Exploration of MOF-based microporous semiconductor

MOF基微孔半导体的探索

基本信息

  • 批准号:
    23H01810
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 11.9万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
  • 财政年份:
    2023
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2023-04-01 至 2027-03-31
  • 项目状态:
    未结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量(0)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)

数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ patent.updateTime }}

田中 大輔其他文献

多孔性金属錯体の細孔内の相互作用金属イオンサイトを介した選択的吸着挙動
通过多孔金属配合物孔隙中相互作用的金属离子位点的选择性吸附行为
  • DOI:
  • 发表时间:
    2007
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    坂本 裕俊;田中 大輔;下村 悟;北川 進
  • 通讯作者:
    北川 進
DDA法によるコアシェル構造の光渦励起LPRの特性調査
DDA法研究核壳结构光学涡旋激发LPR特性
  • DOI:
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    田中 大輔;原尻 駿吾
  • 通讯作者:
    原尻 駿吾
高速C60+イオン透過によるSiN薄膜上のアミノ酸の前方二次イオン放出II
通过快速 C60+ 离子渗透在 SiN 薄膜上正向二次离子释放氨基酸 II
  • DOI:
  • 发表时间:
    2014
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    池邉 晶紀;田中 大輔;中嶋薫,丸毛智矢,永野賢悟,木村健二,鳴海一雅,斎藤勇一
  • 通讯作者:
    中嶋薫,丸毛智矢,永野賢悟,木村健二,鳴海一雅,斎藤勇一
頭部姿勢入力の意図推定によるアバタの操作支援
基于头部姿势输入的意图估计的头像操作支持
  • DOI:
  • 发表时间:
    2022
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    田中 大輔;森 博志;外山 史
  • 通讯作者:
    外山 史
含硫黄一次元半導体配位高分子の合成および金属イオン種と物性の相関
含硫一维半导体配位聚合物的合成及金属离子种类与物理性质的相关性
  • DOI:
  • 发表时间:
    2023
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    小倉 早織;中谷 侑華;橋本 妃央;佐伯 昭紀;秋吉 亮平;田中 大輔
  • 通讯作者:
    田中 大輔

田中 大輔的其他文献

{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

{{ truncateString('田中 大輔', 18)}}的其他基金

MOFを基盤としたマイクロポーラス半導体材料の自在合成と機能探索
基于MOFs的微孔半导体材料的柔性合成及功能探索
  • 批准号:
    23K26503
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 11.9万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Development of light-driven nanomotor with the 3-degree of freedom and stability
开发具有三自由度且稳定的光驱动纳米电机
  • 批准号:
    22K04975
  • 财政年份:
    2022
  • 资助金额:
    $ 11.9万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Creation of Metal-Organic Frameworks with Periodic Low-Dimensional Semiconductor Structures
具有周期性低维半导体结构的金属有机框架的创建
  • 批准号:
    20H02577
  • 财政年份:
    2020
  • 资助金额:
    $ 11.9万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
多孔性金属錯体を用いた光応答性空間の創成
使用多孔金属配合物创建光响应空间
  • 批准号:
    07J09360
  • 财政年份:
    2007
  • 资助金额:
    $ 11.9万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows

相似海外基金

Flexible fMRI-Compatible Neural Probes with Organic Semiconductor based Multi-modal Sensors for Closed Loop Neuromodulation
灵活的 fMRI 兼容神经探针,带有基于有机半导体的多模态传感器,用于闭环神经调节
  • 批准号:
    2336525
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 11.9万
  • 项目类别:
    Standard Grant
SBIR Phase II: Innovative Glass Inspection for Advanced Semiconductor Packaging
SBIR 第二阶段:先进半导体封装的创新玻璃检测
  • 批准号:
    2335175
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 11.9万
  • 项目类别:
    Cooperative Agreement
電極積層構造制御による二次元半導体のショットキー障壁制御
通过控制电极堆叠结构控制二维半导体中的肖特基势垒
  • 批准号:
    24KJ0622
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 11.9万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
ポテンシャルを精密に制御した半導体量子井戸構造中の熱電子冷却に関する研究
电势精确控制的半导体量子阱结构热电子冷却研究
  • 批准号:
    24KJ0678
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 11.9万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
半導体用放熱材への応用を考慮した高熱伝導性高分子液晶の創成と熱伝導機構の解明
考虑用作半导体散热材料的高导热聚合物液晶的创建和热传导机制的阐明
  • 批准号:
    24K08082
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 11.9万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
半導体量子ドットの電子・核スピン相関時間と四極子効果の変調による核偏極の自在制御
通过调制半导体量子点中电子/核自旋相关时间和四极效应自由控制核极化
  • 批准号:
    24K08189
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 11.9万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
テラヘルツ波で駆動する半導体及び遷移金属のスピン流の時空間分解観測と精密測定
太赫兹波驱动的半导体和过渡金属自旋电流的时空分辨观测和精确测量
  • 批准号:
    24KJ0572
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 11.9万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
薄膜半導体による高エネルギー量子ビーム計測の新展開
利用薄膜半导体进行高能量子束测量的新进展
  • 批准号:
    24K07078
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 11.9万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
半導体量子ドット集合系での超蛍光発生機構における量子揺らぎの観測と制御
半导体量子点组装系统中超荧光产生机制中量子涨落的观测与控制
  • 批准号:
    24K06929
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 11.9万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Thermal engineering in semiconductor heterojunction for space transducers
空间换能器半导体异质结的热工程
  • 批准号:
    DP240102230
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 11.9万
  • 项目类别:
    Discovery Projects
{{ showInfoDetail.title }}

作者:{{ showInfoDetail.author }}

知道了