课题基金 / 基金详情

二次元規則性アロイIIVI族化合物結晶の作製と新機能発現

二次元規則性アロイIIVI族化合物結晶の作製と新機能発現
二维规则合金Ⅲ族化合物晶体的制备及新功能的表达
批准号：
04205037
负责人：
清水 勇
金额：
$1.15万
依托单位：
Tokyo Institute of Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份：
1992
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
1992 至 --
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-04205037/
关键词：
低温結晶成長法IIVI族化合物混晶二次元規則性ピコ秒観察エキシトン

项目摘要

项目成果

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中文摘要
翻译
申請者らが開発した新規な低温結晶成長法(Hydrogen Radical e清hanced(HR))-CVD法において、原子層単位(Atomic Layer Epitaxy:ALE)で制御された低温結晶育成法が完成した。この技術を用いて、二次元に規則性を持ったIIVI族化合物混晶をGaAs(100)基板上に作製した。組成[(ZnS)_1(ZnSe)m]n(m,nは整数)においては、m=1〜12の広い組成領域で欠陥の少ない高品質Zn(S,Se)結晶が得られた。そのPL特性はバンド端からの自由エキシトンからの発光と思われる発光のみが認められ、欠陥の発生のない歪結晶が得られた。また。基板と格子整合する組成(m〜12)において、二次元に規則性を与えるために組成[(ZnS)n(ZnSe)_<12>n]m結晶(n=1〜4)を作製し、その特性の検討を行った。n≧2の結晶では、二次元規則性を示唆するx線回折におけるサテライトピークが観測され、設計通りの組成構造が形成されていることを明らかにした。また、同一組成にも拘わらず、その発光ラインのエネルギー値は二次元規則性による変調を受け、短周期超格子構造を形成していることを支持するエネルギーシフトをしている。また、これらの結晶の発光過程のダイナミクスに関し、PLスペクトルのナノ秒時間時間分割測定と、ピコ秒観察を行った結果、寿命として30〜80psec(<30K)が得られ混晶にも拘わらず高速応答を示した。また、強光励起下ではエキシトン間相互作用によるエキシトン安定化効果も認められ、非線形光学デバイスを目指した物質設計の可能性を示唆する結果を得た。
英文摘要
申請者らが開発した新規な低温結晶成長法(Hydrogen Radical e清hanced(HR))-CVD法において、原子層単位(Atomic Layer Epitaxy:ALE)で制御された低温結晶育成法が完成した。この技術を用いて、二次元に規則性を持ったIIVI族化合物混晶をGaAs(100)基板上に作製した。組成[(ZnS)_1(ZnSe)m]n(m,nは整数)においては、m=1〜12の広い組成領域で欠陥の少ない高品質Zn(S,Se)結晶が得られた。そのPL特性はバンド端からの自由エキシトンからの発光と思われる発光のみが認められ、欠陥の発生のない歪結晶が得られた。また。基板と格子整合する組成(m〜12)において、二次元に規則性を与えるために組成[(ZnS)n(ZnSe)_<12>n]m結晶(n=1〜4)を作製し、その特性の検討を行った。n≧2の結晶では、二次元規則性を示唆するx線回折におけるサテライトピークが観測され、設計通りの組成構造が形成されていることを明らかにした。また、同一組成にも拘わらず、その発光ラインのエネルギー値は二次元規則性による変調を受け、短周期超格子構造を形成していることを支持するエネルギーシフトをしている。また、これらの結晶の発光過程のダイナミクスに関し、PLスペクトルのナノ秒時間時間分割測定と、ピコ秒観察を行った結果、寿命として30〜80psec(<30K)が得られ混晶にも拘わらず高速応答を示した。また、強光励起下ではエキシトン間相互作用によるエキシトン安定化効果も認められ、非線形光学デバイスを目指した物質設計の可能性を示唆する結果を得た。
期刊论文(4)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
Jun GOTOH: "Zns-ZnSe Ordered Alloys on GaAs(100)fabricated by Hydrogen Radical enhanced CVD" Tech.Digest(Int.Workshop on Sci.& Tech.for Surface Reaction Process(1992,Tokyo). 127-128 (1992)
Jun GOTOH：“通过氢自由基增强 CVD 制造的 GaAs(100) 上的 Zns-ZnSe 有序合金”Tech.Digest（Int.Workshop on Sci.）
DOI： --
发表时间：
期刊：
影响因子： --
作者： []
通讯作者：
Hiroyuki FUJIWARA: "Exciton Properties of Zn(S,Se)Ordered Alloys Fabricated by HR-CVD" 2nd Int.Symop.on Electrochemical Processing of Tailored Materials(Hawai 1993).
Hiroyuki FUJIWARA：“通过 HR-CVD 制造的 Zn(S,Se) 有序合金的激子特性”第二届 Int.Symop.on 电化学加工定制材料（Hawai 1993）。
DOI： --
发表时间：
期刊：
影响因子： --
作者： []
通讯作者：
50年間暗黒条件下で継代飼育したショウジョウバエの遺伝子変異と行動に関する研究
  • 批准号：
    16657069
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Exploratory Research
  • 资助金额：
    $1.34万
  • 财政年份：
    2004
  • 负责人：
    清水 勇
  • 依托单位：
    Kyoto University
アモルファス・シリコンの中距離構造の制御と新機能創成
  • 批准号：
    11120215
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas (A)
  • 资助金额：
    $1.28万
  • 财政年份：
    1999
  • 负责人：
    清水 勇
  • 依托单位：
    Tokyo Institute of Technology
アモルファス・シリコンの中距離構造の制御と光電流増倍効果
  • 批准号：
    09239214
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
  • 资助金额：
    $1.28万
  • 财政年份：
    1997
  • 负责人：
    清水 勇
  • 依托单位：
    Tokyo Institute of Technology
アモルファス・シリコンの中距離構造の制御と新機能創成
  • 批准号：
    10133214
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas (A)
  • 资助金额：
    $1.28万
  • 财政年份：
    1997
  • 负责人：
    清水 勇
  • 依托单位：
    Tokyo Institute of Technology