Exploration of MOF-based microporous semiconductor
MOF基微孔半导体的探索
基本信息
- 批准号:23H01810
- 负责人:
- 金额:$ 11.9万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
- 财政年份:2023
- 资助国家:日本
- 起止时间:2023-04-01 至 2027-03-31
- 项目状态:未结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
项目成果
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田中 大輔
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24K08082 - 财政年份:2024
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$ 11.9万 - 项目类别:
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$ 11.9万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
テラヘルツ波で駆動する半導体及び遷移金属のスピン流の時空間分解観測と精密測定
太赫兹波驱动的半导体和过渡金属自旋电流的时空分辨观测和精确测量
- 批准号:
24KJ0572 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 11.9万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
薄膜半導体による高エネルギー量子ビーム計測の新展開
利用薄膜半导体进行高能量子束测量的新进展
- 批准号:
24K07078 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 11.9万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
半導体量子ドット集合系での超蛍光発生機構における量子揺らぎの観測と制御
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- 批准号:
24K06929 - 财政年份:2024
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空间换能器半导体异质结的热工程
- 批准号:
DP240102230 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 11.9万 - 项目类别:
Discovery Projects














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