作者：
桐谷 乃輔
UV光照射による分子接面単層MoS2の超高発光化とそのメカニズムの検討
紫外光照射下分子界面单层MoS2的超高发光及其机理研究
- DOI：
- 发表时间：
2020 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
山田 悠貴;吉村 武，芦田 淳，藤村 紀文，篠北 啓介;松田 一成;桐谷 乃輔 - 通讯作者：
桐谷 乃輔
2次元半導体トランジスタによる夾雑溶液内DMF分子センサの開発
利用二维半导体晶体管开发污染溶液中的DMF分子传感器
- DOI：
- 发表时间：
2020 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
福井 暁人;尾上 弘晃;板井 駿;石倉 恵子;池野 豪一;長田 貴弘;土方 優;Jenny Pirillo ;吉村 武 ,芦田 淳;藤村 紀文;桐谷 乃輔 - 通讯作者：
桐谷 乃輔
桐谷 乃輔的其他文献
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{{ truncateString('桐谷 乃輔', 18)}}的其他基金
分子回帰反応の創出による2次元半導体の自己電子機能化
通过分子回归反应实现二维半导体的自电子功能化
- 批准号：
23K26491 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 12.31万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
脳型コンピュータの革新:浮遊MoS2ダブルゲート動作型メモリスタ
脑机创新：浮动MoS2双栅忆阻器
- 批准号：
24KF0026 - 财政年份：2024
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$ 12.31万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
外場誘起分子内分子電子移動と柔軟応答構造の連動によるミクロ・マクロ物性の協同的制御
通过连接外场诱导的分子内电子转移和灵活的响应结构来协同控制微观和宏观物理性质
- 批准号：
06J03292 - 财政年份：2006
- 资助金额：
$ 12.31万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
相似海外基金
大きな表面分極を持つトポロジカル半金属の半導体デバイスへの応用
大表面极化拓扑半金属在半导体器件中的应用
- 批准号：
24K01353 - 财政年份：2024
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Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
界面電荷・歪分極エンジニアリングの併用による窒化物半導体デバイス閾値電圧制御
使用界面电荷和应变极化工程控制氮化物半导体器件的阈值电压
- 批准号：
23K22815 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 12.31万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
半導体デバイス特性向上のためのゲルマニウムおよび有機金属の酸化反応の解明
阐明锗和有机金属氧化反应以改善半导体器件性能
- 批准号：
24K07586 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 12.31万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
半導体デバイス排熱の有効利用に向けた窒化物半導体の熱電特性解明と性能向上
阐明氮化物半导体的热电特性和性能改进，以有效利用半导体器件废热
- 批准号：
23K26148 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 12.31万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
半導体デバイス微細加工技術と評価手法による粒子状光触媒の設計指針の構築と高効率化
利用半导体器件微加工技术和评估方法建立颗粒光催化剂的设计指南并提高其效率
- 批准号：
24K17641 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 12.31万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
ナノビームX線回折による半導体デバイスの4次元断層解析
使用纳米束 X 射线衍射对半导体器件进行 4 维断层扫描分析
- 批准号：
23H01447 - 财政年份：2023
- 资助金额：
$ 12.31万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
パワー半導体デバイスの寿命と性能を最大限活かせる駆動回路設計手法の確立
建立最大化功率半导体器件寿命和性能的驱动电路设计方法
- 批准号：
23K13313 - 财政年份：2023
- 资助金额：
$ 12.31万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
界面構造最適化による窒化物半導体デバイス型水素センサの高性能化
通过优化界面结构提高氮化物半导体器件型氢传感器性能
- 批准号：
23K03949 - 财政年份：2023
- 资助金额：
$ 12.31万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
高信頼性有機半導体デバイス実現に向けた非接触・in-situ二次元評価法の確立
建立非接触/原位二维评估方法以实现高可靠性有机半导体器件
- 批准号：
23K13667 - 财政年份：2023
- 资助金额：
$ 12.31万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
界面電荷・歪分極エンジニアリングの併用による窒化物半導体デバイス閾値電圧制御
使用界面电荷和应变极化工程控制氮化物半导体器件的阈值电压
- 批准号：
22H01545 - 财政年份：2022
- 资助金额：
$ 12.31万 - 项目类别：
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